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1.项目名称:氧化镓材料射频工艺窗口验证和前端芯片测试与校准服务
2.成交供应商名称:****
3.成交供应商地址: **省**市**区钟鸣镇金龙村(域硕实业)办公楼7楼7-306室
4.成交金额(折合人民币):183900元
5.付款方式:服务完成且验收合格后7个工作日之内付合同金额100%。
6.主要成交标的:
| 序号 | 服务名称 | 服务内容 | 服务期限 |
| 1 | 氧化镓材料射频工艺窗口验证和前端芯片测试与校准服务 | 1.1 小信号测试 小信号模型参数提取:通过 CV 和 S参数反推外延层的载流子分布均匀性,用于指导掺杂控制的稳定性。 1.1.1 S参数测试: 固定参数后,测试氧化镓材料芯片输入/输出匹配、增益及隔离度。 1.1.2 变温射频测试: 在不同温度下测试S参数,评估GaO材料的热稳定性。 1.2大信号与功率测试 1.2.1功率扫描: 测试1dB压缩点(P1dB)、饱和输出功率(Psat)。 1.2.2效率测试: 测试功率附加效率(PAE),验证GaO材料在高偏压下的功率转换能力。 1.2.3线性度测试: 测试三阶交调(IMD3)及邻信道泄漏比(ACPR)。 1.3 噪声与开关测试 1.3.1 噪声系数: 测试芯片工作频段内的噪声系数(NF)。 1.3.2 开关特性: 测试射频开关的插损、隔离度及开关速度。 1.4 校准与建模 1.4.1 去嵌处理: 去除夹具及探针寄生参数,确保数据反映GaO芯片真实性能。 1.4.2 模型提取: 基于实测数据提取GaO基器件的等效电路模型参数,交付甲方用于设计迭代。 | 15个工作日 |
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2026年04月13日