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| 表面活化晶圆键合设备 | |
| 项目所在采购意向: | ****2026年6月政府采购意向 |
| 采购单位: | **** |
| 采购项目名称: | 表面活化晶圆键合设备 |
| 预算金额: | 800.000000万元(人民币) |
| 采购品目: |
A****0000-设备_A****0000-电工、电子生产设备_A****0300-电子工业生产设备
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| 采购需求概况 : |
W波段GaN功率器件采用异质材料键合技术路线。目前实现材料键合的工艺方案较多,主要有阳极键合、共晶键合、金属扩散键合、直接键合、聚合物键合、熔融与混合键合和瞬时液相键合等。本技术方案中N极性GaN外延功能层中的产生的热量需要通过金刚石优异的导热性能传导出去,因此在键合界面中提供中间层的方案不能体现本项目技术路线的最大优势。目前最可性的是通过离子活化处理的室温晶圆键合方案。
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| 预计采购时间: | 2026-06 |
| 备注: | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写