关于流片代加工服务的单一来源公示[杭州电子科技大学]

发布时间: 2026年06月24日
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一、项目基本情况

采购人:****

项目名称:流片代加工服务

拟采购的货物或服务的说明:

标的名称:流片代加工服务

数量:1

预算金额(元):550330.8

单位:批

货物或服务的说明:服务

拟采购的货物或服务的预算总金额(元):550330.8

采用单一来源采购方式的原因及说明:流片工艺厂商具有单一来源性。委托指定代理—****负责采购相关事务。目前国际上最合适的是WINNP12-1B工艺,该工艺具有以下特点: 1. 针对Ku波段至V波段的高功率应用专门优化 NP12-1B是稳懋半导体于2025年推出的基于碳化硅(SiC)衬底的0.12μm栅极长度耗尽型(D-mode)GaN HEMT工艺,专为Ku波段至V波段(约12GHz至75GHz)频率范围内的高功率射频应用设计。 2. 卓越的功率密度与效率 该工艺支持28V工作电压,提供行业领先的功率密度和效率,能够实现更紧凑、更高功率的射频前端解决方案。 3.高线性度与低信号失真 NP12-1B针对高线性度放大器进行了优化,能够最大限度地减少信号失真和互调。在频谱密集的现代通信环境中,这一特性对于保持信号完整性至关重要,使其成为构建高性能、低失真射频系统的理想选择。 4.高击穿电压与系统可靠性 该工艺采用先进的源极耦合场板设计,确保典型的栅极-漏极击穿电压达到120V。这一高击穿电压是实现高功率密度输出和保障系统长期可靠性的关键。 5. 高流片精度与完整设计支持 6. 增强的防潮耐用性选项

二、拟定供应商信息

名称:****

地址:中国(**)自由贸易试验区临港新片区宏祥北路83弄1-42号20幢118室

三、公示期限

2026年06月24日至2026年07月01日

四、其他补充事宜

1.本项目公告期限为5个工作日,供应商对该项目拟采用单一来源采购方式及其理由和相关需求有异议的,可以在公示期限内(截止时间为本公示发布之日后的第6个工作日),以书面形式向采购人及同级财政监管部门提出异议。标书代写

2.

五、联系方式

1.采购人信息

名 称:****

联 系 人:赵晓梅

联系电话:152****1722

传 真:/

地 址:**省 **市 钱塘区 白杨街道 ****

2.****管理部门

名 称:****政府采购监管处

联 系 人:马瑞敏

监管部门电话:0571-****5741

传 真:0571-****6984

地 址:**市环**路37号

六、附件

专业人员论证意见(格式见附件)

附件信息:

附件(1)
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2026-06-24
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