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浙江旭盛电子有限公司年产150万片4-12英寸单晶硅片技改项目

审批

浙江-衢州-开化县

发布时间： 2026年05月21日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
913********681628J	陈跃骅
陈跃骅	省市**县
华埠镇马金路12号

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

****年产150万片4-12英寸单晶硅片技改项目

2021版本:081-电子元件及电子专用材料制造	C3985-C3985-电子专用材料制造
	省市**县华埠镇马金路12号
经度:118.37319 纬度: 29.07386	**环境局**分局
	2024-06-05
开环改备〔2024〕6号	****
2024-09-26	3000
109	****
913********681628J	******公司
****0800MA28F6YN02	******公司
****0800MA28F6YN02	2025-12-01

2026-04-20	2026-05-20
	https://www.****.com/gs/detail/2?id=60420lehZc

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**	**
无

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

年产150万片4-12英寸单晶硅片	年产150万片4-12英寸单晶硅片
无

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

本项目主要原料为单晶硅棒、单晶硅片初品、单晶硅研磨片，根据不同的原料初始形态进入生产线中不同节点工序。（1）粘棒：将外购部分成品单晶硅棒进行粘棒工序，在正式粘棒之前，先使用无水乙醇擦拭树脂条、单晶硅棒和工件板表面，确保其表面光洁，并使用切断机配合纯水将单晶硅棒肩部、尾部、直径小于规格要求的部分以及电阻率和完整性不符合规格要求的部分切除。然后将外购的A、B组份胶水经1:1配置好后待用。使用配置好的双组份胶水将单晶硅棒粘接在树脂条上，使用同种双组份胶水将塑料板再粘接在切片机的工件板上，以方便后续切片，每个工件板上的单晶硅棒按1刀计量。胶水不需加热，在常温下涂胶，涂胶后自然晾干。此工序主要产生单晶硅废料、切断废水、废抹布、废胶水包装桶、废树脂条、废胶、粘棒废气（胶水废气、乙醇废气）和噪声污染。（2）切片：在正式切片之前，先使用乙醇擦拭硅棒表面，确保其表面光洁。然后将粘接后的硅棒装入线切割机或者激光切割机，切割过程使用金刚线或激光进行切割，金刚线使用完后需要进行更换；切割过程由于快速摩擦温度约30℃，同时需要使用金刚线切割液，金刚线切割液在切片过程起润滑、冷却及保护钢线作用。切割液由碳化硅粉、切割原液和纯水按照比例调配，使用纯水是为了稀释切割液浓度及降低其电导率。本项目硅片切割过程中会持续充分注入切割液，属于湿法切割，切割过程中不会产生粉尘，切割液采用间接循环冷却水进行冷却，冷却塔定期补充用水和排水。线切割机设有切割液废水收集槽，经切片回收系统处理后循环使用，定期补充和排放。此工序会产生碳化硅粉拆包粉尘、乙醇废气、废切割液、废金刚线、硅泥、废抹布及噪声污染。导轮再生（外协）：每台切片机上都有2～3个金刚线的导轮，圆柱形的导轮表面覆盖有聚氨酯层，聚氨酯层刻有细槽。当导轮随金刚线运行一段时间后，导轮表面上的聚氨酯层细槽被磨损，就会造成切出的硅片厚度不均，所以需要定期对导轮表面的聚氨酯层重新开槽。