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东南大学 - 竞价公告（CB102862026000036）
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**** - 竞价公告（****）
发布时间：2026-01-12 09:05:08 截止时间：2026-01-15 09:00:00加急标书代写
申购主题： 高纯度镀金属硅片 采购
报价要求： 国产含税
发票类型： 增值税专用发票
付款方式： 货到验收合格后付款
收货地址： **省/**市/**区/****
供应商资质：
备注说明：
送货时间： 合同签订后7天内送达
安装要求： 免费上门安装（含材料费）
预算： 人民币
| 镀铂（Pt）硅片 | 15.0/片 | 奥科亿 | S01-P-F100 | 1、核心工艺：基于高规格单晶硅衬底，通过磁控溅射或电子束蒸发工艺进行表面镀铂。 2、基础参数 a.外形尺寸：8英寸（直径） b.衬底材质：N型单晶硅，晶向(100) c.结构厚度：硅衬底50μm，表面铂层100nm 3、硅衬底关键性能指标 a.几何精度：厚度偏差<1μm；表面粗糙度<0.2nm b.表面状态：热氧化层厚度<1nm c.电学特性：电阻率<0.1Ω*cm^-1；少数载流子寿命≥1000μs d.杂质控制：氧含量≤5.75×10^17 atoms/cm^3；碳含量 ≤5×10^16atoms/cm^3 4、铂镀层质量指标 a.表面处理：单面抛光 b.镀层质量：粗糙度≤0.5nm；金属纯度≥99.99% 5、技术支持要求：需随产品提供基于此硅片的“低残留转移制备低维材料异质结”全套工艺文档，包括详细参数、步骤流程及具体操作实例。 | 质量保证：本产品不提供质保期。 服务内容：中标供应商须提供上门送货及验收协助服务。 服务响应时间：中标供应商接到用户的售后通知后2个小时内响应，派工程师在24小时内到达用户现场进行问题处理，48小时内处理完毕。 | ||
| 镀钯（Pd）硅片 | 15.0/片 | 奥科亿 | S01-PD-F100 | 1、核心工艺：基于高规格单晶硅衬底，通过磁控溅射或电子束蒸发工艺进行表面镀钯。 2、基础参数 a.外形尺寸：8英寸（直径） b.衬底材质：N型单晶硅，晶向(100) c.结构厚度：硅衬底50μm，表面镀钯100nm 3、硅衬底关键性能指标 a.几何精度：厚度偏差<1μm；表面粗糙度<0.2nm b.表面状态：热氧化层厚度<1nm c.电学特性：电阻率<0.1Ω*cm^-1；少数载流子寿命≥1000μs d.杂质控制：氧含量≤5.75×10^17 atoms/cm^3；碳含量≤5×10^16atoms/cm^3 4、钯镀层质量指标 a.表面处理：单面抛光 b.镀层质量：粗糙度≤0.5nm；金属纯度≥99.99% 5、技术支持要求：需随产品提供基于此硅片的“低残留转移制备低维材料异质结”全套工艺文档，包括详细参数、步骤流程及具体操作实例。 | 量保证：本产品不提供质保期。 服务内容：中标供应商须提供上门送货及验收协助服务。 服务响应时间：中标供应商接到用户的售后通知后2个小时内响应，派工程师在24小时内到达用户现场进行问题处理，48小时内处理完毕。 | ||
| 镀钌-铂（Ru-Pt）硅片 | 20.0/片 | 奥科亿 | S01-RP-BF300 | 1、核心工艺：基于高规格单晶硅衬底，通过磁控溅射或电子束蒸发工艺进行表面镀钌-铂。 2、基础参数 a.外形尺寸：8英寸（直径） b.衬底材质：N型单晶硅，晶向(100) c.结构厚度：硅衬底50μm，表面镀钌-铂300nm（先镀钌，再镀铂） 3、硅衬底关键性能指标 a.几何精度：厚度偏差<1μm；表面粗糙度<0.2nm b.表面状态：热氧化层厚度<1nm c.电学特性：电阻率<0.1Ω*cm^-1；少数载流子寿命≥1000μs d.杂质控制：氧含量≤5.75×10^17 atoms/cm^3；碳含量≤5×10^16atoms/cm^3 4、钌-铂镀层质量指标 a.表面处理：单面抛光 b.镀层质量：粗糙度≤0.5nm；金属纯度≥99.99% 5、技术支持要求：需随产品提供基于此硅片的“低残留转移制备低维材料异质结”全套工艺文档，包括详细参数、步骤流程及具体操作实例。 | 质量保证：本产品不提供质保期。 服务内容：中标供应商须提供上门送货及验收协助服务。 服务响应时间：中标供应商接到用户的售后通知后2个小时内响应，派工程师在24小时内到达用户现场进行问题处理，48小时内处理完毕。 |
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2026-01-12
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