武汉临空港泛半导体产业园项目(一期)

审批
湖北-武汉-东西湖区
发布时间: 2026年03月29日
项目详情
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建筑工程施工许可证电子证照信息
工程名称 **临空港泛半导体产业园项目(一期) 建设地址 东**区东流港路以南、双港二路以西
工程项目编号 **** 施工许可证电子证照编号 420********3270201
项目分类 房屋建筑工程 项目属地 -
建设单位 **** 建设单位代码 ****0112MADPCNNF0F
建设单位项目负责人 李茂 项目负责人证件号码 ****12199******15
计划开工日期 2026-03-30 计划竣工日期 2027-09-26
合同价格(万元) 44849.9969 总面积(平方米) 103513.76
合计地上面积(平方米) 90039.08 合计地下面积(平方米) 13474.68
发证机关 ****行政审批局 发证机关代码 ****0112MB****851Q
签发日期 ****0327 管理属地 -
建设规模 拟**标准厂房、研发车间及配套用房,总建筑面积约215600平方米,其中地上计容建筑面积约188000平方米,地下不计容建筑面积约27600平方米,配套水、电、气、消防等工程。
参加单位信息
承担角色 单位名称 企业统一社会信用代码 负责人姓名 项目负责人证件号码
勘察 湖****勘察院有限公司 914********5783691 蒋 程 ****04197******59
设计 ****总院有限公司 914********350073N 申健 ****29197******17
施工 ****工程局有限公司 914********6853910 詹银安 ****21198******15
监理 **飞虹****公司 914********0883825 胡劲松 ****11197******12
单体项目信息
单体名称 单体参数 单体其他参数
9#(厂房含储罐区) 地上面积31944.74平方米,地下面积174.68平方米,地上层数3层,地下层数1层 32119.42
4#(食堂、办公) 地上面积14627.13平方米,地上层数10层,地下层数0层 14627.13
3#4#楼地下室 地下面积13300平方米,地上层数0层,地下层数1层 13300
3#(食堂、研发) 地上面积15868.41平方米,地上层数10层,地下层数0层 15868.41
8#(厂房) 地上面积27598.8平方米,地上层数6层,地下层数0层 27598.8
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展,属于前期项目。
2.根据该项目的描述,可依据自身条件进行选择和跟进,避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设,也可继续跟踪,项目可能还有其他相关后续工程与服务。
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