当导轮表面的聚氨酯层被重新开槽4～5次后，就需要重新更换导轮表面的聚氨酯层。本项目导轮再生工序为外协，不再本厂区内进行。（3）脱胶：经切片后的硅片与工件板放入自动脱胶机进行脱胶。在脱胶机槽内加脱胶剂（乳酸）和纯水，使用电加热将温度加热保持在55～70℃左右，浸泡约5分钟/刀。脱胶剂成分主要为L-型乳酸，不易挥发。脱胶后的树脂条和工件板重复利用于粘棒工序。故此工序主要产生废胶及脱胶废水和噪声污染。（4）切片清洗：将外购的单晶硅片初品和本项目前端工序线切得到的单晶硅片初品一起放入切片清洗机中，人工加入表面活性剂和纯水，去除切片表面的有机物、离子杂质和固体颗粒粘污。此工序会产生切片清洗废水、硅泥。（5）退火：单晶硅片初品需要进行退火处理，将硅片放于退火炉中，电加热至750℃稳定一段时间出炉，迅速风冷1h左右，此过程主要为消除硅片内氧含量。硅片退火的机理可以从晶体结构和物理过程两个方面来解释。首先从晶体结构的角度来看，硅片退火主要是通过热能来激发硅原子的位移和重新排列，从而改善晶体结构的完整性。在加热过程中，硅原子的热振动增强，晶格缺陷和应力会逐渐消失。同时，硅片中的杂质也会在高温下扩散，形成更均匀分布的结构。在冷却过程中，硅原子重新排列并重新结晶，形成更完整的晶体结构。从物理过程的角度来看，硅片退火的机理可以通过扩散和再结晶来解释。扩散是指硅片中杂质在高温下的迁移和重新分布。在退火过程中，硅片中的杂质会受到热能的激发，从高浓度区域向低浓度区域扩散，逐渐形成均匀分布的结构。而再结晶是指硅片**有的晶体结构被破坏后重新排列和生长的过程。在退火过程中，硅片中的晶体结构会被热能激活，原有的晶体结构会被破坏，然后在冷却过程中重新结晶．形成更完整的晶体结构。此工序无明显污染物。（6）倒角：用倒角机磨去硅片边缘锋利的棱角、崩边、裂缝等。倒角工艺增加了硅片边缘表面机械强度、减少颗粒污染，加工后边缘表面一般呈圆弧形或梯形。本项目倒角机采用湿法作业，此工序会产生倒角废水、硅泥。（7）磨片：将外购成品单晶硅片初品放置进磨片机中进行研磨，硅片被放置在载体上，硅片的两面都能与磨盘接触，从而使硅片的两面能同时得到研磨。磨盘压迫硅片表面的研磨液（由研磨液原液、研磨砂、纯水配比而成）将硅片的外层研磨去。将切片造成的严重损伤清除，并使硅片非常平整。研磨的同时由磨片机自动计量使用研磨液，研磨液经设备收集槽收集自然沉淀后回用于研磨工序，定期清理槽底沉渣，补充损失的研磨砂、研磨液和纯水。此工序会产生硅泥。（8）超洗：将经过研磨后得到的单晶硅研磨片放入磨片清洗机和单缸超声机中进行超声波清洗，清洗时加入清洗液（清洗液A剂、B剂均为水基型清洗剂，通过组合使用，根据建设单位提供的MSDS，均无明显的挥发性有机化合物成分）。此工序主要会产生研磨清洗废水和噪声污染。（9）碱腐蚀：本项目采用氢氧化钾碱溶液进行腐蚀，将外购的单晶硅研磨片成品和本项目前端工序生产得到的单晶硅研磨片放置于碱腐蚀机中，碱腐蚀机配套腐蚀风柜进行密闭操作，配合浓度48%的KOH碱液，碱腐蚀时间为1-2min。碱腐蚀的目的是完全去除硅片表面在机械加工过程中产生的加工损伤层。化腐还能暴露磨片过程中产生的不易观察的划痕等缺陷。此过程会产生碱腐蚀废水。（10）碱腐蚀清洗：使用纯水配合湿法腐蚀清洗机对碱腐蚀过后的单晶硅片进行清洗，去除表面因碱腐蚀产生的颗粒杂质等污染物。此过程会产生碱腐蚀清洗废水，沉淀残渣定期收集后外售综合利用。清洗过后的单晶硅片通过电阻率厚度测试台进行厚度分选，不符合产品要求的重新回到研磨工序进行返工。此工序会产生碱腐蚀清洗废水。（11）喷砂：将经过碱腐蚀清洗后的硅片放入封闭式设备喷砂机中配合设备中的金刚砂进行喷砂粗抛光处理。项目喷砂工序于喷砂机中进行，喷砂机为封闭式设备，喷砂机工作时不会有粉尘逸出，待喷砂完成后，设备内粉尘完全沉降，将工件取出，因此无喷砂废气外排。