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杭州镓仁半导体有限公司年产1万片大尺寸高质量氧化镓单晶衬底产业化项目

审批

浙江-杭州-萧山区

发布时间： 2026年03月06日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0109MABYC2XJ4Y	张辉
梁金均	省市**区
省市**区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

****年产1万片大尺寸高质量氧化镓单晶衬底产业化项目	****

2021版本:081-电子元件及电子专用材料制造	C3985-C3985-电子专用材料制造
	省市区机器人小镇鸿兴路 389 号科技园 1 号楼1层北侧
经度:120.34251 纬度: 30.22267	**环境局**分局
	2024-08-28
萧环建〔2024〕122号	****0109MABYC2XJ4Y001Z
2025-03-13	13000
27	****
****0109MABYC2XJ4Y	****
****0109MABYC2XJ4Y	******公司
****0114MA2KL9Q2X3	2025-10-05

2026-01-28	2026-03-02
	http://garen.cc/

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

扩建	扩建
无

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

氧化镓单晶衬底10000片/a	氧化镓单晶衬底10000片/a
无

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

工艺流程说明：配料、烧料：将纯氧化镓颗粒/粉体与二氧化锡、三氧化二铁颗粒/粉体按一定比****公司科研机密）混料后，通过圆柱模具压制成形料饼，在900~1500℃的加热条件下马弗炉内烧结至致密，将烧结好的料块放入铱金坩埚中待后续晶体生长。晶体生长1：本项目利用熔体法进行氧化镓单晶生长，原理为将装有料块的铱坩埚放入设计好温度梯度的热场中，通过中频线圈感应铱金坩埚发热至原料熔点以上（约1800℃），使原料熔化；随后通过前处理工艺获得稳定熔体；最后降低中频感应功率使熔体温度降至熔点以下使熔体结晶，并继续降低功率使晶体冷却至室温。热场以氧化锆砖、氧化锆砂等耐火材料搭建，保护气氛为二氧化碳、氩气、氧气以一定比例组成。晶锭退火：生长获得的氧化镓单晶，由于从高温冷却到常温这一过程中，受到收缩量更大的坩埚产生的挤压应力，同时，晶锭面内局部温差产生热应力，当氧化镓单晶体遇到机械碰撞或受到急冷急热时，氧化镓单晶极易发生解理碎裂。为了消除氧化镓单晶体中的应力，需要对氧化镓单晶体进行退火处理。具体方法为：将氧化镓晶锭放入退火炉内（采用电加热，空气或氩气或氧气气氛退火，由于退火温度不会高于1500℃，因此不会有氮氧化物产生，尾气为无害气氛），在退火炉内升温至900℃-1500℃保持1—100h小时，然后降至室温。晶锭加工：本工序主要是对生长的氧化镓晶锭进行切割，研磨，抛光，清洗等加工流程的作业，从而得到平坦度较好，表面光亮的氧化镓晶片。在切割作业中，主要采用高速运转的金刚线对晶锭进行拉锯分割，切割过程中，采用循环的油性切割液对晶体和金刚线进行冷却。而后采用配制的碳化硅研磨液对切割后的晶片进行粗磨，采用金刚石微颗粒对粗抛后晶片进行精磨，消除晶片表面线切割的损伤层，降低晶片表面的粗糙度；再采用抛光液对晶片进行精抛，得到低粗糙度的氧化镓衬底片。清洗：针对抛光片先采用碱性清洗剂对氧化镓晶片进行超声清洗，去除晶片表面的脏污，最后用酸洗机再次清洗，去除晶片表面的有机脏污。