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东南大学 - 竞价公告（CB102862025001519）
招标详情
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**** - 竞价公告（****）
发布时间：2025-11-13 14:35:07 截止时间：2025-11-17 09:00:00标书代写
申购主题： 镀金属硅片一批采购
报价要求： 国产含税
发票类型： 增值税专用发票
付款方式： 货到验收合格后付款
收货地址： **省/**市/**区/****
供应商资质：
备注说明：
送货时间： 合同签订后10天内送达
安装要求： 免费上门安装（含材料费）
预算： 人民币
| 镀银硅片 | 15.0/片 | 迈塔光电 | MT-SAG-08 | ① 尺寸：直径8英寸 ② 单晶硅衬底： 单晶硅片厚度：50um； 掺杂类型：N型； 单晶硅片晶向：100； 硅片厚度偏差值：<1um； 表面粗糙度Ra：<0.2nm； 表面氧化层厚度：<1nm 电阻率：<0.1 Ω*cm-1； 少子寿命：≥1000us 氧含量：≤5.75*1017 at/cm3 碳含量：≤5*1016 at/cm3 ③ 表面镀银： 单面抛光，镀层厚度：100nm； 膜层粗糙度Ra：≤0.5 nm； 膜层纯度：≥99.99% ④ 镀膜工艺：磁控溅射/电子束蒸发 3、提供在该规格硅片上进行低残留转移制备低维材料异质结工艺参数、流程及转移实例 | 质保：无。 售后服务：公司中标后送货上门，负责协助验收；本项目要求供应商具有本地化服务能力，本地化服务的能力是指具有以下条件之一：1、在本地注册成立的；2、在本地具****公司、办事处、售后服务机构等），具有固定的办公场所及人员。备注：“本地”系指：**市 | ||
| 镀铜硅片 | 15.0/片 | 迈塔光电 | MT-SCU-08 | ① 尺寸：直径8英寸 ② 单晶硅衬底： 单晶硅片厚度：50um； 掺杂类型：N型； 单晶硅片晶向：100； 硅片厚度偏差值：<1um； 表面粗糙度Ra：<0.2nm； 表面氧化层厚度：<1nm 电阻率：<0.1 Ω*cm-1； 少子寿命：≥1000us 氧含量：≤5.75*1017 at/cm3 碳含量：≤5*1016 at/cm3 ③ 表面镀铜： 单面抛光，镀层厚度：100nm； 膜层粗糙度Ra：≤0.5 nm； 膜层纯度：≥99.99% ④ 镀膜工艺：磁控溅射/电子束蒸发 3、提供在该规格硅片上进行低残留转移制备低维材料异质结工艺参数、流程及转移实例 | 质保：无。 售后服务：公司中标后送货上门，负责协助验收；本项目要求供应商具有本地化服务能力，本地化服务的能力是指具有以下条件之一：1、在本地注册成立的；2、在本地具****公司、办事处、售后服务机构等），具有固定的办公场所及人员。备注：“本地”系指：**市 | ||
| 单抛氧化带标记硅片 | 15.0/片 | 迈塔光电 | MT-SOI-M-08 | ① 尺寸：直径8英寸 ② 单面抛光，双面氧化； 氧化层厚度300±5nm； 晶向：100； 掺杂类型：N型； 电阻率：<0.1 Ω*cm-1； 表面粗糙度Ra：≤0.5nm； 厚度偏差TTV：≤5um； 翘曲度Warp：<40um； 弯曲度Bow：≤40um； 氧含量：10-17ppma； 碳含量：<0.5ppma ③ 标记材料：30nm Cr金属； ④ 标记数字规格：以10*10mm为基本单元，每个单元里标记100个数字，数字间隔900um，数字尺寸50um*50um，线宽10um。 3、提供在该规格硅片上进行低残留转移制备低维材料异质结工艺参数、流程及转移实例 | 质保：无。 售后服务：公司中标后送货上门，负责协助验收；本项目要求供应商具有本地化服务能力，本地化服务的能力是指具有以下条件之一：1、在本地注册成立的；2、在本地具****公司、办事处、售后服务机构等），具有固定的办公场所及人员。备注：“本地”系指：**市 |
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