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| 物理学院Topmetal高分辨像素阵列芯片流片技术服务 | 50.0/颗 | 5900.0 | 基于商用工艺(0.13um体硅),进行探测器芯片流片,最终成品为50颗芯片,其工艺与器件需具备以下技术要求: 1)提供GSMC R013S7G0 0.13μm 1P7M Salicide 1.2/3.3V升级版工艺设计库; 2)提供VeriSilicon GSMC 0.13μm 1.2V/3.3V I/O库 3)提供VeriSilicon GSMC 0.13μm High-Density 标准单元库 4)支持1.2V核心器件与3.3V IO器件; 5)支持高阻电阻,MIM电容与顶层厚金属(~2.5um Al)电感工艺; 6)具备完整的数字电路单元库; 7)支持四阱工艺:n阱,深n阱,p阱,深p阱,以满足探测器像素与周边电路的电学隔离,获得更好的电离电荷俘获效率与高信噪比; 8)协助沟通晶圆减薄或芯片减薄(至~80um,以****工厂指定供应商; 9)定制化开发PDK(Process Design Kit),全程PDK使用技术指导以及后期验证辅助: a)支持以上各个器件的DRC(Design Rule Checking),LVS (layout vs. Schematic),PEX (Parasitic Extraction)设计流程; b)支持四阱工艺的DRC,LVS和PEX设计流程;; c)定制化Pcell(Parameterized Cell),方便SPAD(Single Photonic Avalanche Diode)或x-ray像素电路版图; 10)设计监测定制化工艺电学参数的测试结构,例如晶体管阈值电压,饱和电流监测等等; 11)二合一光罩或普通光罩; 12)提供PCM(Process Control Monitoring)数据; 在满足上述工艺与器件要求的基础上进行流片。 | 售后服务: 1)如需划片,需免费提供划片服务; 验收合格之日起质保一年。 |