基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化

审批
陕西-西安
发布时间: 2026年02月15日
项目详情
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基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化
项目代码: ****

项目名称: 基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化

单位名称: ****

项目法人: 罗义

建设地点: **省**市高新区骏业路3902号

申报单位经济类型:

项目所属行业: 信息传输、软件和信息技术服务业-软件和信息技术服务业-集成电路设计-集成电路设计

项目总投资: 9000(万元)

建设性质: **

计划开工时间: 202602

审核状态: 审核不通过

建设规模及内容: 项目将企业自主开发的4MASK工艺SGT-MOSFET产品依托国内先进产能完成流片与产业化落地。购置测试设备及软件包括:工业CT、KGD测试系统、高低温低气压试验箱等测试设备,引入器件仿真、电路仿真及电磁仿真专业软件,强化设计端与工艺端的协同优化能力;同时定制新一代光刻掩模版,打通从设计、制造到封测的国产链条,实现高性能SGT-MOSFET芯片及其产品的规模化量产。

温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展,属于前期项目。
2.根据该项目的描述,可依据自身条件进行选择和跟进,避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设,也可继续跟踪,项目可能还有其他相关后续工程与服务。