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半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器
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半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器
正式披露 项目编号：****
意向价格：面议
招商类别其他招商
标的所在地区**市辖区
项目负责人张圆媛 152****6263
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 张圆媛 152****6263 | ||
项目基本情况
| 项目简介 |
本发明提供了一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器。所述方法包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。用感应耦合等离子体刻蚀方法替代了生长介质膜形成保护的步骤，简化了制备过程，降低了工艺难度，减少了制备过程中的危险性。
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| 特别提示： 1、以上资料均为项目方提供，如资料内容与现状不符的，以现状为准。因项目本身及相关材料可能存在的不完整、不确定等瑕疵，导致后续交易存在风险的，由意向受让方自行承担风险，**省产权交易市场不作任何承诺和保证。 2、该项目为招商挂牌项目，不满足交易条件，且**省产权交易市场仅为信息发布平台，不承担任何增信、担保责任，该项目产生的任何风险、不利后果与**省产权交易市场无关。 |
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2026-03-28
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