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半导体设备真空腔体核心零部件精密涂层技术及年产300吨半导体材料设备更新升级项目
项目详情
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400-688-2000
1、建设项目基本信息
企业基本信息
| **** | 建设单位代码类型：|
| 913********719921P | 建设单位法人：辛长林 |
| 汪文学 | 建设单位所在行政区划：******开发区 |
| 安****开发区**园区金同路69号 |
建设项目基本信息
| 半导体设备真空腔体核心零部件精密涂层技术及年产300吨半导体材料设备更新升级项目 | 项目代码：**** |
| 建设性质： | |
| 2021版本:081-电子元件及电子专用材料制造 | 行业类别（国民经济代码）：C3985-C3985-电子专用材料制造 |
| 建设地点： | ******开发区 **园区金同路69号 |
| 经度:117.52805 纬度: 30.71222 | ****机关：****开发区生态环境局 |
| 环评批复时间： | 2025-04-11 |
| 池开环审〔2025〕5号 | 本工程排污许可证编号：913********719921P002U |
| 2021-07-17 | 项目实际总投资(万元)：11000 |
| 317 | 运营单位名称：**** |
| 913********719921P | 验收监测(调查)报告编制机构名称：******公司 |
| ****1723MACYF0EL2C | 验收监测单位：******公司 |
| ****1702MA8P93NK1L | 竣工时间：2025-07-01 |
| 调试结束时间： | |
| 2025-10-12 | 验收报告公开结束时间：2025-11-07 |
| 验收报告公开载体： | https://www.****.com/gs/detail/2?id=510127zwg1 |
2、工程变动信息
项目性质
| 改扩建 | 实际建设情况：改扩建 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
规模
| 年再生450万件半导体、光电设备零部件；精密涂层170万件；年产300吨半导体粉体材料 | 实际建设情况：年再生450万件半导体、光电设备零部件；精密涂层170万件；年产150吨半导体粉体材料 |
| 粉体分期建设，现完成一期（150t/a）建设 | 是否属于重大变动：|
生产工艺
| 半导体及面板产品再生:不同部件沉积层的特性选择不同的工艺进行处理。 其中Cu膜层、ITO膜层、B膜层采用15%硝酸酸洗，即将工件置于酸洗槽中进行浸泡清洗； Mo膜层采用15%盐酸酸洗，即将工件置于酸洗槽中进行浸泡清洗； Al2O3膜层先采用15%硝酸酸洗再通过15%氢氧化钾、双氧水碱洗； Y2O3膜层先采用15%硝酸与5%氢氟酸酸洗； Ti膜层采用15%氢氧化钾、双氧水碱洗； Al膜层原采用水刀剥离，现调整为物理气动剥离，即通过压缩空气或高速气流产生的动能、压力差，作用于部件表面进行物理剥离； 依据市场需求，客户大部分订单对零部件要求较高，由于酸碱清洗对零部件功能破坏可能性较大，因此调整含砷部件涂层清除工艺即保留原有清洗工序，新增含砷件物理喷砂工序（由于化学清洗需将物件整体置于清洗槽内，而喷砂时仅针对处理区域进行喷砂处理，其余部分通过胶带遮蔽保护，因此喷砂处理对零部件其余区域破坏可能性较小），约99%含砷涂层半导体件直接采用喷砂处理；1%含砷涂层半导体件采用硝酸清洗。 半导体精密涂层:（1）喷砂 喷砂工序包括准备阶段、喷砂阶段以及喷砂后清洗阶段。 1）遮蔽保护（准备阶段） 根据客户需求进行工件表面处理前对不需要表面处理部分进行遮蔽保护，主要是用胶带覆盖无需表面处理的部位，喷砂后撕除，产生废胶带S2。 2）喷砂 喷砂是采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料高速喷射到需要处理的工件表面，使工件表面的外表面的外表或形状发生变化。由于磨料对工件表面的冲击和切削作用，使工件的表面获得一定的清洁度和不同的粗糙度，从而使工件表面的机械性能得到改善。 3）清洗阶段 清洗包括纯水清洗以及超声波清洗。 根据设计项目涂层产品量为170万件，约80%产品前端清洗再生过程表面可能仍有顽固沉积层需进行物理喷砂处理，即136万件产品需进行喷砂处理。 本次技改项目新增一套自动喷砂机进行特定产品的喷砂，因此现有喷砂为1#喷砂系统（现有半导体、面板区喷砂），新增自动喷砂为2#喷砂系统。 