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蒸发台
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***********公司企业信息
****2026年6月政府采购意向-蒸发台 详细情况
| 蒸发台 | |
| 项目所在采购意向： | ****2026年6月政府采购意向 |
| 采购单位： | **** |
| 采购项目名称： | 蒸发台 |
| 预算金额： | 300.000000万元(人民币) |
| 采购品目： |
A****0000-设备_A****0000-电工、电子生产设备_A****0300-电子工业生产设备
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| 采购需求概况 ： |
在W波段GaN器件电路中，为了降低欧姆接触电阻、改善表面形貌，减少肖特基栅的漏电，提高可靠性，需要在常规GaN工艺中加入新的金属体系，如在欧姆接触中引入Mo和W金属低欧姆接触电阻、改善表面形貌，在肖特基栅中引入Cr金属来减少肖特基栅的漏电，提高可靠性等等。新的靶材会陆续增加，而金属之间的交叉污染是必须面对解决的问题。普通的电子束蒸发已经不能满足要求，需要配置电子束、热阻、离子源蒸发等多种蒸发手段的新型蒸发台。同时，W波段电极金属制备厚度要求精确控制到nm，金属膜厚均匀性要求提高到3%。现有工艺平台的电子束蒸发设备已经不能满足工艺要求。购置新的蒸发设备，一方面，可以合理配置金属靶材，避免金属之间的交叉污染，也可以提高蒸发工艺的效率，增加工艺的选择度。另一方面，可以有效控制蒸发速率。所以，为了满足科研的实际需要，实现nm级金属膜的制备要求，避免由于工艺冲突导致的工艺不稳定性的发生，迫切需要添置一台新的蒸发设备。
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| 预计采购时间： | 2026-06 |
| 备注： | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
招标进度跟踪
2026-02-26
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