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| **** | 建设单位代码类型:|
| ****0111MA8NAHJT15 | 建设单位法人:李起鸣 |
| 黄俊 | 建设单位所在行政区划:****开发区 |
| ****开发区云谷路以北、青**路以东经开区综合保税区内 |
| **显耀微显示器研发制造一期升级改造项目 | 项目代码:**** |
| 建设性质: | |
| 2021版本:080- | 行业类别(国民经济代码):C3974-C3974-显示器件制造 |
| 建设地点: | ****开发区 ****开发区 |
| 经度:117.188056 纬度: 31.728889 | ****机关:****开发区****分局 |
| 环评批复时间: | 2023-11-29 |
| 环建审〔2023〕11088号 | 本工程排污许可证编号:****0111MA8NAHJT15001Q |
| 项目实际总投资(万元): | 20000 |
| 760 | 运营单位名称:**** |
| ****0111MA8NAHJT15 | 验收监测(调查)报告编制机构名称:**应天****公司 |
| ****0100MA2MTYMA30 | 验收监测单位:******公司 |
| ****0100MA8L989B9F | 竣工时间:2025-09-30 |
| 调试结束时间: | |
| 2026-03-16 | 验收报告公开结束时间:2026-04-13 |
| 验收报告公开载体: | http://www.****.cn/a/gongshigonggao//331.html |
| 改扩建 | 实际建设情况:改扩建 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 年产60000片微显示器 | 实际建设情况:年产60000片微显示器 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 外延片生产、显示芯片生产和产品封装测试 | 实际建设情况:外延片生产、显示芯片生产和产品封装测试 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 废气治理措施:外延生产:红光外延含AsH3、pH3废气经设备自带“高温裂解+过滤收集+喷淋塔”预处理后再经1#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA007);红光外延、蓝绿光外延酸碱废气由密闭设备顶部风管收集经2#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA001);蓝绿光外延含氨废气先经设备自带过滤收集预处理后利用低温微分吸收塔进行处理,处理后通过一根25高排气筒排放(DA009); 显示芯片ICP刻蚀含氯废气经设备自带水洗塔预处理、镀膜废气经设备自带“高温裂解+过滤收集”预处理后混合酸碱废气由密闭设备风管收集经3#碱液喷淋塔处理后通过一根25高排气筒排放(DA002);显示芯片生产有机废气(除外延片去蜡)通过密闭设备顶部风管收集后经2#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA008); 封装测试、显示芯片生产外延片去蜡有机废气通过密闭设备顶部风管收集经1#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA003); 天然气锅炉(配套低氮燃烧)废气通过一根20m高排气筒排放(DA004);危废仓库废气经3#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根15m高排气筒排放(DA005);污水处理站池体封闭,废气收集后经“水喷淋+活性炭吸附装置”处理后通过一根20m高排气筒排放(DA006)。 废水治理措施:****处理站并新增含铬、含铜废水处理设施,总处理能力为1630m3/d,含砷废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力10m3/d)、含铬废水经“二级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增),满足《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)后经车间排放口排放;含氟废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力90m3/d)、有机废水经“芬顿反应+混凝沉淀”预处理(处理能力360m3/d)后混合一并进入生化系统(水解酸化+缺氧+接触氧化+混凝沉淀,处理能力450m3/d)处理;含铜废水经“一级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增)、含锡废水经一级混凝沉淀预处理(处理能力50m3/d)、酸碱废水经“中和+一级混凝沉淀”处理(处理能力1100m3/d);预处理后的生产废水与经化粪池预处理后的生活污水、经隔油池预处理后的食堂废水、锅炉排污水、RO浓水、循环冷却系统排污水混合满足排放标准后经总排口排放;车间排放口安装总铬、总砷在线监测设施,总排口安装氟化物、总砷、流量、COD及氨氮在线监测设施。 固废处置措施:本项目危险废物分类收集在危废仓库或收集池暂存后,定期委托有资质单位处置。依托现有危废仓库,面积为120m2。一般****公司回收利用,废蓝宝石衬底、废金属靶材返回原厂家重复利用;生活垃圾交由环卫部门定期清运、处置。 噪声治理措施:空压机、冷冻机组等高噪声设备均布置在密闭房间内,并采用选用低噪声设备、基础。 减震、消声、厂房隔声等降噪措施。 环境风险防范措施:依托现有900m3事故池及事故废水管网,集中供液间、甲类仓库设置导流沟、集液池,雨水总排口设雨水总切断阀。生产车间、气体站、气体供应间设置气体侦测器(分别侦测AsH3、pH3、Si2H6、CF4、Cl2、N2、O2、Ar、BCl3、N2O等气体)、防爆侦测器、火焰侦测器及配套的事故排风系统、水喷淋系统;氨水储罐区配套围堰。 | 实际建设情况:废气治理措施:外延生产:红光外延含AsH3、pH3废气经设备自带“高温裂解+过滤收集+喷淋塔”预处理后再经1#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA007);红光外延、蓝绿光外延酸碱废气由密闭设备顶部风管收集经2#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA001);蓝绿光外延含氨废气先经设备自带过滤收集预处理后利用低温微分吸收塔进行处理,处理后通过一根25高排气筒排放(DA009); 显示芯片ICP刻蚀含氯废气经设备自带水洗塔预处理、镀膜废气经设备自带“高温裂解+过滤收集”预处理后混合酸碱废气由密闭设备风管收集经3#碱液喷淋塔处理后通过一根25高排气筒排放(DA002);显示芯片生产有机废气(除外延片去蜡)通过密闭设备顶部风管收集后经2#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA008); 封装测试、显示芯片生产外延片去蜡有机废气通过密闭设备顶部风管收集经1#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA003); 天然气锅炉(配套低氮燃烧)废气通过一根20m高排气筒排放(DA004);危废仓库废气经3#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根15m高排气筒排放(DA005);污水处理站池体封闭,废气收集后经“水喷淋+活性炭吸附装置”处理后通过一根20m高排气筒排放(DA006)。 废水治理措施:****处理站并新增含铬、含铜废水处理设施,总处理能力为1630m3/d,含砷废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力10m3/d)、含铬废水经“二级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增),满足《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)后经车间排放口排放;含氟废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力90m3/d)、有机废水经“芬顿反应+混凝沉淀”预处理(处理能力360m3/d)后混合一并进入生化系统(水解酸化+缺氧+接触氧化+混凝沉淀,处理能力450m3/d)处理;含铜废水经“一级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增)、含锡废水经一级混凝沉淀预处理(处理能力50m3/d)、酸碱废水经“中和+一级混凝沉淀”处理(处理能力1100m3/d);预处理后的生产废水与经化粪池预处理后的生活污水、经隔油池预处理后的食堂废水、锅炉排污水、RO浓水、循环冷却系统排污水混合满足排放标准后经总排口排放;车间排放口安装总铬、总砷在线监测设施,总排口安装氟化物、总砷、流量、COD及氨氮在线监测设施。 固废处置措施:本项目危险废物分类收集在危废仓库或收集池暂存后,定期委托有资质单位处置。依托现有危废仓库,面积为120m2。一般****公司回收利用,废蓝宝石衬底、废金属靶材返回原厂家重复利用;生活垃圾交由环卫部门定期清运、处置。 噪声治理措施:空压机、冷冻机组等高噪声设备均布置在密闭房间内,并采用选用低噪声设备、基础。 减震、消声、厂房隔声等降噪措施。 环境风险防范措施:依托现有900m3事故池及事故废水管网,集中供液间、甲类仓库设置导流沟、集液池,雨水总排口设雨水总切断阀。生产车间、气体站、气体供应间设置气体侦测器(分别侦测AsH3、pH3、Si2H6、CF4、Cl2、N2、O2、Ar、BCl3、N2O等气体)、防爆侦测器、火焰侦测器及配套的事故排风系统、水喷淋系统;氨水储罐区配套围堰。 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 无 | 实际建设情况:无 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 29.79 | 21.45 | 0 | 29.79 | 0 | 21.45 | -8.34 | |
| 11.916 | 8.58 | 0 | 11.916 | 0 | 8.58 | -3.336 | |
| 0.596 | 0.429 | 0 | 0.596 | 0 | 0.429 | -0.167 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0.058 | 0.058 | 0 | 0.058 | 0 | 0.058 | 0 | / |
| 0.121 | 0.121 | 0 | 0.121 | 0 | 0.121 | 0 | / |
| 0.08 | 0.41 | 0 | 0.08 | 0 | 0.41 | 0.33 | / |
| 1.37 | 4.02 | 0 | 1.37 | 0 | 4.02 | 2.65 | / |
| 1 | ****处理站并新增含铬、含铜废水处理设施,总处理能力为1630m3/d,含砷废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力10m3/d)、含铬废水经“二级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增),满足《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)后经车间排放口排放;含氟废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力90m3/d)、有机废水经“芬顿反应+混凝沉淀”预处理(处理能力360m3/d)后混合一并进入生化系统(水解酸化+缺氧+接触氧化+混凝沉淀,处理能力450m3/d)处理;含铜废水经“一级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增)、含锡废水经一级混凝沉淀预处理(处理能力50m3/d)、酸碱废水经“中和+一级混凝沉淀”处理(处理能力1100m3/d);预处理后的生产废水与经化粪池预处理后的生活污水、经隔油池预处理后的食堂废水、锅炉排污水、RO浓水、循环冷却系统排污水混合满足排放标准后经总排口排放;车间排放口安装总铬、总砷在线监测设施,总排口安装氟化物、总砷、流量、COD及氨氮在线监测设施。 | 车间废水排放口总砷、总铬排放执行《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)表1排放限值要求;废水总排放口总铜排放执行《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)表2间接排放限值要求,氟化物排放执行3mg/L排放限值要求,其他污染物排放执****处理厂接管限值要求。 | ****处理站并新增含铬、含铜废水处理设施,总处理能力为1630m3/d,含砷废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力10m3/d)、含铬废水经“二级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增),满足《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)后经车间排放口排放;含氟废水经二级混凝沉淀预处理(处理能力90m3/d)、有机废水经“芬顿反应+混凝沉淀”预处理(处理能力360m3/d)后混合一并进入生化系统(水解酸化+缺氧+接触氧化+混凝沉淀,处理能力450m3/d)处理;含铜废水经“一级混凝沉淀”处理(处理能力10m3/d,新增)、含锡废水经一级混凝沉淀预处理(处理能力50m3/d)、酸碱废水经“中和+一级混凝沉淀”处理(处理能力1100m3/d);预处理后的生产废水与经化粪池预处理后的生活污水、经隔油池预处理后的食堂废水、锅炉排污水、RO浓水、循环冷却系统排污水混合满足排放标准后经总排口排放;车间排放口安装总铬、总砷在线监测设施,总排口安装氟化物、总砷、流量、COD及氨氮在线监测设施。 | 车间废水排放口总砷、总铬排放满足《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)表1排放限值要求;废水总排放口总铜排放执行《半导体行业水污染物排放标准》(DB34/4294-2022)表2间接排放限值要求,氟化物排放满足mg/L排放限值要求,其他污染物排放满****处理厂接管限值要求。 |
| 1 | 外延生产:红光外延含AsH3、pH3废气经设备自带“高温裂解+过滤收集+喷淋塔”预处理后再经1#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA007);红光外延、蓝绿光外延酸碱废气由密闭设备顶部风管收集经2#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA001);蓝绿光外延含氨废气先经设备自带过滤收集预处理后利用低温微分吸收塔进行处理,处理后通过一根25高排气筒排放(DA009); 显示芯片ICP刻蚀含氯废气经设备自带水洗塔预处理、镀膜废气经设备自带“高温裂解+过滤收集”预处理后混合酸碱废气由密闭设备风管收集经3#碱液喷淋塔处理后通过一根25高排气筒排放(DA002);显示芯片生产有机废气(除外延片去蜡)通过密闭设备顶部风管收集后经2#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA008); 封装测试、显示芯片生产外延片去蜡有机废气通过密闭设备顶部风管收集经1#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA003); 天然气锅炉(配套低氮燃烧)废气通过一根20m高排气筒排放(DA004);危废仓库废气经3#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根15m高排气筒排放(DA005);污水处理站池体封闭,废气收集后经“水喷淋+活性炭吸附装置”处理后通过一根20m高排气筒排放(DA006)。 | 非甲烷总烃、丙酮、异丙醇有组织排放满足《固定源挥发性有机物综合排放标准 第5部分 电子行业》(DB34/4812.5-2024)表1、表2排放限值要求,其他工艺废气污染物排放满足**省《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3、表4排放限值要求;污水处理站硫化氢、氨等恶臭气体污染物排放满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表1、表3排放限值;厂区内VOCS无组织排放满足《固定源挥发性有机物综合排放标准 第5部分 电子行业》(DB34/4812.5-2024)表4排放限值要求。 | 外延生产:红光外延含AsH3、pH3废气经设备自带“高温裂解+过滤收集+喷淋塔”预处理后再经1#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA007);红光外延、蓝绿光外延酸碱废气由密闭设备顶部风管收集经2#碱液喷淋塔处理后通过一根25m高排气筒排放(DA001);蓝绿光外延含氨废气先经设备自带过滤收集预处理后利用低温微分吸收塔进行处理,处理后通过一根25高排气筒排放(DA009); 显示芯片ICP刻蚀含氯废气经设备自带水洗塔预处理、镀膜废气经设备自带“高温裂解+过滤收集”预处理后混合酸碱废气由密闭设备风管收集经3#碱液喷淋塔处理后通过一根25高排气筒排放(DA002);显示芯片生产有机废气(除外延片去蜡)通过密闭设备顶部风管收集后经2#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA008); 封装测试、显示芯片生产外延片去蜡有机废气通过密闭设备顶部风管收集经1#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根25m高排气筒排放(DA003); 天然气锅炉(配套低氮燃烧)废气通过一根20m高排气筒排放(DA004);危废仓库废气经3#“水喷淋+二级活性炭吸附装置”处理后通过一根15m高排气筒排放(DA005);污水处理站池体封闭,废气收集后经“水喷淋+活性炭吸附装置”处理后通过一根20m高排气筒排放(DA006)。 | 非甲烷总烃、丙酮、异丙醇有组织排放满足《固定源挥发性有机物综合排放标准 第5部分 电子行业》(DB34/4812.5-2024)表1、表2排放限值要求,其他工艺废气污染物排放满足**省《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3、表4排放限值要求;污水处理站硫化氢、氨等恶臭气体污染物排放满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表1、表3排放限值;厂区内VOCS无组织排放满足《固定源挥发性有机物综合排放标准 第5部分 电子行业》(DB34/4812.5-2024)表4排放限值要求。 |
| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 1 | 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |