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湖北江城实验室基础研究实验平台

审批

湖北-武汉

发布时间： 2026年02月02日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0000MB1K342435	杨道虹
刘腾	省**开发区
光谷一路227号

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

****基础研究实验平台	****

2021版本:098-专业实验室、****基地	M7320-M7320-工程和技术研究和试验发展
	省**开发区光谷一路227号
经度:114.**94216 纬度: 30.**02859	****开发区生态环境和水务湖泊局
	2024-02-19
武新环告〔2024〕15号	**0000MB1K**35001Z
2025-09-16	4900
97	****
****0000MB1K342435	****
****0000MB1K342435	湖****公司
****0100MA49J7J06M	2025-09-01

2025-12-30	2026-01-27
	https://gongshi.****.com/h5public-detail?id=494983

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**	**
无变动

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

芯片加工研发500片次/年；微观及性能测试1000份/年	芯片加工研发500片次/年；微观及性能测试1000份/年
无变动

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

项目主要为芯片加工和试验、测试，其中性能分析、微观检测主要是对送检的电子元器件的光电学性能进行测试和物理观测，不会产生污染物。工艺流程简述：涂布：把晶圆放置在均胶机托盘上旋转，将光刻胶涂在晶圆表面；固化：将涂胶后的晶圆在固化机内加热烘干，使光刻胶快速固化稳定；光刻：利用光刻机发出的光，通过具有图形的光罩（掩膜），对涂有光刻胶的薄片曝光，接受到光照的光刻胶的光学性质发生变化，使光罩上的图形复印到薄片上，从而让薄片具有电子线路图的作用。显影：将光刻后的硅片放在平台上，涂抹显影液，显影液溶解光学性质发生变化的光刻胶。通过化学反应将硅片表面的光刻胶进行溶解，从而形成微小的结构。刻蚀：在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的膜层且只留下半导体电路图。实验室主要干法蚀刻，包括使用感应耦合等离子体刻蚀系统（ICP-ETCH）采用化学气体去除多余部分或使用离子束研磨仪（CP）产生等离子体来通过物理溅射的方式去除选定的多余部分。 ①化学刻蚀使用的是刻蚀气体（CF4、CHF3、C4F8、Ar、Cl2、BCl3、O2、He、SF6、N2）等，通过在腔室内通入气体在外部电场作用下解离电子和原子，再结合产生等离子反应性的阳离子轰击基底表面，基底表面吸附反应性离子，被吸附的阳离子和活性粒子和基底表面反应，去除多余的膜层。 ②物理溅射为使用离子束研磨仪产生电场加速等离子体（Ar）中的离子来撞击样品表面，在样品表面产生溅射效应，去除多余的膜层。精细度超过化学刻蚀。薄膜沉积：为了创建芯片内部的微型器件，需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和物理气相沉积(PVD)。本实验室使用包含以上三种方法。 ①物理气相沉积：指通过物理手段形成薄膜。溅射就是一种物理气相沉积方法，本项目主要采用以下两种设备： 1）使用高真空磁控溅射系统(PVD)，利用气体反常辉光放电时气体等离子化产生的离子对阴极的金属靶材轰击，导致靶材原子等颗粒物飞溅出来落在晶圆表面，进而形成薄膜； 2）使用电子束蒸镀，加速电子轰击金属镀膜材料,电子的动能转换成热能使镀膜材料加热蒸发,形成源蒸汽流入射到晶圆表面，最终在衬底凝结形成固态的薄膜； ②化学气相沉积：项目使用等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物。等离子体增强化学气相沉积则需要借助等离子体产生反应气体。 ③原子层沉积：使用原子层沉积系统（ALD)，通过将气相前驱体（TDMAS、DEZ、TMA、TEMAH等）脉冲交替地通入反应器并在基体上化学吸附并反应而形成薄膜。通过供给惰性气体（Ar，N2等）分隔各种反应物，单个原子层沉积，并重复沉积控制厚度。	项目主要为芯片加工和试验、测试，其中性能分析、微观检测主要是对送检的电子元器件的光电学性能进行测试和物理观测，不会产生污染物。工艺流程简述：涂布：把晶圆放置在均胶机托盘上旋转，将光刻胶涂在晶圆表面；固化：将涂胶后的晶圆在固化机内加热烘干，使光刻胶快速固化稳定；光刻：利用光刻机发出的光，通过具有图形的光罩（掩膜），对涂有光刻胶的薄片曝光，接受到光照的光刻胶的光学性质发生变化，使光罩上的图形复印到薄片上，从而让薄片具有电子线路图的作用。显影：将光刻后的硅片放在平台上，涂抹显影液，显影液溶解光学性质发生变化的光刻胶。通过化学反应将硅片表面的光刻胶进行溶解，从而形成微小的结构。刻蚀：在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的膜层且只留下半导体电路图。实验室主要干法蚀刻，包括使用感应耦合等离子体刻蚀系统（ICP-ETCH）采用化学气体去除多余部分或使用离子束研磨仪（CP）产生等离子体来通过物理溅射的方式去除选定的多余部分。 ①化学刻蚀使用的是刻蚀气体（CF4、CHF3、C4F8、Ar、Cl2、BCl3、O2、He、SF6、N2）等，通过在腔室内通入气体在外部电场作用下解离电子和原子，再结合产生等离子反应性的阳离子轰击基底表面，基底表面吸附反应性离子，被吸附的阳离子和活性粒子和基底表面反应，去除多余的膜层。 ②物理溅射为使用离子束研磨仪产生电场加速等离子体（Ar）中的离子来撞击样品表面，在样品表面产生溅射效应，去除多余的膜层。精细度超过化学刻蚀。薄膜沉积：为了创建芯片内部的微型器件，需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和物理气相沉积(PVD)。本实验室使用包含以上三种方法。 ①物理气相沉积：指通过物理手段形成薄膜。溅射就是一种物理气相沉积方法，本项目主要采用以下两种设备： 1）使用高真空磁控溅射系统(PVD)，利用气体反常辉光放电时气体等离子化产生的离子对阴极的金属靶材轰击，导致靶材原子等颗粒物飞溅出来落在晶圆表面，进而形成薄膜； 2）使用电子束蒸镀，加速电子轰击金属镀膜材料,电子的动能转换成热能使镀膜材料加热蒸发,形成源蒸汽流入射到晶圆表面，最终在衬底凝结形成固态的薄膜； ②化学气相沉积：项目使用等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物。等离子体增强化学气相沉积则需要借助等离子体产生反应气体。 ③原子层沉积：使用原子层沉积系统（ALD)，通过将气相前驱体（TDMAS、DEZ、TMA、TEMAH等）脉冲交替地通入反应器并在基体上化学吸附并反应而形成薄膜。通过供给惰性气体（Ar，N2等）分隔各种反应物，单个原子层沉积，并重复沉积控制厚度。
无变动

