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一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备
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一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备
正式披露 项目编号：****
意向价格：面议
招商类别其他招商
标的所在地区**市辖区
项目负责人张圆媛 152****6263
| 2025-05-18 | 披露结束日期2026-05-17 | |
| 张圆媛 152****6263 | ||
项目基本情况
| 项目简介 |
本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决掩膜填充到器件的纳米片或线之间，影响该器件的阈值电压等电学性能的技术问题。该半导体器件的制作方法包括：提供多个半导体结构；每个半导体结构至少包括间隔设置的多个纳米片或线，以及形成在纳米片或线外周的栅介质层；采用多次淀积和去除工艺，在每个半导体结构的栅介质层外周形成相应厚度的偶极子层，以使每个半导体结构具有相应的阈值调控结构，从而获得多个具有不同阈值调控参数的阈值调控结构；其中，多次淀积和去除工艺包括，采用多次淀积工艺在每个半导体结构中形成牺牲层，以及采用多次去除工艺去除牺牲层。
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| 特别提示： 1、以上资料均为项目方提供，如资料内容与现状不符的，以现状为准。因项目本身及相关材料可能存在的不完整、不确定等瑕疵，导致后续交易存在风险的，由意向受让方自行承担风险，**省产权交易市场不作任何承诺和保证。 2、该项目为招商挂牌项目，不满足交易条件，且**省产权交易市场仅为信息发布平台，不承担任何增信、担保责任，该项目产生的任何风险、不利后果与**省产权交易市场无关。 |
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2026-03-28
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