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| **** | 建设单位代码类型:|
| ****0413MA1Q54NX7T | 建设单位法人:王陈 |
| 徐云 | 建设单位所在行政区划:**省**市**市 |
| **市**区晨风路1036号 |
| 高速率激光器芯片技改项目 | 项目代码:|
| 建设性质: | |
| 2021版本:080-电子器件制造 | 行业类别(国民经济代码):C3976-C3976-光电子器件制造 |
| 建设地点: | **省**市**市 ****开发区晨风路1036号 |
| 经度:119.64229 纬度: 31.75886 | ****机关:****环境局 |
| 环评批复时间: | 2026-02-10 |
| 常环审〔2026〕4号 | 本工程排污许可证编号:**** |
| 2026-02-25 | 项目实际总投资(万元):3443 |
| 44 | 运营单位名称:**** |
| ****0413MA1Q54NX7T | 验收监测(调查)报告编制机构名称:**佳鼎****公司 |
| ****0412MA20N4CY1X | 验收监测单位:******公司,**康达****公司 |
| ****0400MA1W9YQ992,913********077258K | 竣工时间:2025-12-31 |
| 2026-01-04 | 调试结束时间:2026-02-13 |
| 2026-03-27 | 验收报告公开结束时间:2026-04-27 |
| 验收报告公开载体: | http://www.****.com/content/?3015.html |
| 技改扩建 | 实际建设情况:技改扩建 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 芯片4000万粒,TO组件1000万件 | 实际建设情况:芯片4000万粒,TO组件1000万件 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 芯片由晶圆基片切割而来。晶圆生产过程所用原材料主要是磷化铟(InP)基片。基片经表面外延生长、光栅制作、Wafer(晶圆)制作形成晶圆;晶圆经过划片裂片测试等工序制成Bar条;Bar条经Chip测试合格后劈裂成芯片;芯片采用COC或COB封装后通过贴片、烘干、封帽等工艺制成TO组件。 | 实际建设情况:芯片由晶圆基片切割而来。晶圆生产过程所用原材料主要是磷化铟(InP)基片。基片经表面外延生长、光栅制作、Wafer(晶圆)制作形成晶圆;晶圆经过划片裂片测试等工序制成Bar条;Bar条经Chip测试合格后劈裂成芯片;芯片采用COC或COB封装后通过贴片、烘干、封帽等工艺制成TO组件。 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 废水:全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 废气:①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 噪声:(1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 固废:不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 | 实际建设情况:废水:全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 废气:①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 噪声:(1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 固废:不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 无 | 实际建设情况:无 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 技改扩建 | 实际建设情况:技改扩建 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 芯片4000万粒,TO组件1000万件 | 实际建设情况:芯片4000万粒,TO组件1000万件 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 芯片由晶圆基片切割而来。晶圆生产过程所用原材料主要是磷化铟(InP)基片。基片经表面外延生长、光栅制作、Wafer(晶圆)制作形成晶圆;晶圆经过划片裂片测试等工序制成Bar条;Bar条经Chip测试合格后劈裂成芯片;芯片采用COC或COB封装后通过贴片、烘干、封帽等工艺制成TO组件。 | 实际建设情况:芯片由晶圆基片切割而来。晶圆生产过程所用原材料主要是磷化铟(InP)基片。基片经表面外延生长、光栅制作、Wafer(晶圆)制作形成晶圆;晶圆经过划片裂片测试等工序制成Bar条;Bar条经Chip测试合格后劈裂成芯片;芯片采用COC或COB封装后通过贴片、烘干、封帽等工艺制成TO组件。 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 废水:全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 废气:①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 噪声:(1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 固废:不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 | 实际建设情况:废水:全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 废气:①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 噪声:(1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 固废:不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 无 | 实际建设情况:无 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 17100 | 20468 | 26228 | 11340 | 0 | 26228 | 9128 | |