酸洗机工艺根据不同产品要求，可以单一碱洗或者采用碱洗+酸洗，在不同酸洗线上清洗，碱洗采用稀的氢氧化钠清洗，酸洗又分三级酸洗，一级使用10～20%浓度盐酸清洗，二级使用50%左右浓度硫酸加少量双氧水清洗，三级使用1～5%浓度的氢氟酸加少量双氧水清洗，清洗后经纯水洗一次再氮气吹干。晶体生长2：将氧化镓晶锭经过切割、研磨抛工序后加工成单晶衬底，采用气相长晶技术生长氧化镓晶体。相应原理如下：该技术是经由气态的先驱物，通过气相原子，分子间的化学反应，在衬底表面形成晶体的一种长晶技术手段。过程中，通过载气将反应所需的反应气体运输到反应室内，反应物到达衬底表面后被吸附，并在衬底表面发生扩散与相互反应，成核生长，从而得到氧化镓晶体。这种技术可以实现单层或多层结构的氧化镓材料的生长，且易于控制氧化镓晶体的掺杂量（其中硅烷为掺杂气体，根据产品不同要求可加或不加），由于反应物纯度高，反应腔密封，使得生长出的氧化镓纯度较高，易制备出高质量的氧化镓单晶衬底。	工艺流程说明：配料、烧料：将纯氧化镓颗粒/粉体与二氧化锡、三氧化二铁颗粒/粉体按一定比****公司科研机密）混料后，通过圆柱模具压制成形料饼，在900~1500℃的加热条件下马弗炉内烧结至致密，将烧结好的料块放入铱金坩埚中待后续晶体生长。晶体生长1：本项目利用熔体法进行氧化镓单晶生长，原理为将装有料块的铱坩埚放入设计好温度梯度的热场中，通过中频线圈感应铱金坩埚发热至原料熔点以上（约1800℃），使原料熔化；随后通过前处理工艺获得稳定熔体；最后降低中频感应功率使熔体温度降至熔点以下使熔体结晶，并继续降低功率使晶体冷却至室温。热场以氧化锆砖、氧化锆砂等耐火材料搭建，保护气氛为二氧化碳、氩气、氧气以一定比例组成。晶锭退火：生长获得的氧化镓单晶，由于从高温冷却到常温这一过程中，受到收缩量更大的坩埚产生的挤压应力，同时，晶锭面内局部温差产生热应力，当氧化镓单晶体遇到机械碰撞或受到急冷急热时，氧化镓单晶极易发生解理碎裂。为了消除氧化镓单晶体中的应力，需要对氧化镓单晶体进行退火处理。具体方法为：将氧化镓晶锭放入退火炉内（采用电加热，空气或氩气或氧气气氛退火，由于退火温度不会高于1500℃，因此不会有氮氧化物产生，尾气为无害气氛），在退火炉内升温至900℃-1500℃保持1—100h小时，然后降至室温。晶锭加工：本工序主要是对生长的氧化镓晶锭进行切割，研磨，抛光，清洗等加工流程的作业，从而得到平坦度较好，表面光亮的氧化镓晶片。在切割作业中，主要采用高速运转的金刚线对晶锭进行拉锯分割，切割过程中，采用循环的油性切割液对晶体和金刚线进行冷却。而后采用配制的碳化硅研磨液对切割后的晶片进行粗磨，采用金刚石微颗粒对粗抛后晶片进行精磨，消除晶片表面线切割的损伤层，降低晶片表面的粗糙度；再采用抛光液对晶片进行精抛，得到低粗糙度的氧化镓衬底片。清洗：针对抛光片先采用碱性清洗剂对氧化镓晶片进行超声清洗，去除晶片表面的脏污，最后用酸洗机再次清洗，去除晶片表面的有机脏污。酸洗机工艺根据不同产品要求，可以单一碱洗或者采用碱洗+酸洗，在不同酸洗线上清洗，碱洗采用稀的氢氧化钠清洗，酸洗又分三级酸洗，一级使用10～20%浓度盐酸清洗，二级使用50%左右浓度硫酸加少量双氧水清洗，三级使用1～5%浓度的氢氟酸加少量双氧水清洗，清洗后经纯水洗一次再氮气吹干。晶体生长2：将氧化镓晶锭经过切割、研磨抛工序后加工成单晶衬底，采用气相长晶技术生长氧化镓晶体。相应原理如下：该技术是经由气态的先驱物，通过气相原子，分子间的化学反应，在衬底表面形成晶体的一种长晶技术手段。过程中，通过载气将反应所需的反应气体运输到反应室内，反应物到达衬底表面后被吸附，并在衬底表面发生扩散与相互反应，成核生长，从而得到氧化镓晶体。这种技术可以实现单层或多层结构的氧化镓材料的生长，且易于控制氧化镓晶体的掺杂量（其中硅烷为掺杂气体，根据产品不同要求可加或不加），由于反应物纯度高，反应腔密封，使得生长出的氧化镓纯度较高，易制备出高质量的氧化镓单晶衬底。
无

