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鹰谷光电总部基地一期项目一阶段
项目详情
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400-688-2000
1、建设项目基本信息
企业基本信息
| **** | 建设单位代码类型：|
| 915********24976XK | 建设单位法人：卜晖 |
| 康宏 | 建设单位所在行政区划：****岸区 |
| ****岸区长生桥镇广兴大道18号 |
建设项目基本信息
| ****基地一期项目一阶段 | 项目代码：**** |
| 建设性质： | |
| 2021版本:080-电子器件制造 | 行业类别（国民经济代码）：C3976-C3976-光电子器件制造 |
| 建设地点： | ****岸区 茶园组团C分区C02-9-9/02地块 |
| 经度:106.405955 纬度: 29.****748 | ****机关：****环境局 |
| 环评批复时间： | 2024-04-09 |
| 渝（**）环准〔2024〕19号 | 本工程排污许可证编号：915********24976XK001Y |
| 2025-02-24 | 项目实际总投资(万元)：27000 |
| 1050 | 运营单位名称：无 |
| 无 | 验收监测(调查)报告编制机构名称：******公司 |
| 915********5719127 | 验收监测单位：******公司 |
| ****0116MA5YMRFM6L | 竣工时间：2025-12-20 |
| 2025-12-21 | 调试结束时间：|
| 2026-05-25 | 验收报告公开结束时间：2026-06-23 |
| 验收报告公开载体： | https://www.****.com/gs/detail/2?id=60525wW1lu |
2、工程变动信息
项目性质
| ** | 实际建设情况：** |
| 无变动 | 是否属于重大变动：|
规模
| 年处理6英寸硅基晶圆10万片，年产半导体光电子器件、组件、模块900万套 | 实际建设情况：年处理6英寸硅基晶圆10万片，年产半导体光电子器件、组件、模块900万套 |
| 无变动 | 是否属于重大变动：|
生产工艺
| 硅基APD工艺流程：衬底准备（基片选择→刷洗→有机清洗→无机清洗）、0层标记（SiO2生长（热氧化）→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→离子注入（B注入）→退火→SiO2 去除）、场限环注入（SiO2生长（热氧化）→光刻→离子注入（B注入）→硫酸去胶）、保护环注入（光刻→离子注入（P注入）→硫酸去胶）、P区注入（光刻→刻蚀→硫酸去胶→B离子注入）、N区注入（光刻→As注入→硫酸去胶→SiO2 去除）、AR膜制备（SiO2生长（热氧化）→LPCVD SiN→退火→光刻→刻蚀SiN→刻蚀SiO2→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→硫酸去胶）、正面电极制作（磁控溅射Ti/TiN/Al/Ti/TiN→光刻→腐蚀Al→合金退火）、保护层制作（光敏PI悬涂→前烘→光刻→显影→固化→合金退火）、背面减薄（贴膜→晶片键合→背面减薄→背面抛光→背面清洗）、背面P型注入（光刻→离子注入（B注入）→有机去胶→退火）、黑硅制备（光刻→湿法腐蚀制备黑硅→有机去胶）、AR膜制备（PECVD SiO2沉积→光刻→刻蚀SiO2→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→有机去胶）、（磁控溅射Ti/TiN/Al/Ti/TiN→退火→电子束蒸镀（Cr/Au合金）→炉管退火→测试→划片） 硅基PIN工艺流程：衬底准备（基片选择→刷洗→有机清洗→无机清洗）、0层标记（热氧化→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2 去除）、N型离子注入（PECVD SiO2沉积→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→热扩散（P）→退火→SiO2 去除）、背面减薄（LPCVD Si3N4沉积→晶片键合→背面减薄→背面清洗）、背面P型离子注入（PECVD SiNx沉积→光刻→SiNx刻蚀→硫酸去胶→热扩散（B）→退火）、背面钝化层制作（光刻→电子束蒸镀（Ti、Al、Ni、Au）→Lift-off（剥离清洗：NMP+丙酮+异丙醇）→合金退火）、正面AR膜制备（解键合→正面保护键合→去除正面保护层→ PECVD