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二维薄膜材料（清采比选20252558号）成交结果公告
招标详情
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相关单位：
***********公司企业信息
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成交信息
成交供应商：****
| 二维薄膜材料 | 项目编号**** | |
| 2025-12-26 09:34:44 | 公告截止日期2025-12-29 10:00:00 | |
| **** | 付款方式合同签订后15W，到货后16W，验收合格后4W | |
| 联系电话 | ||
| 到货时间要求 | 签订合同后3个自然日内 | |
| ￥ 350000.00 | ||
| **市**** | ||
| 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
采购清单index
| 二维薄膜材料 | 100 | 个 |
| ￥ 3500.00 |
| 2英寸单层MoS2，20片，单层，厚度小于1nm，N型半导体材料。薄膜覆盖率大于99%，单层率大于95%。硅片（100）晶向。薄膜FET电子迁移率大于60厘米 2/（伏﹒秒）。 2英寸单层MoSe2，20片，单层，厚度小于1nm，N型半导体材料。薄膜覆盖率大于99%，单层率大于80%。C-Plane蓝宝石。薄膜FET电子迁移率大于40厘米 2/（伏﹒秒）。 2英寸单层WSe2，20片，单层，厚度小于1nm，P型半导体材料。C-Plane蓝宝石。薄膜覆盖率大于95%，单层率大于97%。薄膜空穴迁移率大于20厘米 2/（伏﹒秒）。 2英寸单层WS2，20片，单层，厚度小于1nm，N型半导体材料。C-Plane蓝宝石.薄膜覆盖率大于95%，单层率大于97%。薄膜FET电子迁移率大于60厘米 2/（伏﹒秒）。 2英寸少层PtSe2，20片，厚度小于3层，小于2nm， P型半导体材料。硅片（100）晶向。薄膜覆盖率大于99%，均匀性高于0.5nm*100um-2。薄膜FET空穴迁移率大于10厘米 2/（伏﹒秒）。 |
招标进度跟踪
2025-12-29
中标通知
二维薄膜材料（清采比选20252558号）成交结果公告
当前信息
2025-12-26
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