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| 采购单位: | **** |
| 项目名称: | 等离子体增强化学气相沉积设备采购项目 |
| 预算金额(元): | 4,500,000.000 |
| 采购品目: | 其他机械设备 |
| 采购需求概况: | 拟采购一台等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备将主要用于沉积二氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、非晶硅(α-Si)等多种关键介质薄膜与半导体薄膜,以满足超低损耗光量子集成芯片及其他量子芯片对高性能芯层与包层材料的制备需求。要求该设备适用于6英寸及8英寸晶圆的工艺开发与样品制备,能够实现低损伤、高均匀性、高精度的薄膜沉积,并具备优异的薄膜特性(如折射率、应力)调控能力。该设备将直接服务于量子集成芯片等重大项目的工艺开发与流片制备,对提升****芯片中心整体工艺能力、保障重大科研任务顺利进行具有重要战略意义。 |
| 预计采购时间: | 2026-6 |
| 联系人: | 沈老师 |
| 联系电话: | 198****5639 |
| 备注: | 无 |