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详细要求:
1、 模组塑料外壳须标注”Midea”字样,并注明型号:XXX
2、 模块采用HPD封装, 外形与英飞凌HPD不同,内部结构不同,Pin的定义也不同,AMB设计电参数如下:
母线电压最高2050V.
铜层电流密度降低(Id nom=250A;Id pulse=500A)
无内置解耦电容;
SiC芯片数量每个管位4颗芯片并联;
芯片采用铝线键合,SiC芯片与AMB连接采用银烧结工艺;
无pinfin散热器,采用冷板散热,中间涂敷导热硅脂,AMB下铜层焊接铜基板;
电器间隙和爬电距离见附件;
3、 绝缘测试电压:3.5kV Vac
4、 A样品铜基板焊接层空洞率总体3%以内,单个1%以内;样品的铜基板曲率控制目标值暂定在150um以内,最终的曲率控制目标值根据第一版样品焊接调试情况,双方再协商确认。
5、 芯片由甲方统一采买;
6、 交付的样品需要通过模块常温静态测试和绝缘耐压测试。模块常温测试根据乙方现有设备能力测试相关参数。
7、 可行性评估及加工测试阶段和甲方进行两周一次的进度交流(具体时间及形式双方商议);生产期间允许甲方团队参观,参观期间甲方团队遵守乙方的车间基本管理制度
8、 乙方根据甲方设计结构进行加工。如果有部分加工过程,由于实际位置可能不够导致的部分工艺调整,**键合线数目的增减,此类细节会告知甲方。其它部分均可按照甲方要求执行。
9、 加工阶段需考虑批量可生产性,迭代的工艺细节需告知甲方,甲方参与讨论。
可靠性要求见附件。