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瞬态电压抑制二极管
招标详情
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400-688-2000
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***********公司企业信息
需求量:240.0个 规格描述:型号/件号:脉冲峰值功率：350W；击穿电压（V）：4；钳位电压：8.5V；峰值电流：8A；反向工作电压：3.3V；封装尺寸：SOD-323；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：
询价基本信息
询价单名称：
易选平台二三极管
采购企业：
****研究院
询价人姓名：
王星彤
对供应商的要求：
报价要求
比价结果有效期：
2026-06-29
合同/报价截止时间： 标书代写
2025-12-31
报价要求：
含税报价
允许变更商品规格报价
允许变更品牌/制造商报价
允许部分报价
允许多个报价方案
报价价格类型：
到厂价
币种：
人民币
付款方式：
验收合格后付款
交货地址：
**省**市**区**路166号
补充说明：
无
询价附件：
询价商品或服务详情
| 1 | 开关二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:反向工作峰值电流：50A；正向电流：150A；正向电压最大值：75V；反向恢复时间最大值：4ns；反向电流最大值：50μA；封装尺寸：LL-35；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 54.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 2 | 电压调整二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：W；工作电压（V）：4.8~5.4V；最大工作电流(A)：；微分电阻最大值：200Ω；反向电流最大值：934μA；封装尺寸：D2-10B；质量等级： J用级；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 108.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 3 | 电压调整二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：W；工作电压（V）：3.2V~4.5V(Iz = 10mA)；最大工作电流(A)：55mA；微分电阻最大值：70Ω；反向电流最大值：2000μA；封装尺寸：DO-35；质量等级：J；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 5.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 4 | PNP型三极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：W；集电极电流：-0.5A；集电极-发射极击穿电压(V)：-50；正向电流传输比：240；集电极-发射极饱和电压：-0.25V；封装尺寸：3*2.8*1.15mm（含引脚）；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 10.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 5 | P沟道增强型场效应管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:漏-源击穿电压：-60V；漏极直流电流：-5A；栅极阀值电压(V)：-2.5~-1.5；导通电阻：0.11Ω；栅极-源极电压(V)：25；封装尺寸：5.15*5.6*1.5mm（含引脚）；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 25.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 6 | 肖特基二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:反向工作峰值电流：4A；正向电流：3A；正向电压最大值：1V；反向恢复时间最大值：35ns；反向电流最大值：4000μA；封装尺寸：SMD05；质量等级：JT；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 10.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 7 | 瞬态电压抑制二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:脉冲峰值功率：350W；击穿电压（V）：4；钳位电压：8.5V；峰值电流：8A；反向工作电压：3.3V；封装尺寸：SOD-323；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 6.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 8 | 电源防反器 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:反向工作峰值电流：0.0002A；正向电流：20A；正向电压最大值：80V；反向恢复时间最大值：0ns；反向电流最大值：200μA；封装尺寸：15.87mm*11.43mm*4.5mm；质量等级： J用级；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 102.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 9 | ESD二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:脉冲峰值功率：50W；击穿电压（V）：7.5；钳位电压：8V；峰值电流：6A；反向工作电压：5.5V；封装尺寸：LGA2.46 X 0.96 X 1.1mm；质量等级：QJB；选型等级：优选；是否VMI：；备注：接触放电：±15kV，空气放电：±16kV；结电容0.72pF；单片8通道；工作温度范围：-55℃ ~ +125℃ | 469.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 10 | 肖特基二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:反向工作峰值电流：0.01A；正向电流：0.35A；正向电压最大值：0.75V；反向恢复时间最大值：1ns；反向电流最大值：500μA；封装尺寸：SOD-323塑封，1.65*1.25*0.9；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 240.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 11 | 瞬态电压抑制二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:脉冲峰值功率：350W；击穿电压（V）：4；钳位电压：8.5V；峰值电流：8A；反向工作电压：3.3V；封装尺寸：SOD-323；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 240.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 12 | 快恢复整流二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:整流输出平均电流：1A；反向工作峰值电压：400V；正向电压最大值：1.44V；正向不重复浪涌电流(A)：；反向电流最大值：30μA；封装尺寸：SMD-0.1陶瓷封装；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 120.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 13 | NPN晶体管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：0.225W；集电极电流：0.6A；集电极-发射极击穿电压(V)：40；正向电流传输比：100；集电极-发射极饱和电压：0.3V；封装尺寸：SOT-23C（3.05mm×2.54mm×1.42mm）；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：否；备注： | 60.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 14 | ESD二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:脉冲峰值功率：50W；击穿电压（V）：7.5；钳位电压：8V；峰值电流：6A；反向工作电压：5.5V；封装尺寸：LGA2.46 X 0.96 X 1.1mm；质量等级：QJB；选型等级：优选；是否VMI：；备注：接触放电：±15kV，空气放电：±16kV；结电容0.72pF；单片8通道；工作温度范围：-55℃ ~ +125℃ | 546.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 15 | 肖特基二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:反向工作峰值电流：0.01A；正向电流：0.35A；正向电压最大值：0.75V；反向恢复时间最大值：1ns；反向电流最大值：500μA；封装尺寸：SOD-323塑封，1.65*1.25*0.9；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 48.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 16 | 快恢复整流二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:整流输出平均电流：1A；反向工作峰值电压：400V；正向电压最大值：1.44V；正向不重复浪涌电流(A)：；反向电流最大值：30μA；封装尺寸：SMD-0.1陶瓷封装；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 32.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 17 | 电压调整二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：W；工作电压（V）：4.8~5.4；最大工作电流(A)：；微分电阻最大值：40Ω；反向电流最大值：10μA；封装尺寸：SMD-0.1；质量等级：GJB；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 51.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 18 | 发光二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:峰值波长(nm)：580-595；发光强度：130mcd；正向电压最大值：2.6V；反向电压：5V；反向电流最大值：10μA；封装尺寸：1.6*0.8*0.6；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：黄色发光二极管 | 34.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 19 | 发光二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:峰值波长(nm)：615-700；发光强度：100mcd；正向电压最大值：2.6V；反向电压：5V；反向电流最大值：10μA；封装尺寸：1.6*0.8*0.6；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注：红色发光二极管 | 34.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 20 | N沟道场效应晶体管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:漏-源击穿电压：60V；漏极直流电流：100A；栅极阀值电压(V)：2~4；导通电阻：0.05Ω；栅极-源极电压(V)：±20；封装尺寸：6.15mm×5.4mm×1.3mm；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：否；备注： | 2.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 21 | 电压调整二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：0.2W；工作电压（V）：6.4～7.2；最大工作电流(A)：0.027；微分电阻最大值：15Ω；反向电流最大值：2μA；封装尺寸：SOD-323；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 164.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 22 | 电压调整二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：0.2W；工作电压（V）：12.4～14.1；最大工作电流(A)：0.013；微分电阻最大值：30Ω；反向电流最大值：0.1μA；封装尺寸：SOD-323；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 248.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 23 | 电压调整二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：1W；工作电压（V）：12.4～13.7；最大工作电流(A)：0.115；微分电阻最大值：7Ω；反向电流最大值：1μA；封装尺寸：DO-214AC；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 42.0 | 个 | 一次性交货 | ||||||
| 24 | NPN晶体管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:总耗散功率：1.2W；集电极电流：2A；集电极-发射极击穿电压(V)：100；正向电流传输比：100～300；集电极-发射极饱和电压：0.25V；封装尺寸：SOT-89；质量等级：G；选型等级：优选；是否VMI：；备注： | 42.0 | 个 | 一次性交货 |
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