SiNx沉积→光刻→SiNx刻蚀→有机去胶）、正面电极制作（光刻→电子束蒸镀（Ti、Al、Ni、Au）→Lift-off（剥离清洗：NMP+EKC+异丙醇）→合金退火）、正面钝化层制备（PECVD SiO2→PECVD SiNx→光刻→SiO2刻蚀→有机去胶→旋涂PI→PI光刻→固化→测试→划片） 锗硅射频器件芯片工艺流程：衬底准备（基片选择→刷洗→有机清洗→无机清洗）、0层标记（热氧化→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2 去除）、沟槽平坦化（热氧化→LPCVD Si3N4沉积→光刻→Si3N4、SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2刻蚀→深槽刻蚀Si→无机清洗→热氧化→PECVD SiO2→表面抛光（氧化硅）→氢氟酸洗）、N阱注入（热氧化→光刻→离子注入（P注入）→硫酸去胶→退火）、栅介质平坦化（有机清洗→氢氟酸洗→LPCVD Si3N4沉积→光刻→Si3N4、SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2刻蚀→深槽刻蚀→无机清洗（RCA：spw、sc1、sc2）→热氧化→PECVD SiO2→表面抛光→氢氟酸洗）、发射区硅刻蚀（热氧化→有机清洗（丙酮、异丙醇）→氢氟酸洗→光刻→离子注入（As注入）→硫酸去胶→退火→有机清洗（丙酮、异丙醇）→氢氟酸洗→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶）、集电区注入及发射区制备（Si外延生长→ SiGe外延生长→ Si外延生长→磁控溅射TiSi→退火→SPW、BHF溶液无机清洗→PECVD SiO2）、发射极和集电极接触制作（光刻→刻蚀SiO2→离子注入（As注入）→硫酸去胶→退火→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→磁控溅射多晶硅→退火→氢氟酸洗→光刻→刻蚀→硫酸去胶）、铝互连（PECVD SiO2沉积→有机清洗→氢氟酸洗→光刻→刻蚀SiO2→硫酸去胶→磁控溅射TiSi→退火→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→磁控溅射氮化钽/Al→稀盐酸洗→光刻→刻蚀Al、氮化钽→有机去胶→测试→划片） 金属封装装配：芯片组装（镜检→清洗→贴片→烧结→去胶→金丝键合）、PCBA清洗→上座→引线焊接→电路噪声测试→清洗→芯片上座对位→固化→焊接信号线→调试、测试→焊点清洁→测试、检测→储能焊封帽→测试、检验→激光打标→外观清洁→包装入口 陶瓷封装装配：镜检→清洗→贴片、烧结→镜检→焊点清洁→金属键合→测试→焊点清洁→镜检→光窗封焊→测试、检验→焊点清洁→包装入库 塑封装配工艺流程：镜检→等离子清洗→贴片→金丝键合→排片→注塑→测试、镜检→引脚电镀（外协）→切筋→印刷→包装入库 | 实际建设情况：硅基APD工艺流程：衬底准备（基片选择→刷洗→有机清洗→无机清洗）、0层标记（SiO2生长（热氧化）→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→离子注入（B注入）→退火→SiO2 去除）、场限环注入（SiO2生长（热氧化）→光刻→离子注入（B注入）→硫酸去胶）、保护环注入（光刻→离子注入（P注入）→硫酸去胶）、P区注入（光刻→刻蚀→硫酸去胶→B离子注入）、N区注入（光刻→As注入→硫酸去胶→SiO2 去除）、AR膜制备（SiO2生长（热氧化）→LPCVD SiN→退火→光刻→刻蚀SiN→刻蚀SiO2→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→硫酸去胶）、正面电极制作（磁控溅射Ti/TiN/Al/Ti/TiN→光刻→腐蚀Al→合金退火）、保护层制作（光敏PI悬涂→前烘→光刻→显影→固化→合金退火）、背面减薄（贴膜→晶片贴合→背面减薄→背面抛光→背面清洗）、背面P型注入（光刻→离子注入（B注入）→有机去胶→退火）、黑硅制备（光刻→湿法腐蚀制备黑硅→有机去胶）、AR膜制备（PECVD SiO2沉积→光刻→刻蚀SiO2→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→有机去胶）、（磁控溅射Ti/TiN/Al/Ti/TiN→退火→电子束蒸镀（Cr/Au合金）→炉管退火→测试→划片） 硅基PIN工艺流程：衬底准备（基片选择→刷洗→有机清洗→无机清洗）、0层标记（热氧化→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2 去除）、N型离子注入（PECVD SiO2沉积→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→热扩散（P）→退火→SiO2 去除）、背面减薄（LPCVD Si3N4沉积→晶片贴合→背面减薄→背面清洗）、背面P型离子注入（PECVD SiNx沉积→光刻→SiNx刻蚀→硫酸去胶→热扩散（B）→退火）、背面钝化层制作（光刻→电子束蒸镀（Ti、Al、Ni、Au）→Lift-off（剥离清洗：NMP+丙酮+异丙醇）→合金退火）、正面AR膜制备（解贴合→正面保护贴合→去除正面保护层→ PECVD SiNx沉积→光刻→SiNx刻蚀→有机去胶）、正面电极制作（光刻→电子束蒸镀（Ti、Al、Ni、Au）→Lift-off（剥离清洗：NMP+EKC+异丙醇）→合金退火）、正面钝化层制备（PECVD SiO2→PECVD SiNx→光刻→SiO2刻蚀→有机去胶→旋涂PI→PI光刻→固化→测试→划片） 锗硅射频器件芯片工艺流程：衬底准备（基片选择→刷洗→有机清洗→无机清洗）、0层标记（热氧化→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2 去除）、沟槽平坦化（热氧化→LPCVD Si3N4沉积→光刻→Si3N4、SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2刻蚀→深槽刻蚀Si→无机清洗→热氧化→PECVD SiO2→表面抛光（氧化硅）→氢氟酸洗）、N阱注入（热氧化→光刻→离子注入（P注入）→硫酸去胶→退火）、栅介质平坦化（有机清洗→氢氟酸洗→LPCVD Si3N4沉积→光刻→Si3N4、SiO2刻蚀→硫酸去胶→SiO2刻蚀→深槽刻蚀→无机清洗（RCA：spw、sc1、sc2）→热氧化→PECVD SiO2→表面抛光→氢氟酸洗）、发射区硅刻蚀（热氧化→有机清洗（丙酮、异丙醇）→氢氟酸洗→光刻→离子注入（As注入）→硫酸去胶→退火→有机清洗（丙酮、异丙醇）→氢氟酸洗→光刻→SiO2刻蚀→硫酸去胶）、集电区注入及发射区制备（外延工序委外→磁控溅射TiSi→退火→SPW、BHF溶液无机清洗→PECVD SiO2）、发射极和集电极接触制作（光刻→刻蚀SiO2→离子注入（As注入）→硫酸去胶→退火→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→磁控溅射多晶硅→退火→氢氟酸洗→光刻→刻蚀→硫酸去胶）、铝互连（PECVD SiO2沉积→有机清洗→氢氟酸洗→光刻→刻蚀SiO2→硫酸去胶→磁控溅射TiSi→退火→SiO2 去除（BOE腐蚀洗）→磁控溅射氮化钽/Al→稀盐酸洗→光刻→刻蚀Al、氮化钽→有机去胶→测试→划片） 金属封装装配：芯片组装（镜检→清洗→贴片→烧结→去胶→金丝键合）、PCBA清洗→上座→引线焊接→电路噪声测试→清洗→芯片上座对位→固化→焊接信号线→调试、测试→焊点清洁→测试、检测→储能焊封帽→测试、检验→激光打标→外观清洁→包装入口 陶瓷封装装配：镜检→清洗→贴片、烧结→镜检→焊点清洁→金属键合→测试→焊点清洁→镜检→光窗封焊→测试、检验→焊点清洁→包装入库 塑封装配工艺流程：镜检→等离子清洗→贴片→金丝键合→排片→注塑→测试、镜检→引脚电镀（外协）→切筋→印刷→包装入库 |
| ①一阶段外延工序委外；②黑硅制备工序工艺优化，由三级浸泡腐蚀变为采用硫酸和氢氟酸混合液浸泡腐蚀 | 是否属于重大变动：|
环保设施或环保措施
| （一）废气污染防治措施：有机清洗、光刻、固化、注塑、印刷等均产生非甲烷总烃，共同经一套有沸石转轮+TO设施处理，从严达《包装印刷业大气污染物排放标准》（DB50/758-2017）表2大气污染物排放限值，通过DA001排气筒排放；焊接、注塑产生的颗粒物，经同一套有沸石转轮+TO设施处理，从严达《合成树脂工业污染物排放标准》(GB31572-2015)表5大气污染物特别排放限值，通过DA001排气筒排放；有机清洗产生的丙酮，经同一套有沸石转轮+TO设施处理，参照**市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）附录A固定源大气污染物名录及有组织排放限值，通过DA001排气筒排放。无机清洗、热氧化、石英炉管清洗等产生的酸碱废气经“水喷淋+碱喷淋”装置处理，干法刻蚀、化学气相沉积产生的酸碱废气“电加热燃烧+水洗”装置处理后接入同一套“水喷淋+碱喷淋”装置处理，氨达《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表2恶臭污染物排放标准值，硫酸雾、盐酸雾、氟化物、非甲烷总烃、氯气等达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，硝酸雾、磷酸雾参照**市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）表1大气污染物项目排放限值，C2HCl3、SiH4满足《报告表》中计算的排放限值，共同通过DA002排气筒排放。