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基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化

审批

陕西-西安

发布时间： 2026年02月15日

项目详情

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基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化

项目代码: ****

项目名称: 基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化

单位名称: ****

项目法人: 罗义

建设地点: **省**市高新区骏业路3902号

申报单位经济类型:

项目所属行业: 信息传输、软件和信息技术服务业-软件和信息技术服务业-集成电路设计-集成电路设计

项目总投资: 9000（万元）

建设性质: 技改及其他

计划开工时间: 202602

审核状态: 审核通过

建设规模及内容: 本项目计划购置设备及软件共计20余台/套，包括：器件仿真、电路仿真及电磁仿真等专业设计软件；工业CT、KGD测试系统、高低温低气压试验箱等测试设备；以及定制用于工艺实现的新一代光刻掩模版，主要用于SGT-MOSFET产品设计与测试验证，以保障流片产品的性能与可靠性。(该备案为告知性备案，****管理部门职责的，****管理部门意见为准)。

温馨提示

1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。

2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。

3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。

400-688-2000

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