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[HF20260768]氧化镓毫米波雷达芯片工艺窗口验证与测试成交公告
招标详情
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***********公司企业信息
1.项目名称：氧化镓毫米波雷达芯片工艺窗口验证与测试
2.成交供应商名称：****
3.成交供应商地址：**省**市**区长风西街62****广场C座811室
4.成交金额(折合人民币)：169700元
5.付款方式：服务完成且验收合格后7个工作日之内付合同金额100%。
6.主要成交标的：
| 序号 | 服务名称 | 服务内容 | 服务期限 |
| 1 | 氧化镓毫米波雷达芯片工艺窗口验证与测试 | 1.芯片直流参数测试：测试基于 Gao材料的毫米波雷达芯片的 I-V特性、阈值电压、跨导、击 穿电压及接触电阻等直流参数； 2.芯片射频小信号测试：测试芯 片在片(On-wafer)S参数，提 取GaO材料器件的特征频率 （fT）、最高振荡频率（fmax) 及小信号增益； 3.芯片大信号与功率测试：针对 Gao材料的高功率特性，测试芯 片的功率增益、1dB压缩点 (P1dB)、饱和输出功率（Psat）、 功率附加效率（PAE）及三阶交 调; 3.芯片噪声与功能测试：测试芯 片噪声系数，并验证基于Gao材 料的毫米波雷达芯片在特定频 段下的波形发射、接收及调制解 调功能； 4.材料与工艺验证：结合测试数 据，提供关于Ga0材料特性（如 迁移率、缺陷密度）对芯片性能 影响的初步分析；“临界击穿电 场强度测试”：直接验证HVPE 外延层的缺陷密度（缺陷会导致 提前击穿）。 5.可靠性测试：测试芯片在长时 间、高温、低温、高湿度等极端 条件下的工作稳定性。 | 合同签订后20天内 |
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2026年04月14日
招标进度跟踪
2026-04-14
中标通知
[HF20260768]氧化镓毫米波雷达芯片工艺窗口验证与测试成交公告
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