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垂直腔面发射半导体激光器结构
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垂直腔面发射半导体激光器结构
正式披露 项目编号：****
意向价格：面议
招商类别其他招商
标的所在地区**市辖区
项目负责人杨普宇 183****3785
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 杨普宇 183****3785 | ||
项目基本情况
| 项目简介 |
本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器结构，包括：光学氧化限制层，位于激光器驻波波腹处，起光学限制的作用；电学氧化限制层，位于激光器驻波波节处，起到电流限制的作用；质子注入层，位于电学氧化限制层和光学氧化限制层上，提高激光器信息传输速率；以及衬底上外延生长缓冲层、N面电极、N型DBR、N型空间层、有源区、P型空间层、P型DBR层和P面电极构成激光器谐振腔。该垂直腔面发射激光器采用质子注入和分离限制氧化结构，此结构提高了电流注入的均匀性，减小了器件的寄生电容，具有低的阈值电流、稳定的单横模或多横模输出，提高了器件的高速性能。
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| 特别提示： 1、以上资料均为项目方提供，如资料内容与现状不符的，以现状为准。因项目本身及相关材料可能存在的不完整、不确定等瑕疵，导致后续交易存在风险的，由意向受让方自行承担风险，**省产权交易市场不作任何承诺和保证。 2、该项目为招商挂牌项目，不满足交易条件，且**省产权交易市场仅为信息发布平台，不承担任何增信、担保责任，该项目产生的任何风险、不利后果与**省产权交易市场无关。 |
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2026-03-27
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