一、项目概况
(一)项目编号:****
(二)项目名称:物理气相沉积设备
(三)项目内容及需求:
1、数量:1台
2、交期:60日历天
3、技术要求:
3.1 腔体配置:设备具备两个及以上的上料口,配置基础对位、degas、传输、cooling公共腔体,可配置3个及3个以上的物理气相沉积工艺腔体,主要用来沉积热敏氧化钒薄膜;
3.2 适用产品尺寸:8英寸;
3.3 泵及电源:机械泵、涡轮分子泵、冷泵等关键部件均需采用进口品牌,电源输出电压及功率精度≤3% set point;
3.4 公共腔体基础真空<5E-8Torr,公共腔体漏率≤10000nTorr/min;工艺腔体基础真空度<4E-8Torr,工艺腔体漏率≤4000nTorr/min;
3.5 Heater控温:控温满足20-300℃范围任一设定值,控温精度满足setpoint±3℃,控温均匀性≤2% set point;
3.6 气体种类:包含Ar、O2气体,需安装适合工艺使用需求量程的MFC,MFC流气精度≤3% set point,O2 MFC前后需加装气动阀和微型调压阀,并在机台端配置手阀;
3.7 氧化钒镀膜性能要求:
膜厚:支持200-2000膜厚镀膜;
沉积速率:0.1-5可调(30-500W DC power)
膜厚均匀性(within wafer):<3%(13pts,5mmEE, ,600-1200)
膜厚均匀性(wafer to wafer):<3%(13pts,5mmEE, ,600-1200)
膜厚均匀性(lot to lot):<3%(13pts,5mmEE, ,600-1200)
RS均匀性(within wafer):<2.5 %(49pts,5mmEE,600-1200)
RS均匀性(wafer to wafer):<2.5 %(49pts,5mmEE,600-1200)
RS均匀性(lot to lot):<2.5 %(49pts,5mmEE,600-1200)
TCR:>2.3%(23-40℃)
STRESS:<200MPA
mechanical PA<25ea(>0.2um)
Gas on PA<25ea(>0.2um)
In film PA<50ea(>0.3um)
3.8 机台外观要求:设备表面无刮伤、掉粉尘,设备外观无锐角、利棱,整体外观配件满足洁净间使用要求;
3.9 备件要求:备件需设计合理,无互相剐蹭,不漏等离子体污染腔体,便于安装和拆卸,需合理喷砂保证腔体颗粒状况良好;
3.10 软体要求:软件界面需直观展示系统及腔体状况、晶圆状态、加工过程关键参数,各个工艺参数形成log曲线可实时监控查询、可使用光盘等便携存储设备导出;
3.11 系统支持半导体通用协议,SECS-GEM通讯,支持EAP自动上下货;
3.12 所有上料口均提供8寸晶圆适配SMIF,支持25pcs晶圆cassette;
3.13 安全防护:具备安全互锁系统、漏电保护系统、报警系统、安全危害操作标识等安全防护措施;
二、资格要求
(一)必须符合《政府采购法》第二十二条规定的条件:
1、具有独立承担民事责任的能力。
2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度。
3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力。
4、有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录。
5、法律、行政法规规定的其他条件。
6、需提供参加本项目投标活动前三年内,在经营活动中无重大违法、违规记录、重**全生产事故的声明。
7、未被列入“信用中国”网站(www.****.cn )失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单和“中国政府采购网”(www.****.cn )政府采购严重违法失信行为记录名单,提供网上查询结果记录(查询日期在发布公告之后),截图打印。
(二)特定资格要求:
1、参与企业必须为货物的生产厂家或代理商,生产商至少3年以上行业从事经验,代理商必须持有生产厂家代理证书(代理时间不少于1年),不接受项目授权证书。
2、本次招标不接受联合体投标。
3、本次招标要求提供打样。
三、供应商资料递交截止时间和地点加急标书代写
(一)截止时间:2026-04-15 17:30加急标书代写
(二)地点:****开发区****路6号
四、联系事项
采购联系人:冯莎莎 电话:027-****5129
技术联系人:尹魏玲 电话:132-6068-4030
五、监督、投诉渠道
1、审计监察部:
邮箱:****@gst-ir.com
网络举报二维码:
2、党委办公室:
电话:027-****8226
邮箱:****@163.com
网络举报二维码:
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2026年4月10日