（12）减薄：对喷砂过后的单晶硅片背面多余的硅基体材料采用物理研磨的方式去除一定的厚度，以改善单晶硅片应用到集成电路晶圆片等场景后的散热效果并有利于后步抛光、氧化等工艺，该工艺过程称之为减薄。本项目减薄工序是在减薄机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每秒）对集成电路晶圆背面进行机械研磨，将单晶硅片圆减薄到规定厚度。本项目减薄过程采用湿法作业，研磨过程中需用纯水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮，因此主要产生减薄研磨废水。（13）抛光：经过减薄过后的单晶硅片通过抛光机进行边缘抛光，目的是为了去除在硅片边缘残留的腐蚀坑。当硅片边缘变得光滑，硅片边缘的应力也会变得均匀，使硅片更坚固。抛光后的边缘能将颗粒灰尘的吸附降到最低。硅片边缘的抛光利用边缘抛光机，硅片由抛光机配套真空吸笔吸住，以一定角度在一旋转桶内旋转且不妨碍桶的垂直旋转，桶内有一抛光衬垫并有抛光液（由抛光原液和纯水配置）流过。此过程会产生抛光废水。（14）抛光清洗：经过抛光的单晶硅片通过10工位清洗机和石英器件清洗机进行清洗，配合1#液和纯水，1#液由30%氨水和30%双氧水配置而成。此过程产生抛光清洗废水和氨水挥发的氨气。（15）氧化炉：氧化炉工艺：硅片氧化炉的工艺是半导体制造中的一项关键技术，它涉及将硅片在高温下与氧气或水蒸气反应，形成二氧化硅（SiO2）层的过程。这一过程对于制造集成电路和太阳能电池等器件至关重要，因为它可以提供保护层、绝缘层以及其他功能层。以下是硅片氧化炉工艺的详细步骤： ①硅片准备在氧化之前，硅片需要经过彻底的清洗，以去除表面的污染物和损伤层。这一步骤通常在石英舟上进行，硅片被摆放好并烘干，以准备进入氧化炉。 ②氧化炉的准备氧化炉主要包括炉体、加热控温系统、石英炉管和气体控制系统。 ③ 升温过程硅片在氧化炉中被均匀加热至氧化所需的温度，通常在800℃至1150℃之间。升温速率需要精确控制，以确保氧化层的质量和均匀性。 ④氧化反应在恒温条件下，通入氧化用高纯干燥氧气。氧化气体通过石英炉管时，在硅片表面发生化学反应，生成SiO2层。氧化层的厚度可以通过调整氧化时间、温度和气体流量来控制。 ⑤氧化层的质量控制氧化层的质量对最终器件的性能有重要影响。因此，需要对氧化层进行评估，包括表面检测和厚度检测。表面检测通常在紫外线下进行，以识别颗粒、不规则度和污点。厚度检测可以通过颜色比较、干涉、椭偏仪或扫描电子显微镜等技术进行。 ⑥冷却和取出硅片氧化完成后，硅片需要缓慢冷却至室温，以避免由于温度骤变而产生的热应力。冷却过程完成后，硅片被从氧化炉中取出。通过上述工艺步骤，硅片氧化炉能够生产出高质量的氧化硅层。此工序无明显污染物。（16）检验入库：氧化完成的单晶硅抛光片经检验合格后包装入库待售，此过程会产生不合格品单晶硅废料。	本项目主要原料为单晶硅棒、单晶硅片初品、单晶硅研磨片，根据不同的原料初始形态进入生产线中不同节点工序。（1）粘棒：将外购部分成品单晶硅棒进行粘棒工序，在正式粘棒之前，先使用无水乙醇擦拭树脂条、单晶硅棒和工件板表面，确保其表面光洁，并使用切断机配合纯水将单晶硅棒肩部、尾部、直径小于规格要求的部分以及电阻率和完整性不符合规格要求的部分切除。然后将外购的A、B组份胶水经1:1配置好后待用。使用配置好的双组份胶水将单晶硅棒粘接在树脂条上，使用同种双组份胶水将塑料板再粘接在切片机的工件板上，以方便后续切片，每个工件板上的单晶硅棒按1刀计量。胶水不需加热，在常温下涂胶，涂胶后自然晾干。此工序主要产生单晶硅废料、切断废水、废抹布、废胶水包装桶、废树脂条、废胶、粘棒废气（胶水废气、乙醇废气）和噪声污染。（2）切片：在正式切片之前，先使用乙醇擦拭硅棒表面，确保其表面光洁。然后将粘接后的硅棒装入线切割机或者激光切割机，切割过程使用金刚线或激光进行切割，金刚线使用完后需要进行更换；切割过程由于快速摩擦温度约30℃，同时需要使用金刚线切割液，金刚线切割液在切片过程起润滑、冷却及保护钢线作用。切割液由碳化硅粉、切割原液和纯水按照比例调配，使用纯水是为了稀释切割液浓度及降低其电导率。本项目硅片切割过程中会持续充分注入切割液，属于湿法切割，切割过程中不会产生粉尘，切割液采用间接循环冷却水进行冷却，冷却塔定期补充用水和排水。线切割机设有切割液废水收集槽，经切片回收系统处理后循环使用，定期补充和排放。此工序会产生碳化硅粉拆包粉尘、乙醇废气、废切割液、废金刚线、硅泥、废抹布及噪声污染。导轮再生（外协）：每台切片机上都有2～3个金刚线的导轮，圆柱形的导轮表面覆盖有聚氨酯层，聚氨酯层刻有细槽。当导轮随金刚线运行一段时间后，导轮表面上的聚氨酯层细槽被磨损，就会造成切出的硅片厚度不均，所以需要定期对导轮表面的聚氨酯层重新开槽。当导轮表面的聚氨酯层被重新开槽4～5次后，就需要重新更换导轮表面的聚氨酯层。本项目导轮再生工序为外协，不再本厂区内进行。（3）脱胶：经切片后的硅片与工件板放入自动脱胶机进行脱胶。在脱胶机槽内加脱胶剂（乳酸）和纯水，使用电加热将温度加热保持在55～70℃左右，浸泡约5分钟/刀。脱胶剂成分主要为L-型乳酸，不易挥发。脱胶后的树脂条和工件板重复利用于粘棒工序。故此工序主要产生废胶及脱胶废水和噪声污染。（4）切片清洗：将外购的单晶硅片初品和本项目前端工序线切得到的单晶硅片初品一起放入切片清洗机中，人工加入表面活性剂和纯水，去除切片表面的有机物、离子杂质和固体颗粒粘污。此工序会产生切片清洗废水、硅泥。（5）退火：单晶硅片初品需要进行退火处理，将硅片放于退火炉中，电加热至750℃稳定一段时间出炉，迅速风冷1h左右，此过程主要为消除硅片内氧含量。硅片退火的机理可以从晶体结构和物理过程两个方面来解释。首先从晶体结构的角度来看，硅片退火主要是通过热能来激发硅原子的位移和重新排列，从而改善晶体结构的完整性。在加热过程中，硅原子的热振动增强，晶格缺陷和应力会逐渐消失。同时，硅片中的杂质也会在高温下扩散，形成更均匀分布的结构。在冷却过程中，硅原子重新排列并重新结晶，形成更完整的晶体结构。从物理过程的角度来看，硅片退火的机理可以通过扩散和再结晶来解释。扩散是指硅片中杂质在高温下的迁移和重新分布。在退火过程中，硅片中的杂质会受到热能的激发，从高浓度区域向低浓度区域扩散，逐渐形成均匀分布的结构。而再结晶是指硅片**有的晶体结构被破坏后重新排列和生长的过程。在退火过程中，硅片中的晶体结构会被热能激活，原有的晶体结构会被破坏，然后在冷却过程中重新结晶．形成更完整的晶体结构。此工序无明显污染物。（6）倒角：用倒角机磨去硅片边缘锋利的棱角、崩边、裂缝等。倒角工艺增加了硅片边缘表面机械强度、减少颗粒污染，加工后边缘表面一般呈圆弧形或梯形。本项目倒角机采用湿法作业，此工序会产生倒角废水、硅泥。（7）磨片：将外购成品单晶硅片初品放置进磨片机中进行研磨，硅片被放置在载体上，硅片的两面都能与磨盘接触，从而使硅片的两面能同时得到研磨。磨盘压迫硅片表面的研磨液（由研磨液原液、研磨砂、纯水配比而成）将硅片的外层研磨去。将切片造成的严重损伤清除，并使硅片非常平整。研磨的同时由磨片机自动计量使用研磨液，研磨液经设备收集槽收集自然沉淀后回用于研磨工序，定期清理槽底沉渣，补充损失的研磨砂、研磨液和纯水。此工序会产生硅泥。（8）超洗：将经过研磨后得到的单晶硅研磨片放入磨片清洗机和单缸超声机中进行超声波清洗，清洗时加入清洗液（清洗液A剂、B剂均为水基型清洗剂，通过组合使用，根据建设单位提供的MSDS，均无明显的挥发性有机化合物成分）。此工序主要会产生研磨清洗废水和噪声污染。（9）碱腐蚀：本项目采用氢氧化钾碱溶液进行腐蚀，将外购的单晶硅研磨片成品和本项目前端工序生产得到的单晶硅研磨片放置于碱腐蚀机中，碱腐蚀机配套腐蚀风柜进行密闭操作，配合浓度48%的KOH碱液，碱腐蚀时间为1-2min。