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石墨烯导电膜结构的制备方法
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 杨普宇 183****3785 | ||
| 项目简介 |
本发明涉及一种石墨烯导电膜结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一金属基底具有一第一表面,以及一与所述第一表面相对的第二表面;采用化学气相沉积法在所述金属基底的第一表面生长石墨烯薄膜;于金属基底的第二表面方向上图形化该金属基底,形成电极。
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