1#喷砂系统年喷砂约120万件产品，2#自动喷砂年加工约16万件。 前述含砷件喷砂于1#喷砂系统进行。 （2）Coting等离子喷涂 技改项目淘汰拆除熔射工艺。在现有6套Coting设备（已建5台，在建1台）基础上，新增4台Coting设备进行产品精密涂层。 Coting前先进行遮蔽保护，与前段工艺一致，涂层后撕除胶带产生S2废胶带。 Coting等离子喷涂即利用热源将材料熔化、半熔化或软化，并以一定速度喷射到基体表面形成涂层。本次技改项目等离子喷涂材料为Y2O3、YAG、YOF、YF3粉末。 （3）涂层后的产品进行清洗、电烘干入库。 高纯氧化铝粉体:1）投料：外购原料氧化铝下料入仓，通过计量投料，过程密闭； 2）球磨：将原料和水通过球磨机混合均匀，采用湿磨方式，原料研磨前加入适量的水与乙醇，使原料成浆状。 3）砂磨：依据来料情况，部分原料需进一步进行砂磨，工艺与球磨一致； 4）喷雾造粒：为使粉料形成**度的流动性好的颗粒，细磨后的浆料需加无机分散剂后进行喷雾造粒，过程同时充氮保护。喷雾造粒过程是将浆料用喷雾器喷入造粒塔中进行雾化，塔中的雾滴被塔中热气流干燥后从塔底部卸出，造粒后的颗粒状物料外干内湿、含水率在10%以上。； 5）煅烧：将前段氧化铝颗粒装入匣体送入轨道炉（电加热）内进行煅烧，煅烧温度约1400℃，煅烧3~4h，煅烧时在炉尾鼓入冷风，冷却至50℃后出炉得到产品。 氧化铝基喷涂粉:1）配料、投料：根据一定比例添加氧化铝与氧化钇。 2）混合球磨：将原料和水通过球磨机混合均匀，采用湿磨方式，原料研磨前加入适量的水与乙醇，使原料成浆状。 3）喷雾造粒：为使粉料形成**度的流动性好的颗粒，细磨后的浆料需加无机分散剂后进行喷雾造粒，过程同时充氮保护。喷雾造粒过程是将浆料用喷雾器喷入造粒塔中进行雾化，塔中的雾滴被塔中热气流干燥后从塔底部卸出，造粒后的颗粒状物料外干内湿、含水率在10%以上。 4）煅烧：将前段颗粒装入匣体送入轨道炉（电加热）内进行煅烧，煅烧温度约1400℃，煅烧时在炉尾鼓入冷风，冷却至50℃后出炉得到产品。 5）筛分、预烧、煅烧 通过振动筛分，粒径小于400目的产品再进入预烧与煅烧工序进一步致密，粒径大于400目即为产品。预烧与煅烧均使用电能，过程与前段煅烧一致。 | 实际建设情况：半导体及面板产品再生:不同部件沉积层的特性选择不同的工艺进行处理。 其中Cu膜层、ITO膜层、B膜层采用15%硝酸酸洗，即将工件置于酸洗槽中进行浸泡清洗； Mo膜层采用15%盐酸酸洗，即将工件置于酸洗槽中进行浸泡清洗； Al2O3膜层先采用15%硝酸酸洗再通过15%氢氧化钾、双氧水碱洗； Y2O3膜层先采用15%硝酸与5%氢氟酸酸洗； Ti膜层采用15%氢氧化钾、双氧水碱洗； Al膜层原采用水刀剥离，现调整为物理气动剥离，即通过压缩空气或高速气流产生的动能、压力差，作用于部件表面进行物理剥离； 依据市场需求，客户大部分订单对零部件要求较高，由于酸碱清洗对零部件功能破坏可能性较大，因此调整含砷部件涂层清除工艺即保留原有清洗工序，新增含砷件物理喷砂工序（由于化学清洗需将物件整体置于清洗槽内，而喷砂时仅针对处理区域进行喷砂处理，其余部分通过胶带遮蔽保护，因此喷砂处理对零部件其余区域破坏可能性较小），约99%含砷涂层半导体件直接采用喷砂处理；1%含砷涂层半导体件采用硝酸清洗。 半导体精密涂层:（1）喷砂 喷砂工序包括准备阶段、喷砂阶段以及喷砂后清洗阶段。 1）遮蔽保护（准备阶段） 根据客户需求进行工件表面处理前对不需要表面处理部分进行遮蔽保护，主要是用胶带覆盖无需表面处理的部位，喷砂后撕除，产生废胶带S2。 2）喷砂 喷砂是采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料高速喷射到需要处理的工件表面，使工件表面的外表面的外表或形状发生变化。由于磨料对工件表面的冲击和切削作用，使工件的表面获得一定的清洁度和不同的粗糙度，从而使工件表面的机械性能得到改善。 3）清洗阶段 清洗包括纯水清洗以及超声波清洗。 根据设计项目涂层产品量为170万件，约80%产品前端清洗再生过程表面可能仍有顽固沉积层需进行物理喷砂处理，即136万件产品需进行喷砂处理。 本次技改项目新增一套自动喷砂机进行特定产品的喷砂，因此现有喷砂为1#喷砂系统（现有半导体、面板区喷砂），新增自动喷砂为2#喷砂系统。 1#喷砂系统年喷砂约120万件产品，2#自动喷砂年加工约16万件。 前述含砷件喷砂于1#喷砂系统进行。 （2）Coting等离子喷涂 技改项目淘汰拆除熔射工艺。在现有6套Coting设备（已建5台，在建1台）基础上，新增4台Coting设备进行产品精密涂层。 