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南京邮电大学 - 竞价公告（CB102932026000038）
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**** - 竞价公告（****）
发布时间：2026-04-02 16:44:32 截止时间：2026-04-07 16:44:26加急标书代写
申购主题： 芯片流片
报价要求： 国产含税
发票类型： 增值税普通发票
付款方式： 货到验收合格后付款
收货地址： **邮电****
供应商资质：
备注说明： 采购需求：货物类 名称：GaAs/GaN ≤250nm HEMT流片 规格型号： 小于等于250nm HEMT 工艺流片 ①.先进工艺制程； ②.MPW流片； ③.layout size≥ 4*8mm； ④.数量10颗 ⑤.两层金属 ⑥背面金属⑦.表面有钝化层⑧含有四种电感尺寸，三种电容，电容密度为0.36fF/um2、0.6fF/um2、1.2fF/um2提供定制化器件模型PDK和后续芯片载片测试、装配腔体测试以及高低温测试（包含功率特性、效率特性、线性度、开关时间、环形顶降、相位非线性、loadpull阻抗信息）等可靠性性能测试满足卫星通信要求，并提供特定封装。
送货时间：
安装要求： 免费上门安装（含材料费）
预算： 人民币
| 芯片流片 | 10.0/个 | 无 | GaAs/GaN ≤250nm HEMT流片 规格型号： 小于等于250nm HEMT 工艺流片 | 采购需求：货物类 名称：GaAs/GaN ≤250nm HEMT流片 规格型号： 小于等于250nm HEMT 工艺流片 ①.先进工艺制程； ②.MPW流片； ③.layout size≥ 4*8mm； ④.数量10颗 ⑤.两层金属 ⑥背面金属⑦.表面有钝化层⑧含有四种电感尺寸，三种电容，电容密度为0.36fF/um2、0.6fF/um2、1.2fF/um2提供定制化器件模型PDK和后续芯片载片测试、装配腔体测试以及高低温测试（包含功率特性、效率特性、线性度、开关时间、环形顶降、相位非线性、loadpull阻抗信息）等可靠性性能测试满足卫星通信要求，并提供特定封装。 | 质保3年 |
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2026-04-02
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