离子注入产生的砷化氢、磷化氢、氟化物经“干式吸附装置”处理，氟化物达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，砷化氢、磷化氢参照**市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）表1大气污染物项目排放限值，共同通过DA003排气筒排放。外延处理产生的氯化氢、SiH2Cl2、GeH4经“吸附+水洗”装置处理，氯化氢达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，SiH2Cl2、GeH4满足《报告表》中计算的排放限值，共同通过DA004排气筒排放。锅炉采用低氮燃烧工艺，产生的颗粒物、SO2须满足《锅炉大气污染物排放标准》（DB50/685-2016）表3**锅炉大气污染物排放浓度限值，氮氧化物须满足《锅炉大气污染物排放标准》（DB50/685-2016）第1号修改单表3**锅炉大气污染物排放浓度限值，通过DA005排气筒排放。实验室焊接产生的非甲烷总烃、锡及其化合物、颗粒物经“过滤+活性炭吸附”装置处理，达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值后，通过DA006排气筒排放。有机废液收集间产生的非甲烷总烃经活性炭吸附处理，达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值后，通过DA007排气筒排放。废水处理站产生的氨、硫化氢等经喷淋洗涤，达《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表2恶臭污染物排放标准值后，通过DA008排气筒排放。无组织排放颗粒物须满足《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，非甲烷总烃须同时满足<《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，以及《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB37822-2019）表A.1厂区内VOCs无组织排放限值（厂房外），氨气、臭气须满足《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表1恶臭污染物厂界标准值。 （二）水环境保护措施：生产和清洗废水中酸碱废水经中和处理，含氟废水经“中和+化学沉淀+混凝沉淀”处理，有机废水经“中和+厌氧+缺氧+好氧沉淀”处理，研磨废水经“中和+化学沉淀+混凝沉淀”处理，含磷废水经“中和+化学沉淀+混凝沉淀”处理，生活污水经生化池处理，达《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)表1水污染物排放限值间接排放标准后，经厂区综合污水排放口排入******公司配套市政污水管网。 （三）噪声防治措施：合理布置整个厂区布局，生产车间利用厂房墙体降噪，设备基座与地基之间设置橡胶减震垫，优先选用隔音效果好的门窗，优先选用低噪声设备，风机进出口加装消声器，风道等采用柔性连接，定期维护保养设备及降噪设施等降噪措施，确保厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准要求。 （四）固体废物污染防治措施：固体废物须按生活垃圾、一般工业固废和危险废物分类收集处置。生活垃圾交由市政环卫部门统一处置；一般工业固废包含废膜料、废靶材、检验废品、废包装材料、废滤料、废RO膜等，须分类收集暂存在**的一般固废暂存区内，不得突破总暂存量，交相关单位回收处置。危险废物中NMP废液、丙酮废液、异丙醇废液、废光刻胶、废显影液、封装装配有机废液、废导电银胶、清洗有机废液、片盒片架清洗废液等暂存于有机废液暂存间，废硫酸、废盐酸、硫酸去胶废液、含氟废液、碱性废液、含氟含金废液、含金废液、酸性废液、清洗废液等暂存于酸碱废液暂存间，定期交由有相应危险废物处置资质的单位处理，并按照《危险废物转移管理办法》要求开展危险废物转移活动。按照《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）要求设置危险废物贮存场所，并满足防风、防雨、防晒、防渗漏的要求，不得突破总暂存量，不得对环境造成二次污染。 （五）地下水和环境风险防范措施：做好项目实施区域的防渗工作。认真落实地下水防范措施和环境风险防范措施，建立完善的环境风险防范制度，及时修编突发环境事件风险评估和应急预案，并定期进行演练和完善，加强环境风险管理，防止因事故引发环境污染。 | 实际建设情况：（一）废气污染防治措施：有机清洗、光刻、固化、注塑、印刷、有机废液收集间废气等均产生非甲烷总烃，共同经一套有沸石转轮+RTO设施处理，从严达《包装印刷业大气污染物排放标准》（DB50/758-2017）表2大气污染物排放限值，通过DA001排气筒排放；焊接、注塑产生的颗粒物，经同一套有沸石转轮+RTO设施处理，从严达《合成树脂工业污染物排放标准》(GB31572-2015)表5大气污染物特别排放限值，通过DA001排气筒排放；有机清洗产生的丙酮，经同一套有沸石转轮+RTO设施处理，参照**市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）附录A固定源大气污染物名录及有组织排放限值，通过DA001排气筒排放。无机清洗、热氧化、石英炉管清洗等产生的酸碱废气经“水喷淋+碱喷淋”装置处理，干法刻蚀、化学气相沉积产生的酸碱废气“电加热燃烧+水洗”装置处理后接入同一套“水喷淋+碱喷淋”装置处理，氨达《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表2恶臭污染物排放标准值，硫酸雾、盐酸雾、氟化物、非甲烷总烃、氯气等达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，硝酸雾、磷酸雾参照**市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）表1大气污染物项目排放限值，C2HCl3、SiH4满足《报告表》中计算的排放限值，共同通过DA002排气筒排放。离子注入产生的砷化氢、磷化氢、氟化物经“干式吸附装置”处理，氟化物达《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，砷化氢、磷化氢参照**市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）表1大气污染物项目排放限值，共同通过DA003排气筒排放。锅炉采用低氮燃烧工艺，产生的颗粒物、SO2须满足《锅炉大气污染物排放标准》（DB50/685-2016）表3**锅炉大气污染物排放浓度限值，氮氧化物满足《锅炉大气污染物排放标准》（DB50/685-2016）第1号修改单表3**锅炉大气污染物排放浓度限值，通过DA004排气筒排放。废水处理站产生的氨、硫化氢等经喷淋洗涤，达《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表2恶臭污染物排放标准值后，通过DA005排气筒排放。无组织排放颗粒物须满足《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，非甲烷总烃须同时满足<《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016）表1大气污染物排放限值，以及《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB37822-2019）表A.1厂区内VOCs无组织排放限值（厂房外），氨气、臭气须满足《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表1恶臭污染物厂界标准值。 （二）水环境保护措施：生产和清洗废水中酸碱废水经中和处理，含氟废水、含磷废水经“中和+化学沉淀+混凝沉淀”处理，有机废水经“中和+厌氧+缺氧+好氧沉淀”处理，研磨废水经“中和+化学沉淀+混凝沉淀”处理生活污水经生化池处理，达《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)表1水污染物排放限值间接排放标准后，经厂区综合污水排放口排入******公司配套市政污水管网。 （三）噪声防治措施：合理布置整个厂区布局，生产车间利用厂房墙体降噪，设备基座与地基之间设置橡胶减震垫，优先选用隔音效果好的门窗，优先选用低噪声设备，风机进出口加装消声器，风道等采用柔性连接，定期维护保养设备及降噪设施等降噪措施，确保厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准要求。 （四）固体废物污染防治措施：固体废物须按生活垃圾、一般工业固废和危险废物分类收集处置。生活垃圾交由市政环卫部门统一处置；一般工业固废包含废膜料、废靶材、检验废品、废包装材料、废滤料、废RO膜等，须分类收集暂存在**的一般固废暂存区内，不得突破总暂存量，交相关单位回收处置。