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窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法
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窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法
正式披露 项目编号：****
意向价格：面议
招商类别其他招商
标的所在地区**市辖区
项目负责人杨普宇 183****3785
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 杨普宇 183****3785 | ||
项目基本情况
| 项目简介 |
一种分布反馈半导体激光器，所述激光器自下而上依次包括N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、二次外延光栅层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化层和P面电极层；包层和欧姆接触层构成波导结构，所述波导结构为脊波导结构。本发明利用垂直方向上下两层光栅结构，共同反馈选模。分布在有源区附近的二次外延光栅与光场高效耦合，实现频率选择和压窄线宽。电极取样光栅单一反射峰线宽窄，与波导内光场充分耦合反馈，能够进一步稳定工作波长，提高边模抑制比，减小线宽因子，有效压窄激光线宽。
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| 特别提示： 1、以上资料均为项目方提供，如资料内容与现状不符的，以现状为准。因项目本身及相关材料可能存在的不完整、不确定等瑕疵，导致后续交易存在风险的，由意向受让方自行承担风险，**省产权交易市场不作任何承诺和保证。 2、该项目为招商挂牌项目，不满足交易条件，且**省产权交易市场仅为信息发布平台，不承担任何增信、担保责任，该项目产生的任何风险、不利后果与**省产权交易市场无关。 |
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2026-03-28
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