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高介电常数介质原子层沉积工艺设备
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****2026年7至11月政府采购意向-高介电常数介质原子层沉积工艺设备 详细情况
| 高介电常数介质原子层沉积工艺设备 | |
| 项目所在采购意向： | ****2026年7至11月政府采购意向 |
| 采购单位： | **** |
| 采购项目名称： | 高介电常数介质原子层沉积工艺设备 |
| 预算金额： | 2694.000000万元(人民币) |
| 采购品目： |
A****0300-电子工业生产设备
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| 采购需求概况 ： |
该设备用于HfLaO、Al2O3、HfZrO介质生长，以实现良好立体填充覆盖，实现有效器件阈值调节。HfLaO具备超高k值，可用于降低EOT，减少漏电，增强新型纳米环栅器件性能；HfZrO呈现铁电特性，使用其做为高k栅介质，可有效提升器件亚阈值摆幅；Al2O3用于PMOS器件功函数调整，可以微小厚度空间代价实现合适功函数，节省沟道空间。
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| 预计采购时间： | 2026-09 |
| 备注： | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
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