| 2.297 | 0.819 | 2.662 | 0.454 | 0 | 2.662 | 0.365 | |
| 0.156 | 0 | 0.156 | 0 | 0 | 0.156 | 0 | |
| 0.017 | 0 | 0.017 | 0 | 0 | 0.017 | 0 | |
| 0.186 | 0 | 0.186 | 0 | 0 | 0.186 | 0 | |
| 1.836 | 0.819 | 2.201 | 0.454 | 0 | 2.201 | 0.365 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0.0024 | 0.1032 | 0.1032 | 0 | 0 | 0.106 | 0.103 | / |
| 0.0327 | 0.2281 | 0.2281 | 0.0327 | 0 | 0.228 | 0.195 | / |
| 0.5462 | 1.211 | 1.211 | 0.5462 | 0 | 1.211 | 0.665 | / |
| 0.0335 | 0.1693 | 0.1693 | 0.0335 | 0 | 0.169 | 0.136 | / |
| 0.1543 | 0.0608 | 0.0608 | 0.1543 | 0 | 0.061 | -0.094 | / |
| 0.0814 | 0.1714 | 0.1714 | 0.0814 | 0 | 0.171 | 0.09 | / |
| 0.0005 | 0.0005 | 0.0005 | 0.0005 | 0 | 0.001 | 0 | / |
| 0.0108 | 0.0135 | 0.0135 | 0.0108 | 0 | 0.013 | 0.003 | / |
| 0.0006 | 0.0044 | 0.0044 | 0.0006 | 0 | 0.004 | 0.004 | / |
| 0.1704 | 0.245 | 0.245 | 0.1704 | 0 | 0.245 | 0.075 | / |
| 0.0116 | 0.0276 | 0.0276 | 0.0116 | 0 | 0.028 | 0.016 | / |
| 0.0191 | 0.0023 | 0.0023 | 0.0191 | 0 | 0.002 | -0.017 | / |
| 1 | 全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1标准 | 全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 | 2026年2月27日~28日验收监测期间,企业接管至排放口的废水(生活污水、制纯水浓水)pH值、化学需氧量、悬浮物、氨氮、总磷、总氮均值范围和浓度均满足《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1标准要求。 | |
| 1 | 全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1标准 | 全厂无生产工艺废水,循环冷却系统和空调用水定期添加不外排。纯水制备过程中产生的纯水制备弃水、初期雨水与厂内生活污水一并接****处理厂集中处理。 | 2026年2月27日~28日验收监测期间,企业接管至排放口的废水(生活污水、制纯水浓水)pH值、化学需氧量、悬浮物、氨氮、总磷、总氮均值范围和浓度均满足《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1标准要求。 |
| 1 | ①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 | 《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)、《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)、《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2中相关标准 | ①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 | 2026年2月27日~28日验收监测期间,本项目有组织废气:1#排气筒排放的颗粒物、氟化物、氮氧化物、氨排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准,氨排放速率满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2标准;2#排气筒排放的挥发性有机物、非甲烷总烃、异丙醇排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准;3#排气筒排放的颗粒物、氟化物、氯气、氯化氢、硫酸雾、氨、氮氧化物排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准,氨、硫化氢排放速率满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2标准,磷化氢、砷化氢暂无国家污染物监测方法标准,砷化氢以砷的检测替代,检测结果满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准;4#排气筒排放的氟化物、氯气、氯化氢、硫酸雾、氨排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准,氨、硫化氢排放速率满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2标准。 2026年2月27日~28日、2026年3月6日~7日验收监测期间,本项目无组织废气:厂界氯化氢、氯气、挥发性有机物、硫酸雾、氨排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表4标准;厂界氟化物、氮氧化物排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》(DB 32/4041- 2021)表3标准;厂界硫化氢、臭气浓度排放浓度满足《恶臭污染物排放标准》(GB 14554-93)表1标准;厂区内挥发性有机物排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》(DB 32/4041- 2021)表2标准 | |
| 1 | ①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 | 《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)、《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)、《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2中相关标准 | ①薄膜沉积PECVD尾气经Local端燃烧桶预处理后经硅烷燃烧+水洗涤后通过25米高1#排气筒排放。 ②外延预处理、测试、清洗、涂胶、烘干、湿法去胶、固化等工序产生的有机废气,以及危废暂存场1、有机废液暂存池呼吸废气的有机废气通过两级活性炭吸附装置处理后通过25米高2#排气筒排放。 ③MOCVD外延尾气经自带的滤芯除尘+活性炭过滤器净化/砷磷阱过滤器+洗涤塔处理(磷酸、次氯酸钠、液碱喷淋)后,薄膜沉积(ALD)废气经自带的吸附桶吸附后,与蚀刻废气、辅助清洁废气,经碱喷淋塔1#处理后通过25米高3#排气筒排放。 ④蚀刻废气及危废暂存场2废气、表面处理废液暂存槽呼吸废气经碱喷淋塔2#处理后通过30米高4#排气筒排放。 | 2026年2月27日~28日验收监测期间,本项目有组织废气:1#排气筒排放的颗粒物、氟化物、氮氧化物、氨排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准,氨排放速率满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2标准;2#排气筒排放的挥发性有机物、非甲烷总烃、异丙醇排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准;3#排气筒排放的颗粒物、氟化物、氯气、氯化氢、硫酸雾、氨、氮氧化物排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准,氨、硫化氢排放速率满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2标准,磷化氢、砷化氢暂无国家污染物监测方法标准,砷化氢以砷的检测替代,检测结果满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准;4#排气筒排放的氟化物、氯气、氯化氢、硫酸雾、氨排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表3标准,氨、硫化氢排放速率满足《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表2标准。 2026年2月27日~28日、2026年3月6日~7日验收监测期间,本项目无组织废气:厂界氯化氢、氯气、挥发性有机物、硫酸雾、氨排放浓度满足《半导体行业污染物排放标准》(DB 32/3747-2020)表4标准;厂界氟化物、氮氧化物排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》(DB 32/4041- 2021)表3标准;厂界硫化氢、臭气浓度排放浓度满足《恶臭污染物排放标准》(GB 14554-93)表1标准;厂区内挥发性有机物排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》(DB 32/4041- 2021)表2标准 |
| 1 | (1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)2类标准、《声环境质量标准》(GB3096-2008)2类标准 | (1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 | 2026年2月27日~28日验收监测期间,项目东、南、西、北厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)2类标准,周边敏感点**山庄、龙庭花园满足《声环境质量标准》(GB3096-2008)中2类标准。 | |
| 1 | (1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)2类标准、《声环境质量标准》(GB3096-2008)2类标准 | (1)首先考虑选用低噪声设备,并按照工业设备安装的有关规范进行安装,在源头上控制噪声污染; (2****设备处于良好的运转状态,防止因设备运转不正常而增大噪声,要经常进行保养,加润滑油,减少摩擦力,降低噪声。 (3)各配管设计中优选低噪声阀门,流体尽可能防止湍流、涡流、气穴和流向突变等因素产生。根据管道所处环境对管内流速适当加以限制,尽量降低管内流速。 (4)总图合理布局,在满足工艺要求的前提下,考虑将高噪声设备集中布置,在总平面布置时做到远离厂界以减少高噪声源对厂界外环境的影响;同时设计中,尽量做到高噪声车间与非噪声产生的工作场所闹静分开。 | 2026年2月27日~28日验收监测期间,项目东、南、西、北厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)2类标准,周边敏感点**山庄、龙庭花园满足《声环境质量标准》(GB3096-2008)中2类标准。 |
| 1 | 不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 | 不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 | |
| 1 | 不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 | 不合格品(TO组件)、废金丝、废包装袋、金属废渣、废石英砂、废活性炭(纯水)、废树脂、废机滤滤芯集中在指定场所和容器内,作为一般固废外售处置。 不合格品(芯片)和废边角料、废导电银胶、含砷废无尘布、废含砷过滤材料、有机废液、含镉废渣、废石英管、废包装桶/袋、废活性炭、废吸附剂、含金废液、表面处理废液、废棉进行分类收集和专门贮存,确保不相容的废物不混合收集贮存,并委托有资质的专业单位进行运输和处置。 |
| 1 | 厂内已设置230m3事故应急池,并进行了防腐防渗处理,并与雨水管道连接,一旦发生事故,将雨水排放口总阀门关闭,事故应急池连接口阀门打开,使事故废水可以顺**入应急池内,事故废水(液)可得到有效的收集,泄漏物料不会进入外环境。 | 厂内已设置230m3(100m3+130m3)事故应急池,并进行了防腐防渗处理,并与雨水管道连接,一旦发生事故,将雨水排放口总阀门关闭,事故应急池应急泵打开,使事故废水可以顺利泵入应急池内,事故废水(液)可得到有效的收集,泄漏物料不会进入外环境。 | |
| 1 | 厂内已设置230m3事故应急池,并进行了防腐防渗处理,并与雨水管道连接,一旦发生事故,将雨水排放口总阀门关闭,事故应急池连接口阀门打开,使事故废水可以顺**入应急池内,事故废水(液)可得到有效的收集,泄漏物料不会进入外环境。 | 厂内已设置230m3(100m3+130m3)事故应急池,并进行了防腐防渗处理,并与雨水管道连接,一旦发生事故,将雨水排放口总阀门关闭,事故应急池应急泵打开,使事故废水可以顺利泵入应急池内,事故废水(液)可得到有效的收集,泄漏物料不会进入外环境。 |
| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 区域削减措施具体如下: 根据《2024年**市生态环境状况公报》 ①产业结构调整:建立健全空间准入、总量准入和项目准入“三位一体”的环境准入制度,落实“两高”项目、铸造项目等重点项目报备制度,坚决遏制“两高”项目盲目发展。 ②挥发性有机物治理:开展VOCs全流程、全环节综合治理,累计完成306项VOCs治理工程、371个储罐高效呼吸阀更换,更换率全省第一。****园区VOCs年均值和最大小时浓度均值分别同比下降40.0%、50.8%,改善幅度全省领先。 ③重点集群专项提升:实施重点行业超低排放与深度治理,氮氧化物排放量同比下降3.09%,在沿江八**下降幅度最大。高质量完成全市539家铸造行业企业的综合整治。实施重点行业集群专项提升,各重点集群共退出234家企业,整治提升645家企业。 ④扬尘全面管控:通过热点网格、走航车、激光雷达等排查出扬尘源问题1873处,均第一时间组织整改到位。完成弘博热电等3家码头的粉尘在线监测系统安装和华宇混凝土等5家码头的厂区扬尘提标改造。 ⑤移动源排气监管:全面实施机动车排放检测与维护(I/M)制度。有效抽检柴油货车3989辆(次),问题车辆均要求召回复检。对辖区内机动车排放检验机构实施全覆盖监督检查,依法依规严肃查处尾气检测弄虚作假行为。 采取上述措施,本区域的大气环境质量将得到进一步改善。 | 验收阶段落实情况:区域削减措施具体如下: 根据《2024年**市生态环境状况公报》 ①产业结构调整:建立健全空间准入、总量准入和项目准入“三位一体”的环境准入制度,落实“两高”项目、铸造项目等重点项目报备制度,坚决遏制“两高”项目盲目发展。 ②挥发性有机物治理:开展VOCs全流程、全环节综合治理,累计完成306项VOCs治理工程、371个储罐高效呼吸阀更换,更换率全省第一。****园区VOCs年均值和最大小时浓度均值分别同比下降40.0%、50.8%,改善幅度全省领先。 ③重点集群专项提升:实施重点行业超低排放与深度治理,氮氧化物排放量同比下降3.09%,在沿江八**下降幅度最大。高质量完成全市539家铸造行业企业的综合整治。实施重点行业集群专项提升,各重点集群共退出234家企业,整治提升645家企业。 ④扬尘全面管控:通过热点网格、走航车、激光雷达等排查出扬尘源问题1873处,均第一时间组织整改到位。完成弘博热电等3家码头的粉尘在线监测系统安装和华宇混凝土等5家码头的厂区扬尘提标改造。 ⑤移动源排气监管:全面实施机动车排放检测与维护(I/M)制度。有效抽检柴油货车3989辆(次),问题车辆均要求召回复检。对辖区内机动车排放检验机构实施全覆盖监督检查,依法依规严肃查处尾气检测弄虚作假行为。 采取上述措施,本区域的大气环境质量将得到进一步改善。 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 1 | 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |