招标详情
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400-688-2000
项目名称
| 低温高选择性气相沉积工艺炉 | 项目编号
**** |
公告开始日期
| 2026-03-10 11:25:52 | 公告截止日期
2026-03-17 13:00:00 |
采购单位
| **** | 付款方式
货到付款,甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额 |
联系人
| 联系电话
|
签约时间要求
| 到货时间要求
成交后30个工作日内 |
预算总价
| ¥370000.00 |
发票要求
|
含税要求
|
送货要求
|
安装要求
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收货地址
| ******港校区开物苑3****实验室 |
供应商资质要求
| 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
公告说明
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采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
| 低温高选择性气相沉积工艺炉 |
1 |
台 |
电子工业生产设备 |
品牌
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型号
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预算单价
| ¥ 370000.00 |
技术参数及配置要求
| 1. 极限真空度要求必须达到5×10^-6 Torr以上,且从大气抽至最高极限真空度的总时间不超过30分钟。 2. 加热区数量应≥3个(独立控温),控温精度为±1℃。 3. 质量流量计(MFC)配置不少于4路,控制精度需达到±1%满量程或±0.1 sccm。 4. 内置CNT自动工艺参数:工艺包需包含针对特定催化剂(如Fe、Co、Ni)的自动升温程序。要求现场演示或提供数据证明,在低温条件下(如500-700℃),通过内置参数能够实现碳纳米管的选择性生长,长度可控、直径均匀、且无明显非晶碳杂质的CNT阵列 5. 内置MoS2自动工艺参数:工艺包内置的参数能够通过简单的载气切换(如从纯Ar切换至Ar+H2混合气),自动执行两步生长法。要求现场演示或提供数据证明,证明该内置参数可稳定产出具有清晰界面的单晶异质结,且材料的荧光(PL)光谱显示其具有高质量的晶体特性 6.反应腔体材质:反应管必须是高纯度石英或定制的高温合金,且配备水冷法兰密封系统 7. 压力控制模式:设备需支持常压、低压(LPCVD)和高真空多种模式切换 |
参考链接
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售后服务
| 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;质保期:5年;服务时限:报修后2小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品; |