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安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目V2空分制氮站房、V3制氢站房和天桥项目工程

审批

重庆-重庆

发布时间： 2026年04月01日

项目详情

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建筑工程施工许可证电子证照信息

工程名称	安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目V2空分制氮站房、V3制氢站房和**项目工程	建设地址	**高新区西永街道滨河路168号
工程项目编号	****	施工许可证电子证照编号	500********3190101
项目分类	房屋建筑工程	项目属地	高新区
建设单位	****	建设单位代码	****0107MACUFH0X4U
建设单位项目负责人	梅闰申	项目负责人证件号码	**05199****17
计划开工日期	2026-02-10	计划竣工日期	2026-07-09
合同价格（万元）	1020	总面积（平方米）	3923.29
合计地上面积（平方米）	3923.29	合计地下面积（平方米）	-
发证机关	**开发区**建设局	发证机关代码	115********27688XM
签发日期	****0319	管理属地	高新区
建设规模	3923.29

参加单位信息

承担角色单位名称企业统一社会信用代码负责人姓名项目负责人证件号码

单体项目信息

单体名称单体参数单体其他参数

温馨提示

1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。

2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。

3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。

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