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

器件加工区实验废气经科研设备自配的Scrubber一级处理后再收集经管道送至碱液洗涤塔处理设备进行二级处理，经25米高排气筒(DA001）引至楼顶高空排放；清洗间有机废气、光刻间有机废气经集气罩或通风橱收集，通过活性炭吸附装置处理后，接入22米高排气筒（DA002）引至楼顶高空排放。本项目生产废水不外排，全部作为废液交资质单位处置；生活污水和纯水制备浓水排入化粪池处理，****处理厂接管水质标准后排入市政污水管网。选用低噪声设备，对高噪声设备合理布局并采取隔音、消声等有效降噪措施。设置一般工业固体废物暂存区，一般固废收集后定期外售。建设规范化危废暂存间1座，面积5m2，危废间地面采取重点防渗措施，危险废物暂存于危废暂存间，定期交由有资质单位处理。	器件加工区实验废气经科研设备自配的Scrubber一级处理后再收集经管道汇同酸碱通风橱清洗废气送至碱液洗涤塔处理设备进行二级处理，经21米高排气筒(DA001）高空排放；清洗间有机废气、光刻间有机废气经集气罩或通风橱收集，通过活性炭吸附装置处理后，接入21米高排气筒（DA002）高空排放。生活污水和纯水制备浓水经化粪池处理后经市政管**处理厂；实验过程中产生的清洗废水、园区处理站进行处理后经市政管处理厂。选用低噪声设备，对高噪声设备合理布局并采取隔音、消声等有效降噪措施。公司公司的一般工业固体废物暂存区，一般固废收集后定期外售。公司**公司的危废暂存间，危废间地面采取重点防渗措施，危险废物暂存于危废暂存间，定期交由有资质单位处理。
（1）本项目环评期间预估有氯气使用，故要求DA001排气筒高度不得低于25m，实际建设过程取消了氯气的使用环节，且本项目的排放口均属于“一般排放口”，排放高度由22m降低至21m，该变动不属于重大变动。（2）将清洗间的通风橱分为有机清洗通风橱和酸碱清洗通风橱，有机清洗废气汇同光刻间有机废气并入活性炭吸附装置收集；酸碱清洗废气汇同器件加工区实验废气并入洗涤塔处理，废气处理路径相较环评更贴合环保要求，且保证了处理有效性。（3）本项目实验过程不使用水，仅器具清洗过程需要用水，清洗过程均在清洗间的通风橱内完成，有机清洗过程产废主要为挥发性有机废气和有机废水，酸碱清洗过程产生酸碱废水及酸碱废气。环评拟定全部纳入危废处理，**园区处理站进行处理，外园区其他企业产废的种类，且不涉及一类污染物，均为“间接排放”，不属于重大变更。（4）危废**公司进行管理

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

实验室室内消火栓系统、火灾自动报警及联动系统、电气消防，编制突发环境事件应急预案，定期开展应急演练和培训。	实验室室内消火栓系统、火灾自动报警及联动系统、电气消防，编制突发环境事件应急预案，定期开展应急演练和培训。
无变动

