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4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片
招标详情
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***********公司企业信息
****2026年4至12月政府采购意向-4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片 详细情况
| 4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片 | |
| 项目所在采购意向： | ****2026年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | **** |
| 采购项目名称： | 4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片 |
| 预算金额： | 178.000000万元(人民币) |
| 采购品目： |
C****0200物理学的研究和试验开发服务
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| 采购需求概况 ： |
功能和目标：对中远红外光敏芯片的微弱信号进行读出。 项目说明：读出电路芯片需满足如下技术要求：工作温度范围：4-10K；像元规模：大于等于512×512；像元中心距：30μm；功耗：小于等于100mW；满阱容量：大于等于100ke-；读出噪声：小于等于150e-；读出速率：大于等于10kHz。读出电路流片工艺节点：0.18μm。
|
| 预计采购时间： | 2026-05 |
| 备注： | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
招标进度跟踪
2026-04-10
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