Coting前先进行遮蔽保护，与前段工艺一致，涂层后撕除胶带产生S2废胶带。 Coting等离子喷涂即利用热源将材料熔化、半熔化或软化，并以一定速度喷射到基体表面形成涂层。本次技改项目等离子喷涂材料为Y2O3、YAG、YOF、YF3粉末。 （3）涂层后的产品进行清洗、电烘干入库。 高纯氧化铝粉体:1）投料：外购原料氧化铝下料入仓，通过计量投料，过程密闭； 2）球磨：将原料和水通过球磨机混合均匀，采用湿磨方式，原料研磨前加入适量的水与乙醇，使原料成浆状。 3）砂磨：依据来料情况，部分原料需进一步进行砂磨，工艺与球磨一致； 4）喷雾造粒：为使粉料形成**度的流动性好的颗粒，细磨后的浆料需加无机分散剂后进行喷雾造粒，过程同时充氮保护。喷雾造粒过程是将浆料用喷雾器喷入造粒塔中进行雾化，塔中的雾滴被塔中热气流干燥后从塔底部卸出，造粒后的颗粒状物料外干内湿、含水率在10%以上。； 5）煅烧：将前段氧化铝颗粒装入匣体送入轨道炉（电加热）内进行煅烧，煅烧温度约1400℃，煅烧3~4h，煅烧时在炉尾鼓入冷风，冷却至50℃后出炉得到产品。 氧化铝基喷涂粉:1）配料、投料：根据一定比例添加氧化铝与氧化钇。 2）混合球磨：将原料和水通过球磨机混合均匀，采用湿磨方式，原料研磨前加入适量的水与乙醇，使原料成浆状。 3）喷雾造粒：为使粉料形成**度的流动性好的颗粒，细磨后的浆料需加无机分散剂后进行喷雾造粒，过程同时充氮保护。喷雾造粒过程是将浆料用喷雾器喷入造粒塔中进行雾化，塔中的雾滴被塔中热气流干燥后从塔底部卸出，造粒后的颗粒状物料外干内湿、含水率在10%以上。 4）煅烧：将前段颗粒装入匣体送入轨道炉（电加热）内进行煅烧，煅烧温度约1400℃，煅烧时在炉尾鼓入冷风，冷却至50℃后出炉得到产品。 5）筛分、预烧、煅烧 通过振动筛分，粒径小于400目的产品再进入预烧与煅烧工序进一步致密，粒径大于400目即为产品。预烧与煅烧均使用电能，过程与前段煅烧一致。 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
环保设施或环保措施
| 废气：酸碱废气依托现有项目四级洗涤塔处理系统处理。处理后的酸碱废气经DA001外排。每套等离子喷涂配套一套袋式除尘器处理，处理后经15m排气筒排放。现有喷砂系统保留，喷砂系统的半导体喷砂区设为含砷件喷砂区，面板区喷砂作为含砷件之外的产品喷砂区，废气措施依托现有袋式除尘器处理，处理后经DA009排放； 新增的半导体自动喷砂废气经袋式除尘器处理后经1根15m排气筒（DA012）排放。高纯氧化铝粉体喷雾造粒废气收集后经一套冷凝+袋式除尘器+二级活性炭吸附处理后再通过1根15m排气筒（DA017）排放； 氧化铝基喷涂粉喷雾造粒废气收集后经一套冷凝+袋式除尘器二级活性炭吸附处理后再通过1根15m排气筒（DA018）排放。 废水：生活污水经化粪池预处理后与****经济开发区污水管网；生产****处理站处理； 噪声：选用低噪声设备，合理布局，厂房隔声，采用基础减振，距离衰减等污染防治措施。 固废：新增含砷废砂、含砷除尘灰、含砷布袋暂存于现有2#危废库（TS002）后委托有资质单位处置；新增废活性炭暂存1#危废间（TS001）后委托有资质单位处置。 | 实际建设情况：废气：酸碱废气依托现有项目四级洗涤塔处理系统处理。处理后的酸碱废气经DA001外排。每套等离子喷涂配套一套袋式除尘器处理，处理后经15m排气筒排放。现有喷砂系统保留，喷砂系统的半导体喷砂区设为含砷件喷砂区，面板区喷砂作为含砷件之外的产品喷砂区，废气措施依托现有袋式除尘器处理，处理后经DA009排放； 新增的半导体自动喷砂废气经袋式除尘器处理后经1根15m排气筒（DA012）排放。高纯氧化铝、氧化铝基喷涂粉喷雾造粒废气收集后经一套冷凝+袋式除尘器+二级活性炭吸附处理后再通过1根15m排气筒（DA017）排放； 废水：生活污水经化粪池预处理后与****经济开发区污水管网；生产****处理站处理； 噪声：选用低噪声设备，合理布局，厂房隔声，采用基础减振，距离衰减等污染防治措施。 固废：新增含砷废砂、含砷除尘灰、含砷布袋暂存于现有2#危废库（TS002）后委托有资质单位处置；新增废活性炭暂存1#危废间（TS001）后委托有资质单位处置。 |
| 分期建设，一期建设一条高纯氧化铝粉体与一条氧化铝基喷涂粉生产线，由于两条线喷雾造粒均位于生产厂房西南侧，相距较近，每套喷雾造粒均自带收尘装置，喷雾造粒废气经各自收尘装置除尘后再通过一套二级活性炭吸附装置处理。 | 是否属于重大变动：|
其他
| 无 | 实际建设情况：无 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