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

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0.0108	0.011	0.011	0.011	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

****电子行****处理站

《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）表1****处理厂进水水质要求

****园区严格执行雨污分流，****园区雨水管网排放至厂区外雨水管网，尾水排放至汤逊湖。 ****园区化粪池处理后、经厂区废水总排口，排入市政污水管****处理厂处理，尾水排入长江。实验室酸碱清洗过程产生有机废水及****园区****处理站进行专业处理，达到《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）表1****处理厂进水水质要求两者取严后，经市政管****处理厂，尾水排入长江（**段）

本次验收期间，五日生化需氧量、动植物油满足《污水综合排放标准》（GB8978-1996）中三级标准；pH、悬浮物(SS)、石油类、化学需氧量、总有机碳、氨氮、总氮、总磷、阴离子表面活性剂(LAS)、总氰化物满足《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）表 1 中“间接排放”****处理厂进水水质标准中较严格限值

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

1	酸碱通风橱+喷淋塔+21m排气筒	GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》表 2 二级；《恶臭污染物排放标准》（GB14554-1993）表 2	器件加工区工艺废气主要包括化学气相沉积废气（含 ALD 废气、PECVD 废气）以及刻蚀废气，其中化学气相沉积废气主要污染物为氟化物和氨，项目采用干法刻蚀，刻蚀废气主要污染物为氟化物。经预处理后的废气在离心风机作用下抽引到喷淋塔，与喷淋管喷出的碱液（10%的 NaOH 溶液）相接触，酸性气体和水溶性气体在碱液中能充分混合使其发生良好的化学中和反应和吸收，处理后的废气通过21米高排气筒（DA001）高空排放，同时项目在清洗间内使用了少量的酸液进行清洗作业，产生的少量酸性废气一并通过酸碱通风橱收集后经喷淋塔处理再经21米高排气筒（DA001）高空排放	本次验收监测期间，DA001排放口的氟化物、氯化氢、硫酸雾排放浓度和速率满足GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》表 2 二级要求，氨的排放速率满足《恶臭污染物排放标准》（GB14554-1993）表 2 限值。
2	有机通风橱+二级活性炭吸附装置+21m排气筒	《**委员会关于印发市空气质量改善规划（2023-2025 年）的通知》武环委[2023]4 号“项目车间或者生产设施排气筒非甲烷总烃按照电子工业不超过50毫克/立方米标准进行控制”	芯片在光刻过程中使用的光刻胶、显影液等会挥发产生有机废气（VOCs），项目清洗间使用丙酮、异丙醇、乙醇、丙醇、甲醇、光刻胶剥离剂等有机溶剂，清洗过程中会产生有机废气，光刻废气在密闭反应容器中全部收集，清洗过程废气在有机通风橱内进行，废气经收集后通过活性炭装置吸附处理后，经21米高排气筒（DA002）高空排放。	本次验收监测期间，DA002排放口的非甲烷总烃排放浓度均满足《**委员会关于印发市空气质量改善规划（2023-2025 年）的通知》武环委[2023]4 号“项目车间或者生产设施排气筒非甲烷总烃按照电子工业不超过50毫克/立方米标准进行控制”的要求，排放速率满足《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表 2 二级要求；本次验收监测期间，厂界无组织废气排放监控点的非甲烷总烃排放浓度均满足《大气污染物综合排放标准》GB16297-1996表 2 无组织要求。厂内非甲烷总烃满足《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB 37822-2019）中表A.1 标准限值。

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

设置基础减震，同时厂房或设备间隔声

《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB 12348-2008）中3类、4类

本项目噪声主要来自实验设备运转时产生的噪声，除废气处理设施位于室外，其余噪声设备均设置于厂房内，通过设置基础减震，同时厂房或设备间隔声，再通过使更高噪声的设备尽量远离建筑室内边界及厂界等合理布局后，可有效控制厂界噪声，

本次监测期间，项目厂界噪声监测结果均满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB 12348-2008）中3类、4a类标准限值要求

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

设置一般工业固体废物暂存区，一般固废收集后定期外售。建设规范化危废暂存间1座，面积5m2，危废间地面采取重点防渗措施，危险废物暂存于危废暂存间，定期交由有资质单位处理。生活垃圾交由环卫部门处理。

（1）办公生活垃圾存放至垃圾存放箱内，定期由当地环卫部门进行清运；（2）一般工业固废：主要包括废芯片、废靶材、废包装物等，****公司**星辰的一般固废暂存间分类收集后交由环卫部门进行清运或外售给物资回收单位；（3）危险废弃物：本项目产生的危险废物为HW49（900-039-49）废活性炭、HW49（900-041-49）废包装容器、HW49（900-041-49）沾染化学品的擦拭物等。为便于集中管理，****公司****公司协议，依托**星辰建设的规****实验室危废的贮存，****公司进行定期清运处理。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程