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Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法
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Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法
正式披露 项目编号：****
意向价格：面议
招商类别其他招商
标的所在地区**市辖区
项目负责人张圆媛 152****6263
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 张圆媛 152****6263 | ||
项目基本情况
| 项目简介 |
一种Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结，包括：一衬底，是实现多层膜外延生长的基础；一缓冲层，其制作在衬底上，用于平滑衬底表面并减小晶格失配度；一下电极，其制作在缓冲层上，外延生长；一下插层，其制作在下电极上，外延生长；一势垒层，其制作在下插层上；一上插层，其制作在势垒层上，外延生长；一上电极，其制作在上插层上，外延生长；一覆盖层，其制作在上电极上，对下层结构起保护作用。本发明具有较高的隧穿磁电阻效应。
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| 特别提示： 1、以上资料均为项目方提供，如资料内容与现状不符的，以现状为准。因项目本身及相关材料可能存在的不完整、不确定等瑕疵，导致后续交易存在风险的，由意向受让方自行承担风险，**省产权交易市场不作任何承诺和保证。 2、该项目为招商挂牌项目，不满足交易条件，且**省产权交易市场仅为信息发布平台，不承担任何增信、担保责任，该项目产生的任何风险、不利后果与**省产权交易市场无关。 |
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2026-03-28
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