3、污染物排放量
| 1.145 | 0.346 | 0.48 | 1.01 | 0 | 0.481 | -0.664 | |
| 3.435 | 1.04 | 1.17 | 3.305 | 0 | 1.17 | -2.265 | |
| 0.263 | 0.08 | 0.11 | 0.233 | 0 | 0.11 | -0.153 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0.19 | 0.014 | 0 | 0.19 | 0 | 0.014 | -0.176 | / |
| 0.7814 | 0.374 | 1 | 0.52 | 0 | 0.635 | -0.146 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
| 1 | ****处理站 | 《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020） | ****处理站 | pH7~8.1；氟化物11~18.5；铜未检出；氨氮0.317~0.993；COD5~15；SS6~8 |
表2 大气污染治理设施
| 1 | 依托酸碱喷淋塔、除尘器、有机废气处理设施 | 废气中颗粒物、NOX、氯化氢、氟化物执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297—1996）表2中限值要求。本次项目新增了砷及其化合物污染因子，该污染物暂无行业与国标，因此与碱雾均参照执行**市地方标准《大气污染物综合排放标准》（DB31/933—2015），新增挥发性有机物排气筒执行**省地方标准《固定源挥发性有机物综合排放标准第5部分：电子工业》（DB34/4812.5—2024），厂界无组织挥发性有机物执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）中标准限值要求。厂区内VOCs执行《固定源挥发性有机物综合排放标准第5部分：电子工业》（DB34/4812.5—2024）表3排放限制。 | 酸碱废气依托现有项目四级洗涤塔处理系统处理，处理后的酸碱废气经DA001外排。 保留现有等离子喷涂配套环保设施；本次新增4套等离子喷涂设备，每套等离子喷涂配套一套袋式除尘器处理，处理后经15m排气筒（DA013、DA014、DA015、DA016）排放；现有喷砂系统保留，喷砂系统的半导体喷砂区设为含砷件喷砂区，面板区喷砂作为含砷件之外的产品喷砂区，废气措施依托现有袋式除尘器处理，处理后经DA009排放；新增的半导体自动喷砂废气经袋式除尘器处理后经1根15m排气筒（DA012）排放；高纯氧化铝粉体、氧化铝基喷涂粉喷雾造粒废气收集后经一套冷凝+袋式除尘器+二级活性炭吸附处理后再通过1根15m排气筒（DA017）排放。 | 酸碱废气排气筒（DA001）中氟化物排放浓度为0.37-1.22mg/m3，排放速率为0.00475~0.0158kg/h；氮氧化物排放浓度为7~9mg/m3，排放速率为0.0865~0.114kg/h；氯化氢排放浓度为1.5~7.23mg/m3，排放速率为0.0193~0.0952kg/h；氨气排放浓度为1.45~2.84mg/m3，排放速率为0.0187~0.0349kg/h；碱雾排放浓度为0.5~0.9mg/m3，排放速率为0.00601~0.0114kg/h。 第6套等离子喷涂废气排气筒（DA008）中颗粒物排放浓度2.3~12mg/m3，排放速率为0.0215~0.105kg/h。颗粒物排放量为41.75kg/a。 含砷喷砂排气筒（DA009）中颗粒物排放浓度1~1.8mg/m3，排放速率为0.0157~0.0284kg/h，砷及其化合物未检出。颗粒物排放量为29.1kg/a。 自动喷砂排气筒（DA012）中颗粒物排放浓度1.4~14.5mg/m3，排放速率为0.0129~0.128kg/h。颗粒无排放量为46.5kg/a。 第7套等离子喷涂排气筒（DA013）中颗粒物排放浓度1~8.4mg/m3，排放速率为0.00995~0.084kg/h。颗粒物排放量为31kg/a。 第8套等离子喷涂排气筒（DA014）中颗粒物排放浓度1~5mg/m3，排放速率为0.00966~0.0504kg/h。颗粒物排放量为19.82kg/a。 粉体喷雾造粒排气筒（DA017）中颗粒物排放浓度1~3.11mg/m3，排放速率为0.00102~0.00927kg/h，非甲烷总烃排放浓度1~13.9mg/m3，排放速率为0.00183~0.00827kg/h。颗粒物排放量为12.35kg/a，非甲烷总烃排放量为12.12kg/a。 |
