开启全网商机
登录/注册
项目名称: 基于自主成熟4MASK工艺的SGT-MOSFET芯片研发和产业化
单位名称: ****
项目法人: 罗义
建设地点: **省**市高新区骏业路3902号
申报单位经济类型:
项目所属行业: 信息传输、软件和信息技术服务业-软件和信息技术服务业-集成电路设计-集成电路设计
项目总投资: 9000(万元)
建设性质: **
计划开工时间: 202602
审核状态: 审核不通过
建设规模及内容: 项目将企业自主开发的4MASK工艺SGT-MOSFET产品依托国内先进产能完成流片与产业化落地。购置测试设备及软件包括:工业CT、KGD测试系统、高低温低气压试验箱等测试设备,引入器件仿真、电路仿真及电磁仿真专业软件,强化设计端与工艺端的协同优化能力;同时定制新一代光刻掩模版,打通从设计、制造到封测的国产链条,实现高性能SGT-MOSFET芯片及其产品的规模化量产。