【单一来源公告（指定品牌）】4500V/5000A IGBT水冷半桥组件采购

项目名称：4500V/5000A IGBT水冷半桥组件采购（TG5000SG45ZF-P200、FDD 5000-45）

项目联系方式：

项目联系人：官声强

项目联系电话及邮箱：132****3575，邮箱：****@qq.com

采购单位联系方式：

采购单位：****

联系人和联系方式：刘文涛，029-****9067

联系地址：**市**西路28****大学东一楼233

一、采购项目的名称、数量、简要规格描述或项目基本概况介绍：

1.名称：4500V/5000A IGBT水冷半桥组件（TG5000SG45ZF-P200、FDD 5000-45）

数量：1套

组件特点：

1.包括两只4500V/5000A IGBT器件、两只5000A快恢复二极管、液冷散热夹件及其水路、、4500V/5000A IGBT器件驱动板等，采购的材料及夹件可组装为带反并联二极管的半桥结构，支持用户接入功率循环老化平台、双脉冲动态测试系统等进行破坏性测试。

2.组件各部件结构设计合理，均压装置确保IGBT器件表面压力均匀性，保证IGBT器件受流均匀；

3.组件机械接口、水路接口及驱动接口均为通用接口形式，使用方便，支持用户接入其余辅助设备；

4.组件材料中的功率半导体器件选用IGBT器件型号为TG5000SG45ZF-P200，FRD器件型号为FDD 5000-45，该型号器件是目前国际领先的压接IGBT和FRD器件，现为国内高压柔性直流工程使用的功率半导体器件。

技术参数：

1.半桥组件工作电压：DC≥3000V；

2.驱动板支持外接供电，供电电压：DC15V；

3.工作环境：0℃~50℃，湿度＜95（无凝露）

4.冷却方式：液冷

5.器件型号：两只压接IGBT（型号：TG5000SG45ZF-P200），两只快恢复二极管（型号：FDD 5000-45）

6.支持组件材料组装和外接用户组件进行器件老化试验、短路试验等不可逆破坏实验；

其他需求：

1.提供组件材料安装的设计图纸或STEP文件；

2.组件材料交货期小于等于60天

二、采用单一来源采购方式的原因及相关说明：

1、考核器件的要求：TG5000SG45ZF-P200压接式IGBT项目指定的考核器件，也是目前国内唯一应用于高压柔性直流输电工程的4500V/5000A国产IGBT。

2、配件选择与功能集成：压接式IGBT器件的工作特性与夹件、冷却组件、驱动板、反并联二极管密切相关，为了保证集成后的半桥组件能够真实反映4500V/5000A IGBT的极限性能指标，需要一并提供配套部件。

3、技术资料的完善性：本项目采购的半桥组件用于换流阀可靠性研究，后期数值建模等研究工作需要整体组件的三维结构图纸、典型测试数据等，需提供可提供较为完善的技术资料。

三、拟定的唯一品牌和型号：

品牌：中国中车

型号：4500V/5000A IGBT水冷半桥组件（TG5000SG45ZF-P200、FDD 5000-45）

四、预算金额：

预算金额：160000元

五、如有异议请在公告期内反馈

六、公告时间：五天（包含节假日）

2026年1月16日—2026年1月20日