碱腐蚀的目的是完全去除硅片表面在机械加工过程中产生的加工损伤层。化腐还能暴露磨片过程中产生的不易观察的划痕等缺陷。此过程会产生碱腐蚀废水。（10）碱腐蚀清洗：使用纯水配合湿法腐蚀清洗机对碱腐蚀过后的单晶硅片进行清洗，去除表面因碱腐蚀产生的颗粒杂质等污染物。此过程会产生碱腐蚀清洗废水，沉淀残渣定期收集后外售综合利用。清洗过后的单晶硅片通过电阻率厚度测试台进行厚度分选，不符合产品要求的重新回到研磨工序进行返工。此工序会产生碱腐蚀清洗废水。（11）喷砂：将经过碱腐蚀清洗后的硅片放入封闭式设备喷砂机中配合设备中的金刚砂进行喷砂粗抛光处理。项目喷砂工序于喷砂机中进行，喷砂机为封闭式设备，喷砂机工作时不会有粉尘逸出，待喷砂完成后，设备内粉尘完全沉降，将工件取出，因此无喷砂废气外排。（12）减薄：对喷砂过后的单晶硅片背面多余的硅基体材料采用物理研磨的方式去除一定的厚度，以改善单晶硅片应用到集成电路晶圆片等场景后的散热效果并有利于后步抛光、氧化等工艺，该工艺过程称之为减薄。本项目减薄工序是在减薄机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每秒）对集成电路晶圆背面进行机械研磨，将单晶硅片圆减薄到规定厚度。本项目减薄过程采用湿法作业，研磨过程中需用纯水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮，因此主要产生减薄研磨废水。（13）抛光：经过减薄过后的单晶硅片通过抛光机进行边缘抛光，目的是为了去除在硅片边缘残留的腐蚀坑。当硅片边缘变得光滑，硅片边缘的应力也会变得均匀，使硅片更坚固。抛光后的边缘能将颗粒灰尘的吸附降到最低。硅片边缘的抛光利用边缘抛光机，硅片由抛光机配套真空吸笔吸住，以一定角度在一旋转桶内旋转且不妨碍桶的垂直旋转，桶内有一抛光衬垫并有抛光液（由抛光原液和纯水配置）流过。此过程会产生抛光废水。（14）抛光清洗：经过抛光的单晶硅片通过10工位清洗机和石英器件清洗机进行清洗，配合1#液和纯水，1#液由30%氨水和30%双氧水配置而成。此过程产生抛光清洗废水和氨水挥发的氨气。（15）氧化炉：氧化炉工艺：硅片氧化炉的工艺是半导体制造中的一项关键技术，它涉及将硅片在高温下与氧气或水蒸气反应，形成二氧化硅（SiO2）层的过程。这一过程对于制造集成电路和太阳能电池等器件至关重要，因为它可以提供保护层、绝缘层以及其他功能层。以下是硅片氧化炉工艺的详细步骤： ①硅片准备在氧化之前，硅片需要经过彻底的清洗，以去除表面的污染物和损伤层。这一步骤通常在石英舟上进行，硅片被摆放好并烘干，以准备进入氧化炉。 ②氧化炉的准备氧化炉主要包括炉体、加热控温系统、石英炉管和气体控制系统。 ③ 升温过程硅片在氧化炉中被均匀加热至氧化所需的温度，通常在800℃至1150℃之间。升温速率需要精确控制，以确保氧化层的质量和均匀性。 ④氧化反应在恒温条件下，通入氧化用高纯干燥氧气。氧化气体通过石英炉管时，在硅片表面发生化学反应，生成SiO2层。氧化层的厚度可以通过调整氧化时间、温度和气体流量来控制。 ⑤氧化层的质量控制氧化层的质量对最终器件的性能有重要影响。因此，需要对氧化层进行评估，包括表面检测和厚度检测。表面检测通常在紫外线下进行，以识别颗粒、不规则度和污点。厚度检测可以通过颜色比较、干涉、椭偏仪或扫描电子显微镜等技术进行。 ⑥冷却和取出硅片氧化完成后，硅片需要缓慢冷却至室温，以避免由于温度骤变而产生的热应力。冷却过程完成后，硅片被从氧化炉中取出。通过上述工艺步骤，硅片氧化炉能够生产出高质量的氧化硅层。此工序无明显污染物。（16）检验入库：氧化完成的单晶硅抛光片经检验合格后包装入库待售，此过程会产生不合格品单晶硅废料。
无

