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| **** | 建设单位代码类型:|
| 913********4951362 | 建设单位法人:肖智轶 |
| 王先永 | 建设单位所在行政区划:**省**市**市 |
| ****开发区龙腾路112号 |
| ****晶圆级高端封装测试产品生产扩建项目 | 项目代码:**** |
| 建设性质: | |
| 2021版本:082-电子器件制造 | 行业类别(国民经济代码):C3973-C3973-集成电路制造 |
| 建设地点: | ******市 ******市 |
| 经度:121.065000 纬度: 31.390278 | ****机关:****审批局(**环评审批) |
| 环评批复时间: | 2020-10-23 |
| 苏行审环评〔2020〕41044号 | 本工程排污许可证编号:913********4951362001V |
| 2025-05-15 | 项目实际总投资(万元):280920 |
| 7175 | 运营单位名称:**** |
| 913********4951362 | 验收监测(调查)报告编制机构名称:******公司 |
| 913********678518J | 验收监测单位:******公司 |
| 913********678518J | 竣工时间:2025-05-06 |
| 2025-05-07 | 调试结束时间:2025-05-12 |
| 2026-01-16 | 验收报告公开结束时间:2026-02-12 |
| 验收报告公开载体: | http://www.****.cc/index.php?s=/Index/newItem/id/423/pid/41.html |
| 扩建 | 实际建设情况:扩建 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 年加工FC66亿颗、12英寸TSV 36万片、Bumping(晶圆级凸点封装)84万片、WLCSP36万片 | 实际建设情况:年加工FC66亿颗、12英寸TSV 36万片、Bumping(晶圆级凸点封装)84万片、WLCSP36万片 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| TSV 生产工艺:光玻璃清洗-围堰制作-晶圆玻璃压合-晶圆减薄-蚀刻图形制作-晶圆蚀刻-钝化-打孔-溅镀铜/钛-电镀铜-线路图制作-制作金属线路-阻焊油里制作-印锡-印型号-切割-品检包装; FC 工艺流程:晶园-检验-减薄+划片-倒装上芯、回流焊-塑封-切中筋-热煮软化-锡化-锡化后烘烤-激光打印-成型分离-外观检验-测试-检验包装; WLCSP工艺:晶圆-酸洗-水洗-植球-回流焊-清洗-水洗-正面揭膜-晶圆研磨-正面揭膜-背面贴膜-烘烤-激光打印-贴膜-烘烤-激光切割-刀片切割-编带-外观检查; Bumping 工艺:晶圆清洗-晶图钝化-溅镀钛/铜-凸点图形制作-金属沉积-去除光刻胶-去除种子层-焊料成球-品检、包装。 | 实际建设情况:TSV 生产工艺:光玻璃清洗-围堰制作-晶圆玻璃压合-晶圆减薄-蚀刻图形制作-晶圆蚀刻-钝化-打孔-溅镀铜/钛-电镀铜-线路图制作-制作金属线路-阻焊油里制作-印锡-印型号-切割-品检包装; FC 工艺流程:晶园-检验-减薄+划片-倒装上芯、回流焊-塑封-切中筋-热煮软化-锡化-锡化后烘烤-激光打印-成型分离-外观检验-测试-检验包装; WLCSP工艺:晶圆-酸洗-水洗-植球-回流焊-清洗-水洗-正面揭膜-晶圆研磨-正面揭膜-背面贴膜-烘烤-激光打印-贴膜-烘烤-激光切割-刀片切割-编带-外观检查; Bumping 工艺:晶圆清洗-晶图钝化-溅镀钛/铜-凸点图形制作-金属沉积-去除光刻胶-去除种子层-焊料成球-品检、包装。 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 废水:扩建项目生产废水排放量为751176吨/年,主要包括切割废水、研磨废水、酸碱废水、含镍废水、重金属废水、含氟废水、含氰废水、其他综合废水。厂内新增含镍/重金属废液处理系统、有机废液处理系统,同时增加研磨废水中水回用处理工艺,切割废水处理系统反冲洗水进入研磨废水系统化学沉降段处理,削减废水排放量72950吨/年。废气:扩建项目废气主要包括酸碱废气、有机废气、含尘废气、锅炉燃料****处理站生化段废气。其中,1#车间酸碱废气经碱液喷淋塔处理(氟化物经等离子处理器预处理,含氰废气经专用碱喷淋塔处理)后通过30m高排气筒排放,2#车间酸碱废气经碱液喷淋塔处理后通过30m高排气筒排放;1#车间有机废气经水喷淋+沸石+RTO处理后通过30m高排气筒排放,2#车间有机废气经水喷淋+二级活性炭吸附塔处理后通过25m高排气筒排放;含尘废气经滤筒除尘后通过30m高排气筒排放;锅炉燃料燃烧废气通过30m高排气筒直接排放;废水处理站生化段废气加盖处理,收集后经碱液喷淋塔处理后通过30m高排气筒排放。颗粒物、锡及其化合物、硫酸雾、氟化物、异丙醇、氰化物、非甲烷总烃、TVOC、氨执行**省《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747—2020)表3标准;沸石+RTO处理装置天然气燃烧废气烟尘、二氧化硫、氮氧化物排放执行**省《工业炉窑大气污染物排放标准》(DB32/3728-2019)表1标准;废水处理站硫化氢排放执行《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表1、表2标准;锅炉天然气燃烧废气烟尘、二氧化硫排放执行《锅炉大气污染物排放标准》(GB13271-2014)表3标准,氮氧化物参照执行《长三角地区2018-2019年秋冬季大气污染综合治理攻坚行动方案》低氮改造要求,即氮氧化物排放不高于50mg/m3。噪声:噪声执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348一2008)3类声功能区标准,白天≤65分贝,夜间≤55分贝。固废:固体废弃物必须妥善处置或利用,不得排放。危险废物必须委托具备危险废物处理经营许可证的单位进行处理,并执行危险废物转移联单制度。 | 实际建设情况:废水:华天科技生产废水和生活污水分开排放,生活污水与生产废水无混排风险,在监测期间,生产废水中污染物pH值(无量纲)、化学需氧量、总磷、总氮、氨氮、总氰化物、铜、悬浮物、氟化物、钛、银、镍监测值达到《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表1间接排放标准限值,悬浮物、氟化****开发区琨澄****公司接管标准。其中含镍废水车间排放口中镍因子及含银废水车间排放口中银因子均未检出,达到《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表1间接排放标准限值。生产废水总量未超过环评总量。废气:项目生产过程中颗粒物、锡及其化合物、硫酸雾、氟化物、异丙醇、氰化物、非甲烷总烃、氨达到《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020中表3标准;项目沸石+RTO处理装置RTO燃烧系统天然气燃烧产生的烟尘、二氧化硫、氮氧化物达到《工业炉窑大气污染物排放标准》(DB32/3728-2019)表1;废水处理设施产生硫化氢达到《恶臭污染物厂界标准值》(GB14554-93)表1、表2标准;锅炉天然气燃烧废气烟尘、二氧化硫、氮氧化物排放达到《锅炉大气污染物排放标准》(GB13271-2014)表3标准。噪声:厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB 12348-2008)3类标准。固废:企业按照《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2023)建设危险废物暂存场所,分隔不同的区间分类别存储危险废物,在危险废物收集、贮存、运输、处置过程严格做好防渗、防雨、防漏措施。本项目危险废物均委托有资质单位处置,不会造成对环境的二次污染。 |
| 现有2号厂房有机废气治理措施提升改造(由原来的水喷淋+活性炭吸附装置改为沸石+RTO),原有活性炭吸附塔作为备用系统。企业已于2022年9月16日完成废气治理设施优化情况的建设项目环境影响登记表备案(备案表见附件),项目产生的有机废气主要来自有机物表面清洗、光刻显影以及助焊剂涂布工序,本次产污环节与原环评保持一致,废气中有机物质通过沸石+RTO被高温氧化成水和二氧化碳,RTO燃烧室天然气连续燃烧,产生的氮氧化物、颗粒物、二氧化硫毒性、挥发性较低,且污染物总量在环评总量中平衡;变动后减少了活性炭用量,危废产生量减少。 废水处理新增氟化物处理系统。环评中含氟废水进入重金属废水处理系统B处理后进行后续处理,重金属废水处理工艺主要分为膜处理工艺、化学沉淀工艺以及高压膜工艺,主要处置重金属废水,对含氟废水基本不处理,新增氟化物处理系统对含氟废水中氟化物进行处理,处理后接入酸碱废水处理系统进行后续处理,废水产生量不变,污染物总量在在环评总量中平衡。 | 是否属于重大变动:|
| / | 实际建设情况:/ |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 0 | 544000 | ****458 | 0 | 0 | 544000 | 544000 | |
| 0 | 5.304 | 260.09 | 0 | 0 | 5.304 | 5.304 | |
| 0 | 0.0499 | 1.801 | 0 | 0 | 0.05 | 0.05 | |
| 0 | 0.0143 | 1.632 | 0 | 0 | 0.014 | 0.014 | |
| 0 | 1.028 | 3.096 | 0 | 0 | 1.028 | 1.028 | |
| 0 | 2.72 | 104.71 | 0 | 0 | 2.72 | 2.72 | |
| 0 | 0 | 0.08 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0.1496 | 1.41 | 0 | 0 | 0.15 | 0.15 | |
| 0 | 0 | 0.0002 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0.015 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0.033 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | / |
| 0 | 0 | 0.042 | 3.14 | 0 | -3.14 | -3.14 | / |
| 0 | 0 | 0.0171 | 10.682 | 0 | -10.682 | -10.682 | / |
| 0 | 0 | 2.099 | 3.608 | 0 | -3.608 | -3.608 | / |
| 0 | 0 | 8.99 | 14.182 | 0 | -14.182 | -14.182 | / |
| 0 | 0 | 0.64 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0.0385 | 2.336 | 0 | 0 | 0.038 | 0.038 | / |
| 0 | 1.28 | 2.24 | 0 | 0 | 1.28 | 1.28 | / |
| 0 | 0 | 0.0174 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0.0012 | 0.19 | 0 | 0 | 0.001 | 0.001 | / |
| 0 | 0.084 | 1.62 | 0 | 0 | 0.084 | 0.084 | / |
| 0 | 0 | 0.17 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 1 | 废水处理站 | 本项目生产****开发区琨澄****公司接管标准和《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表1、表2 | 废水处理站 | 生产废水中污染物pH值(无量纲)、化学需氧量、总磷、总氮、氨氮、总氰化物、铜、悬浮物、氟化物、钛、银、镍监测值达到《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表1间接排放标准限值,悬浮物、氟化****开发区琨澄****公司接管标准。其中含镍废水车间排放口中镍因子及含银废水车间排放口中银因子均未检出,达到《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表1间接排放标准限值。回用水水质达到企业工艺用水水质要求。 | |
| 2 | P3-4#(依托现有水喷淋+活性炭) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3 | P3-4#(依托现有水喷淋+活性炭) | P3-4#排气筒中氨最大排放浓度为0.65mg/Nm3,小于限值10mg/Nm3,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求,硫化氢未检出。 |
| 1 | P2-1#排气筒(3套依托现有碱液喷淋) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3 | P2-1#排气筒(3套依托现有碱液喷淋) | P2-1#排气筒中硫酸雾因子未检出,颗粒物最大排放浓度为1.23mg/Nm3,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求 | |
| 2 | P2-2#(依托现有3套沸石+RTO) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3;《工业炉窑大气污染物排放标准》DB32/3728-2019表3 | P2-2#(依托现有3套沸石+RTO) | P2-2#排气筒中异丙醇、非甲烷总烃、锡及其化合物、颗粒物最大排放浓度分别为2.78mg/Nm3、9.61mg/Nm3、2.89×10-3mg/Nm3,小于限值40mg/Nm3、50mg/Nm3、1.0mg/Nm3,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求。二氧化硫和氮氧化物未检出,颗粒物最大排放浓度为1.2mg/Nm3,小于限值20mg/Nm3,满足《工业炉窑大气污染物排放标准》DB32/3728-2019表3浓度限值要求。 | |
| 3 | P2-6#(依托现有滤筒除尘) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3 | P2-6#(依托现有滤筒除尘) | P2-6#排气筒中颗粒物最大排放浓度为1.2mg/Nm3,小于限值20mg/Nm3,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求。 | |
| 4 | P3-1#(依托现有3套碱液喷淋) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3 | P3-1#(依托现有3套碱液喷淋) | P3-1#排气筒中氟化物最大排放浓度为0.11mg/Nm3,小于限值1.5mg/Nm3,氰化氢、硫酸雾、氮氧化物未检出,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求。 | |
| 5 | P3-2#(依托现有3套沸石+RTO) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3;《工业炉窑大气污染物排放标准》DB32/3728-2019表3 | P3-2#(依托现有3套沸石+RTO) | P3-2#排气筒中异丙醇、非甲烷总烃最大排放浓度为分别为0.171mg/Nm3、6.51mg/Nm3,小于限值40mg/Nm3、50mg/Nm3,锡及其化合物未检出,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求;二氧化硫、氮氧化物未检出,颗粒物最大排放浓度为1.2mg/Nm3,小于限值20mg/Nm3,满足《工业炉窑大气污染物排放标准》DB32/3728-2019表3浓度限值要求。 | |
| 6 | P3-3#(依托现有滤筒除尘) | 《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3 | P3-3#(依托现有滤筒除尘) | P3-3#排气筒中颗粒物最大排放浓度为1.1mg/Nm3,小于限值20mg/Nm3,满足《半导体行业污染物排放标准》DB32/3747-2020表3浓度限值要求。 | |
| 7 | P2-4# | 《锅炉大气污染物排放标准》(GB13271-2014)表3 | P2-4# | P2-4#排气筒中颗粒物、二氧化硫、氮氧化物最大排放浓度分别为1.7mg/Nm3、6mg/Nm3、20mg/Nm3,小于限值20mg/Nm3、50mg/Nm3、50mg/Nm3,满足《锅炉大气污染物排放标准》(GB13271-2014)表3浓度限值要求。 |
| 1 | 减振、隔声和消声 | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准 | 减振、隔声和消声 | 厂界四周昼间、夜间噪声监测值均符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准。 |
| 1 | 固体废弃物必须妥善处置或利用,不得排放。危险废物必须委托具备危险废物处理经营许可证的单位进行处理,并执行危险废物转移联单制度。 | 企业按照《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2023)建设危险废物暂存场所,分隔不同的区间分类别存储危险废物,在危险废物收集、贮存、运输、处置过程严格做好防渗、防雨、防漏措施。本项目危险废物均委托有资质单位处置,不会造成对环境的二次污染。 |
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| 1 | 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |