中国科学技术大学“磁光与光电芯片专利”成果转化公示

发布时间: 2026年06月23日
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成果名称:磁光与光电芯片专利

专利名称:

1.一种磁各向异性及表面粗糙度可调控的铥铁石榴石薄膜及其制备方法(专利号:ZL202****87508.4)

2.超表面偏振掩模版及基于超表面偏振掩模版的光刻方法(专利号:ZL 202****75070.8)

3.超导量子比特读取系统(专利申请号:202****74980.0)

4.光芯片、片上激光多脉冲调制方法及系统(专利号:ZL 202****59105.X)

归属方:****

被许可方:****

关联交易情况:团队承诺不存在关联交易

成果转化方式:以普通方式许可他人实施,许可年限10年

许可费金额:约100万元

收益分配比例:根据《****科技成果转化管理办法(试行)》(校转化字[2021]68号),成果转化收益的分配比例见表1:

表1、技术许可收益分配表

收益单位

所占比例

技术团队

70%

****

30%

技术团队成员:李鹏占技术团队收益比例50%,岳夫永占技术团队收益比例50%

公示期:2026年06月23日-2026年07月07日

如有异议,请在公示期与****科技成果转化处联系:

联系方式:韦峰 0551-****7649;邮箱:wfeng6@ustc.****.cn

****”磁光与光电芯片专利“成果转化公示.pdf

****

2026年06月23日

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2026-06-23
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中国科学技术大学“磁光与光电芯片专利”成果转化公示
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