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

污水处理站加盖密闭+除臭剂；抛光清清洗产生的氨气经集气罩收集后通过酸液喷淋塔处理后，经高15m，内径0.5m的排气筒（DA001）排放；粘棒、硅棒擦拭、碳化硅粉拆包以无组织形式排放，加强通风；生活污水化粪池处理后进**处理厂处理；生产废水、初期雨处理站处理排**处理厂；采取减振、隔声、消声等措施。	本项目产生**处理站产生的氨气、硫化氢和抛光清洗产生的氨气。抛光清洗产生的氨气：企业通过在清洗机上方设置集气罩将产生的氨气进行收集，收集后的废气经过一级酸液喷淋塔处理后通过15米高排气筒排放（一共两根氨排气筒）。污水站废气：企业对污水收集池，沉淀池等进行了密闭加盖处理，并定期添加除臭剂。颗粒物和非甲烷总烃无组织排放。本项目运营过程中产生的废水有：生产废水（切断废水、脱胶废水、切片清洗废水、倒角废水、研磨清洗废水、碱腐蚀废水、碱腐蚀清洗废水、抛光废水等）以及员工生活用水。其中生活污水依托厂区内现有的化粪池预处理达标后排入市政污水管网，生产废水处理站处理后排入市政污水管网，各废水汇合后由厂区污水总排口进处理厂处理，废水排放《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）中的间接排放标准、氨氮执行《工业企业废水氮、磷污染物间接排放限值》（DB33/887—2013），处理厂处理达标后排入马。企业优化工艺、强化地面防渗防漏措施，从源头减少污染物排放；并将工业固体废物及时处置，确保固废能够得以妥善处置，从源头减少污染物的排放；根据工程生产工艺、设备布置、污染物性质、污染物产生及处理和建筑物的构筑方式，结合本项目总平面布置情况，将本项目区分为重点防渗区、一般防渗区和简单防渗区，根据不同的分区采取不同的防渗措施。
无

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

无	无
无

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）氨气(吨/年)

3.9268	0	3.927	3.927
1.571	1.755	1.571	1.571
0.063	0.072	0.063	0.063
0	0	0	0
0	0	0	0
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0.023	0	0.023	0.023	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

污水站；化粪池

《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）；《工业企业废水氮、磷污染物间接排放限值》（DB33/887-2013）

