超高分辨单晶薄膜X射线分析系统

1. X射线光源系统：X射线发生器，功率不小于9kW，额定电流200mA，额定电压45kV，最小光斑尺寸0.4×8mm。 2. 光学编码测角仪: 扫描方式：θ/θ可联动或单动，样品台水平方式；θs轴、θd轴，独立或者联合光学编码控制；高精度光学编码，角度最小步进：1/10000度，测角仪半径：≥300 mm。 3. 光学系统：自动可调入射狭缝：≥0.1～7mm，≤0.01mm步进；自动可调接收狭缝：≥0.1～19mm,≤0.1mm步进；交叉光路系统，实现平行光路和聚焦光路的自动切换，光学器件：多层膜透镜；聚焦晶体，将X射线聚焦到探测器；接收光路： Ge(220)单色器一套；所有光学元件可自由拆卸，系统全自动校正光路，无须人工校准。 4. 多维硅阵列探测器系统。探测器模式：硅阵列光子直读模式。工作模式：零维、一维和二维模式；一维模式探测器通道：一维方向不少于775有效子阵列通道（不计二维）；二维模式有效子探测器通道总数：≥290000个； 最大静态角度范围：≥28度（@测角仪半径为150mm）二维测试模式：静态拍照和扫描两种模式有效面积：≥2800mm2能量分辨率：≤15%(Cu Ka) 5. 标准样品板尺寸：方形35mm×50mm。Z轴调整范围：≥5mm，最小步进：≤0.0001mm；Chi轴调整范围：≥-5 ～+95°，最小步进：≤0.001°；Phi轴调整范围：≥-360 ～ 360°，最小步进：≤0.002°；X轴调整范围：≥-50mm～+50mm，最小步进：≤0.01mm；Y轴调整范围：≥-50mm～+50mm，最小步进：≤0.01mm； 6. In-Plane面内分析系统：系统允许In-Plane面内测试，入射光源以掠入射分析时，探****中心作2theta旋转测试，也可以phi轴旋转测试；即系统除可以作普通的面外2θ/ω测试，还可以进行薄膜掠入射2θ测试和面内2θχ／测试。