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| 原子层刻蚀机 | |
| 项目所在采购意向: | ****2026年6月政府采购意向 |
| 采购单位: | **** |
| 采购项目名称: | 原子层刻蚀机 |
| 预算金额: | 490.000000万元(人民币) |
| 采购品目: |
A****0000-设备_A****0000-电工、电子生产设备_A****0300-电子工业生产设备
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| 采购需求概况 : |
传统ICP刻蚀工艺由于RF功率较大,高能活性离子或自由基在刻蚀去除材料的同时,也会使材料浅表层存在大量的刻蚀损伤,如悬挂键、失配的晶格结构、残留的刻蚀副产物等。这些会严重影响器件性能。低损伤刻蚀技术是解决这一问题的关键。原子层刻蚀技术主要通过两步法实现材料去除,第一步先对材料表面活化,是表层材料键能降低。第二步通过低能量的活性粒子刻蚀表层材料,由于活性粒子的能量低,只能反应去除表面活化的材料。因此相较于ICP刻蚀工艺可以极大降低刻蚀损伤的引入,提升接触电极区材料表面质量。
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| 预计采购时间: | 2026-06 |
| 备注: | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写