危险废物中废NMP、废EKC及废异丙醇暂存于3#危废贮存设施；废光刻胶、废显影液、封装装配有机废液、废导电银胶、清洗有机废液、片盒片架清洗废液及废碱液等暂存于1-1#废液暂存间，废硫酸、其他废酸、含氟废液等暂存于1-2#酸碱废液暂存间，定期交由有相应危险废物处置资质的单位处理，并按照《危险废物转移管理办法》要求开展危险废物转移活动。危险废物贮存场所满足防风、防雨、防晒、防渗漏的要求，不得突破总暂存量，不得对环境造成二次污染。 （五）地下水和环境风险防范措施：项目实施区域的防渗，生产车间、化学品库房、危险废物暂存间、废水处理站等均按照《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）以及参照《石油化工工程防渗技术规范》（GB/T50934-2013）等要求进行重点防渗；厂区上述重点污染防治区和行政办公区以外的其它生产区等为一般防渗区。建立完善的环境风险防范制度，制定了突发环境事件风险评估和应急预案，加强环境风险管理，防止因事故引发环境污染。 |
| 1.废水污染防治措施变化：，含氟废水、含磷废水化学沉淀使用药剂相同，合并处理；晶圆刷洗废水、喷淋塔排水、循环水排水等纳入酸碱废水预处理设施进行预处理，进一步减小污染物排放量；因芯片及PCBA清洗方式优化，有机废水产生量减小，有机废水处理设施规模由50 m3/d调整为15.6m3/d，满足有机废水13m3/d处理需求； 2.废气污染防治措施变化：有机废气处理工艺由“沸石转轮+TO”优化为“沸石转轮+RTO”，减少燃料消耗；有机废液收集间废气接入有机废气处理设施，采用沸石转轮+RTO工艺，与活性炭吸附相比，处理效率提高；****实验室焊接工序，取消相应废气处理设施及排放口；废水处理站废气处理设施位置调整至芯片厂房楼顶，排气筒高度增加； 4.固体废物污染防治措施变化：根据工艺布局，优化危废贮存设施。增加1处有机废液收集间 | 是否属于重大变动：|
其他
| 1.锅炉：动力厂房1层设锅炉房1间，设有2台1300kW的燃气热水锅炉和3台（2用1备）Q=120m3/h热水循环泵 2.循环冷却水：动力站屋顶设置循环冷却水系统，设有2套冷却塔（565m3/h和700m3/h），主要用于低温和中温冷却水，补充水采用自来水和纯水制备弃水； 3.供电：接园区市政供电引至项目配电所，位于动力厂房3层；动力厂房1层设备用柴油发电机1台 | 实际建设情况：1.锅炉：动力厂房1层设锅炉房1间，设有2台（1用1备）1745kW的燃气热水锅炉和3台（2用1备）Q=120m3/h热水循环泵； 2.动力站屋顶设置循环冷却水系统，设有1套冷却塔（2900m3/h），补充水采用自来水和纯水制备弃水； 3.接两路市政供电引至项目配电所，位于动力厂房3层，取消柴油发电机 |
| 设计优化：锅炉改为1用1备，单台锅炉由1300kW增大为1750kW；冷却塔由2套优化为1套；采用双电源，取消备用柴油发电机 | 是否属于重大变动：|
3、污染物排放量
| 0 | 10.872 | 10.872 | 0 | 0 | 10.872 | 10.872 | |
| 0 | 41.341 | 41.341 | 0 | 0 | 41.341 | 41.341 | |
| 0 | 2.324 | 2.324 | 0 | 0 | 2.324 | 2.324 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0.657 | 0.657 | 0 | 0 | 0.657 | 0.657 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 1.451 | 1.451 | 0 | 0 | 1.451 | 1.451 | / |
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
| 1 | 生产废水处理设施 | 《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020） | 生产废水处理设施1套，包含酸碱废水处理系统(处理规模156m3/d)/含氟含磷废水处理设施(处理规模144m3/d)、研磨废水处理设施（处理规模36m3/d）、有机废水处理设施（处理规模50m3/d） | 在废水排放口实施监测，监测因子：流量、pH、COD、氨氮、SS、石油类、TOC、总磷、总氮、阴离子表面活性剂、总氰化物、氟化物、总铜、总锌 |
表2 大气污染治理设施