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

1、实行雨污分流、清污分流。厂内不设洗手池和厕所，无生活污水产生，冷却水循环利用，不得外排。 2.工艺废气必须配备处理设施，经收集处理达到《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)二级标准后排放；厂界无组织废气执行《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2中限值标准要求；厂区内无组织废气执行《挥发性有机物无组织排放控制标准》(GB37822-2019)中附录A规定的特别排放限值。 3.厂内高噪声设备必须合理布局，远离敏感点。采取隔声降噪减振措施，确保厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准。 4.固体废弃物必须分类妥善处置，危险废物集中收集后送有资质单位处置，禁止随意丢弃或焚烧，不得产生二次污染。	（一）废水本项目实行雨污分流。厂区内不设职工生活设施，员工依托机器人小镇公用生活卫生设施，不计生活污水的产生及排放。项目生产工艺过程清洗产生的废水、废气喷淋废水等均作废液处置；晶体生长炉和退火炉等设备的冷却用水为间接方式冷却，通过闭式循环水冷却机组冷却后循环使用，定期补充新鲜水，不外排。（二）废气本项目产生的废气主要包括混料粉尘、晶体生长2工艺尾气、酸洗废气、模具和设备擦洗产生的无组织废气等。项目晶体生长2工艺尾气、酸洗废气收集后经1套碱喷淋处理后通过1根18m高排气筒（DA002）排放；混料粉尘、模具和设备擦洗废气在车间内无组织排放。（三）噪声本项目噪声主要为生产及辅助设备运行时产生的噪声。通过合理布局、建筑隔声、加设隔声罩、减震垫和维护保养等措施来降低设备运行时产生的噪声以及对周边环境的影响。（四）固体废物本项目产生的固废主要为废次品、边角料、废金刚线、一般固废废包装和废切削液、废研磨抛光材料、清洗废液、危险废物废包装、废气喷淋废液。一般固废中废次品和边角料、废金刚线、一般固废废包装收集后外售综合利用；生活垃圾由环卫部门统一清运。危废固废中废切削液、废研磨抛光材料、清洗废液、危险废物废包装、废气喷淋废液委托****处置。企业建有危废暂存库，面积约15m2，贴有标识标牌，涂有环氧地坪漆及设有塑料托盘做防渗、防漏处理。
无

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

无	无
无

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

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4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

碱喷淋

符合《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2二级标准

碱喷淋

氟化物:实测浓度＜0.06mg/m3, 排放速率＜5.76×10-5 kg/h ; 氯化氢:实测浓度＜0.9mg/m3, 排放速率＜8.46×10-4 kg/h ;硫酸雾实测浓度＜0.20 mg/m3, 排放速率＜1.83×10-4kg/h.

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

厂内高噪声设备必须合理布局，远离敏感点。采取隔声降噪减振措施

符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准

项目对生产设备采取了加设隔声罩、减震垫的措施来降低噪声对周边环境的影响。

厂界东▲1#，昼间60Leq;夜间46.5Leq;厂界南▲2#昼间57Leq;夜间48Leq;界西▲3#昼间56.5Leq;夜间49Leq;厂界北▲4#昼间60Leq;夜间50Leq

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

固体废弃物必须分类妥善处置，危险废物集中收集后送有资质单位处置，禁止随意丢弃或焚烧，不得产生二次污染。

本项目产生的固废主要为废次品、边角料、废金刚线、一般固废废包装和废切削液、废研磨抛光材料、清洗废液、危险废物废包装、废气喷淋废液。一般固废中废次品和边角料、废金刚线、一般固废废包装收集后外售综合利用；生活垃圾由环卫部门统一清运。危废固废中废切削液、废研磨抛光材料、清洗废液、危险废物废包装、废气喷淋废液委托****处置。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程