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| Topmetal时间投影室专用芯片流片服务 | 40.0/颗 | 4875.0 | TSMC 180nm BCD制程下的MPW芯片(40颗) 180nm BCD GenerationII 1.8V/5V制程;支持6层以上metal options。 含划片服务,设计文件定制服务,MPW流片服务。 1)180 nm BCD集成工艺制程; BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一集成电路上。综合双极器件高跨导、 强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的二者性能,可提升探测器的性能并降低功耗。 2)支持1.8/5V核心器件; 3)支持6层以上metal options; 4)具备完整的HVT/SVT/LVT 的**度数字电路单元库, 包括OA格式设计库; 5)具备完整的数字IO库和模拟IO库, 包括OA格式设计库; 6)支持深N阱和深P阱; 7)支持2fF/um的MIM电容; 8)顶层金属厚度40kA 9)支持MIM电容的MIM层在M4与M5之间 10)支持高阻电阻每方块3kohm 11)diode支持70V耐压 12)提供SRAM IP; 13)多平台PDK(Process Design Kit)版本提供,全程PDK使用技术指导及后期验证辅助; 14)全流程协助产品Tapeout流程,包括数据填报,数据上传,DRC/LVS复查。 15)支持5mm x 5mm芯片流片 在满足上述工艺与器件要求的基础上,进行180nm BCD 工艺MPW流片: 1)40颗芯片 2)提供出厂质量监控数据 3)提供PCM(process control monitoring)数据 | 1)需提供免费划片服务。 2)质保期1年。 3)如需减薄,可协助提供免费减薄服务。 |