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半导体器件及其制造方法
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半导体器件及其制造方法
正式披露 项目编号：****
意向价格：面议
招商类别其他招商
标的所在地区**市辖区
项目负责人杨普宇 183****3785
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 杨普宇 183****3785 | ||
项目基本情况
| 项目简介 |
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应。根据本发明，不仅可以降低栅电阻，而且能够降低在栅与源/漏上形成接触孔时RIE工艺中的困难。
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| 特别提示： 1、以上资料均为项目方提供，如资料内容与现状不符的，以现状为准。因项目本身及相关材料可能存在的不完整、不确定等瑕疵，导致后续交易存在风险的，由意向受让方自行承担风险，**省产权交易市场不作任何承诺和保证。 2、该项目为招商挂牌项目，不满足交易条件，且**省产权交易市场仅为信息发布平台，不承担任何增信、担保责任，该项目产生的任何风险、不利后果与**省产权交易市场无关。 |
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2026-03-28
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