本项目运营过程中产生的废水有：生产废水（切断废水、脱胶废水、切片清洗废水、倒角废水、研磨清洗废水、碱腐蚀废水、碱腐蚀清洗废水、抛光废水等）以及员工生活用水。其中生活污水依托厂区内现有的化粪池预处理达标后排入市政污水管网，生产废水****处理站处理后排入市政污水管网，各废水汇合后由厂区污水总排口进****处理厂处理，废水排放《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）中的间接排放标准、氨氮执行《工业企业废水氮、磷污染物间接排放限值》（DB33/887—2013），****处理厂处理达标后排入马**。

验收检测期间，企业废水处理设施出口所测废水中氨氮指标能满足《工业企业废水氮、磷污染物间接排放限值》（DB33/887-2013）相关标准限值标准的要求；其余指标能满足《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）中的间接排放标准的要求：pH值范围：6.0~9.0、化学需氧量≤500mg/L、悬浮物≤400mg/L、总磷≤8mg/L、氨氮≤35mg/L、阴离子表面活性剂≤20mg/、石油类≤20mg/L、总有机碳≤200mg/L和总氮≤70mg/L。

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

一级酸液喷淋塔

《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）；《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）；《挥发性有机物无组织排放控制标准》

本项目产生****处理站产生的氨气、硫化氢和抛光清洗产生的氨气。抛光清洗产生的氨气：企业通过在清洗机上方设置集气罩将产生的氨气进行收集，收集后的废气经过一级酸液喷淋塔处理后通过15米高排气筒排放（一共两根氨排气筒）。污水站废气：企业对污水收集池，沉淀池等进行了密闭加盖处理，并定期添加除臭剂。颗粒物和非甲烷总烃无组织排放。

1）验收检测期间，废气处理设施1/2排气筒所排废气中臭气浓度能满足《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）最高容许排放浓度的要求：臭气浓度≤2000（无量纲）；硫化氢和氨均值排放速率均能满足《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）二级新扩改建的限值标准的要求：硫化氢≤0.33kg/h、氨≤4.9kg/h；（排气筒高度20米）。

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

无

《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）

企业优化工艺、强化地面防渗防漏措施，从源头减少污染物排放；并将工业固体废物及时处置，确保固废能够得以妥善处置，从源头减少污染物的排放；根据工程生产工艺、设备布置、污染物性质、污染物产生及处理和建筑物的构筑方式，结合本项目总平面布置情况，将本项目区分为重点防渗区、一般防渗区和简单防渗区，根据不同的分区采取不同的防渗措施。

验收监测期间，公司各测点所测昼夜间噪声值均符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）表1所述3类区环境噪声排放限值的要求：昼间≤65dB(A)；夜间≤55dB(A)。

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

废离子交换树脂、废石英砂、废一般活性炭、废滤芯、废RO膜、废包装材料（纸箱等未被化学品污染的包装材料）、废金刚砂、污泥、废树脂条、单晶硅废料等一般固废经收集后于一般固废库（位于厂区内西侧，50m2）中暂存，之后外售综合利用；废胶、废切割液、废金刚线、废抹布及手套、废润滑油、废油桶、废包装材料（包装瓶等被化学品污染的包装材料）等危险废物经收集后暂存于为危废暂存库（位于一般固废库南侧，50m2）中，之后交由有资质单位处理；生活垃圾委托环卫部门定期清运

废离子交换树脂、废石英砂、废一般活性炭、废滤芯、废RO膜由设备商**华****公司回收综合利用；废金刚砂、废树脂条、单晶硅废料、污泥由******公司回收综合利用；废胶、废切割液、废金刚线、废抹布及手套、废润滑油、废油桶、废包装材料（包装瓶等被化学品污染的包装材料）委托****处置；生活垃圾收集后由当地环卫部门统一清运处理

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

设置事故池1座,有效容积150m3。制定突发环境事件应急预案。定期进行防雷检测，确保防雷设施有效；定期对电气线路进行检查确保用电安全，易燃易爆场所应当使用防爆电气设备；易自燃的危险物质必须做好保护储存措施，严禁明火。

企业厂区内设置有事故应急池，有效容积150m3。企业已经编制了环保应急预案，并于2025年8月1****环境局进行了备案，备案编号：330824-2025-031-L

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程