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| CZT像素探测器 | 5.0/颗 | 15800.0 | 定制 | CdZnTe晶体 | (一)基础规格与结构参数 1.探测器材料:高电阻率、高均匀性CZT(CdZnTe)晶体,室温工作,无制冷要求。 2.外形尺寸:15.5mm×3.1mm×1.0mm,公差≤±0.05mm。 3.像素阵列:20×100阵列,总像素数2000个。 4.单像素尺寸:50μm,像素间距Gap:100μm,一致性偏差≤±2μm。 5.电极工艺:阴极面满镀金属电极;阳极面为像素化电极,电极附着力强、接触电阻低、无氧化脱落。 (二)电学与探测性能 1.电阻率:≥10Ω﹒cm,暗电流低、噪声小。 2.能量分辨率:满足实验室能谱测量要求,典型条件下FWHM符合科研测试标准。 3.探测能区:适配X/γ射线常用能段,覆盖常规核辐射测量范围。 4.漏电流:单像素偏压工作条件下漏电流≤nA量级。 均匀性:全阵列像素响应一致性良好,无死像素、无明显响应畸变。 | 定制要求:严格按上述像素尺寸、阵列数量、电极结构、外形尺寸定制。 出厂测试:每片探测器提供IV测试报告与能谱测试数据,数据完整可追溯。 表面质量:表面洁净、无划痕、无崩边、无裂纹,电极图形完整清晰。 稳定性:室温环境长期工作性能稳定,漂移小、重复性好。 行业标准提供服务。 质保期:货到验收合格后12个月,质保期内非人为故障免费维修或更换。 质量异议:收货后30天内为质量异议期,确属供方制造问题,供方予以置换。 技术支持:使用期间提供技术咨询、电极与性能问题解答。 验收标准:按本采购需求技术参数与合同约定验收。 |
附件:需求文档.docx
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