开启全网商机
登录/注册
| 化学气象外延反应腔室 | 1.0/套 | **科民 | T-200VC | 1.腔体:加热采用外置加热结构,反应腔体和反应腔盖外侧均有金属加热器,反应腔内侧无加热机构,防止冷凝。 2.样品台和载板:适用于1片最大不超过直径8英寸玻璃或硅片样品镀膜。 3.温度:基片温度上限不得超过150℃,SnO2反应温度不超过100℃,控制精度±1℃; 4.金属源:2路可加热直通源,配置高温快速ALD阀(响应时间<20ms)、手动阀、≥50ml不锈钢源瓶,源瓶及管路加热温度RT-200℃,控制精度±1℃; 5.氧源:1路常温直通源,配置快速ALD阀(响应时间<20ms)、手动阀、≥50ml不锈钢源瓶; 6.预留1个金属源接口、1个臭氧接口; 7.载气系统:2路N2,高精度质量流量计控制,所有前驱体源管路采用316L EP管路+VCR密封,并具有在线清洗功能; 8.整机本底真空<0.05Torr,真空漏率<5E-7Pa﹒L/S; 9.真空管路:腔室抽气端真空管路具有加热功能,加热温度RT-150℃; *10设备高度≤850mm,腔室周边预留有和手套箱对接的法兰和O圈接口,以便与各大国产厂商的手套箱(箱体到地面高度>880mm)对接。对接方式:将ALD设备推入双工位标准手套箱底部后,通过升降脚架将设备整体升高,至设备法兰和和O圈与手套箱箱体底部法兰开口对准后,锁定升降脚架,是得ALD设备和手套箱大腔能够完成密封,ALD设备的反应腔室盖字能够以上开盖的形式开在手套箱内部。 *11在不大于直径8英寸尺寸的载板或样品台内放置碎硅片作为测试片,厂家提供工艺配方,沉积 300 循环氧化锡,膜厚非均匀性NU≤±2%为合格 | 按行业标准提供服务 |