| 1 | 有机废气处理设施 | 非甲烷总烃从严执行《包装印刷业大气污染物排放标准》（DB50/758-2017）（最高允许排放浓度60mg/m3、最高允许排放速率4.3 kg/h）；颗粒物从严执行《合成树脂工业污染物排放标准》（GB31572-2015），最高允许排放浓度20mg/m3；丙酮参照执行**市地方标准《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）；其余因子执行《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016） | 设计规模34000m3/h，采用沸石浓缩转轮+RTO处理后通过1根25m的排气筒（DA001）排放 | 在DA001排放口进行监测，监测因子：流速及流量、非甲烷总烃、丙酮、颗粒物、二氧化硫、氮氧化物、锡及其化合物 | |
| 2 | 酸碱废气处理设施 | 氨执行《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）；硝酸雾、磷酸雾参照**市地方标准《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）；其余因子执行《大气污染物综合排放标准》（DB50/418-2016） | 干法刻蚀、化学气相沉积废气共用2台（1用1备）尾气处理器、热氧化工艺设备设置2台尾气处理器，均采用电加热+水洗工艺，尾气处理后接入酸碱废气处理系统；其余各工序产生的酸碱废气及酸液收集间废气经密闭管道收集至酸碱废气处理系统，采取水喷淋+碱液喷淋工艺处理后通过1根25m高的排气筒（DA002）排放，废气处理设施设计规模55000m3/h | 在DA002排放口实施监测，监测因子：流速及流量、氨、硫酸雾、氯化氢、氯气、氟化物、非甲烷总烃、磷酸雾、硝酸 | |
| 3 | 离子注入废气处理设施 | **市《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015） | 设置2套废气处理设施，采取干式吸附，废气经密闭管道收集至处理设施处理后，通过排气筒（DA003）排放 | 由于国家尚未发布废气中锗烷、磷烷的监测方法，本次验收未对对离子注入废气进行监测，待后续相关监测方法发布后另行监测 | |
| 4 | 锅炉废气 | 《锅炉大气污染物排放标准》（DB50/685-2016）及第1号修改单 | 锅炉采取低氮燃烧 | 在DA004排放口实施监测，监测因子：颗粒物、二氧化硫、氮氧化物； | |
| 5 | 废水处理站废气处理设施 | 《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93） | 采用喷淋塔处理后通过25m高的排气筒（DA005）排放，处理规模6000 m3/h | 在排放口实施监测，监测因子：氨、硫化氢 |
表3 噪声治理设施
| 1 | 噪声防治设施 | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准 | 采取厂房墙体隔声、基础减振等措施 | 在东、南、西、北厂界实施监测 |
表4 地下水污染治理设施
表5 固废治理设施
| 1 | 固体废物须按生活垃圾、一般工业固废和危险废物分类收集处置。生活垃圾交由市政环卫部门统一处置；一般工业固废包含废膜料、废靶材、检验废品、废包装材料、废滤料、废RO膜等，须分类收集暂存在**的一般固废暂存区内，不得突破总暂存量，交相关单位回收处置。危险废物中NMP废液、丙酮废液、异丙醇废液、废光刻胶、废显影液、封装装配有机废液、废导电银胶、清洗有机废液、片盒片架清洗废液等暂存于有机废液暂存间，废硫酸、废盐酸、硫酸去胶废液、含氟废液、碱性废液、含氟含金废液、含金废液、酸性废液、清洗废液等暂存于酸碱废液暂存间，定期交由有相应危险废物处置资质的单位处理，并按照《危险废物转移管理办法》要求开展危险废物转移活动。按照《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）要求设置危险废物贮存场所，并满足防风、防雨、防晒、防渗漏的要求，不得突破总暂存量，不得对环境造成二次污染 | 固体废物按生活垃圾、一般工业固废和危险废物分类收集处置。生活垃圾袋装交由市政环卫部门统一处置；一般工业固废收集暂存在**的一般固废暂存区内，交相关单位回收处置。危险废物设置3处危废暂存设施，1#危险废物贮存设施位于芯片厂房1F内，建筑约面积67.5m2，分为两个隔间，分别用于有机废液、酸碱废液暂存。1-1#设置2个容积2m3的废液收集桶分别暂存废碱液及废有机溶剂；1-2#设置3个2m3的废液收集桶，分别存放废硫酸、其他废酸液及含氟废液；3#位于有机供液间内，设3个0.2m3收集桶，分别收集废NMP、废EKC及废异丙醇。危险废物定期交由有相应危险废物处置资质的单位处理，并按照《危险废物转移管理办法》要求开展危险废物转移活动。各危废贮存设施满足《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023） |
