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安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目V2空分制氮站房、V3制氢站房和天桥项目工程

审批

重庆-重庆

发布时间： 2026年03月20日

项目详情

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施工许可工程信息

工程名称：安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目V2空分制氮站房、V3制氢站房和**项目工程

项目统一编码： **** 项目统一代码： 2308-500356-04-01-602686

建设单位： **** 建设地址： **高新区西永街道滨河路168号

建筑面积（平方米）： 3923.29 建设规模： 3923.29

合同价格（万元）： 1020 合同工期： 150日历天

勘察单位： ****公司勘察单位项目负责人：杨永昕

设计企业：信****设计研究院****公司设计单位项目负责人：陈海辉

施工企业： **建工****公司项目经理名称：梅闰申

监理企业： ****研究院有限公司总监理工程师：张毕生

承包范围：（V2-1、V2-2、V3-1、V3-2、TQ）基础工程、主体工程、机电设备安装、消防设施安装、给排水安装、空调设备安装、钢结构安装

备注：

发证日期： 2026-03-19 发证机关： ****开发区****建设局

工程所属管辖区域：高新区

温馨提示

1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。

2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。

3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。

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