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FIB试验
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其他
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件号:1;规格:1;状态/交货状态:可协助定位芯片的物理失效分析和电路编辑调试;附加技术条件:观察特定位置的晶体管结构、金属连线、介电层是否存在异物、空洞、形变或击穿等缺陷;利用FIB-SEM系统中的被动电压衬度成像技术,快速定位电路中的开路或短路点;通过FIB的“切”与“连”,修改原型芯片设计、修复制造缺陷,或将内部信号点引出到表面,方便用探针进行内部信号探测,从而定位参数异常的具体电路模块
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1.0
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次
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一次性交货
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****0110
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