表6 生态保护设施
表7 风险设施
| 1 | 1.特种气体的使用单独设置特气供气间，不同的气体钢瓶置于不同的特气柜中，特气柜内分别设有气体泄漏检测装置、抽风装置、喷淋装置等，并且在生产车间和供气管道的相关重要部位也分别设有气体泄漏检测装置、抽风装置等，气体泄漏检测装置检测到气体泄漏信号后将信号传送到特气值班室的GDS（气体探测）系统进行报警，并且特气室门外的警报器和特气值班室的警报器会发出警报；2.化学品库（甲类）、芯片厂房一楼危险废物贮存设施、化学药液集中供应间地面设置地沟和收集池，且对地沟和收集池进行防腐、防渗处理；3.设有事故应急池，容积不小于658m3 ；4.设有毒有害气体在线监控系统 | 1.特种气体的使用单独设置特气供气间，不同的气体钢瓶置于不同的特气柜中，特气柜内分别设有气体泄漏检测装置、抽风装置、喷淋装置等，并且在生产车间和供气管道的相关重要部位也分别设有气体泄漏检测装置、抽风装置等，气体泄漏检测装置检测到气体泄漏信号后将信号传送到特气值班室的GDS（气体探测）系统进行报警，并且特气室门外的警报器和特气值班室的警报器会发出警报；2.化学品库（甲类）、芯片厂房一楼危险废物贮存设施、化学药液集中供应间地面设置地沟和收集池，且对地沟和收集池进行防腐、防渗处理；3.设事故池1座，位于****处理站旁，容积660m3；4.设有毒有害气体在线监控系统 |
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
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环保搬迁
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
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区域削减
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
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生态恢复、补偿或管理
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
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功能置换
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
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其他
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
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6、工程建设对项目周边环境的影响
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7、验收结论
| 1 | 未按环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施，或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书（表）经批准后，该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动，建设单位未重新报批环境影响报告书（表）或环境影响报告书（表）未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成，或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目，无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目，其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚，被责令改正，尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实，内容存在重大缺项、遗漏，或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。
2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。
400-688-2000
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