表3 噪声治理设施
| 1 | 选用低噪声设备，合理布局，厂房隔声，采用基础减振，距离衰减等污染防治措施。 | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008） | 选用低噪声设备，合理布局，厂房隔声，采用基础减振，距离衰减等污染防治措施。 | 昼：53~63dB，夜50~51dB |
表4 地下水污染治理设施
| 1 | 分区防渗 | 分区防渗 |
表5 固废治理设施
| 1 | 固体废物处理处置应遵循“减量化、**化、无害化的原则，对固体废物的产生、运输、贮存、处理和处置实施全过程控制。破损匣体外售耐火材料综合利用，等离子喷涂除尘灰、一般更换布袋、一般废****公司现有一般固废间，再由有处理能力的单位合理利用或处置；含砷废砂、含砷布袋、含砷除尘灰、废****公司现有2座危废库后委托有资质单位处置。项目危废暂存间应按《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）要求建设与管理。危险废物规****环境保护部《关于印发危险废物规范化管理指标体系的通知》（环办[2015】99号）要求强化管理，特别是临时贮存、转运等环节的防治措施。生活垃圾收集后交环卫部门统一处置。 | 一般固废暂存后外运综合利用，危废暂存危废间暂存后委托有资质单位处置 |
表6 生态保护设施
表7 风险设施
| 1 | 厂区危废库、化学品库以及生产区进行重点防渗，危废库、化学品库内部设置收集沟与收集槽，厂区配套应急事故池120m3 | 厂区危废库、化学品库以及生产区进行重点防渗，危废库、化学品库内部设置收集沟与收集槽，厂区配套应急事故池120m3 |
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
| 酸碱废气依托现有酸碱吸收塔处理；生产****处理站处理；纯水站、化学品库、危废库依托现有 | 验收阶段落实情况：酸碱废气依托现有酸碱吸收塔处理；生产****处理站处理；纯水站、化学品库、危废库依托现有 |
| / |
环保搬迁
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
区域削减
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
生态恢复、补偿或管理
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
功能置换
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
其他
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
6、工程建设对项目周边环境的影响
| / |
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7、验收结论
| 1 | 未按环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施，或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书（表）经批准后，该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动，建设单位未重新报批环境影响报告书（表）或环境影响报告书（表）未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成，或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目，无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目，其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚，被责令改正，尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实，内容存在重大缺项、遗漏，或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。
2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。
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