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微玖（苏州）光电科技有限公司Micro LED屏体模组后道工艺开发与测试实验室扩建项目

审批

江苏-苏州

发布时间： 2026年06月29日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

微玖(苏****公司
****0594MAD7MLE62K	王程功
邱增洪	****园区
**园区金鸡湖大道99号纳米北区36栋101室

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

**Micro LED屏体模组后**实验室扩建项目

2021版本:098-专业实验室、****基地	M7320-M7320-工程和技术研究和试验发展
	**园区金鸡湖大道99号纳米北区36栋101室
经度:120.772251 纬度: 31.291870	****环境局
	2026-01-09
H****0010	****
2026-02-27	800
20	****
****0594MAD7MLE62K	****
****0594MAD7MLE62K	******公司
****0505MAE6D7QDX2	2026-04-25
2026-05-06	2026-06-20
2026-05-31	2026-06-29
	**Micro LED屏体模组后实验室扩建项目自主验收公示-**公司http://www.**.cn/nd.jsp?id=1189 groupId=-1

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

扩建	扩建
无

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

年进行Micro LED 屏体模组后道工艺开发与测试2000片	年进行Micro LED 屏体模组后道工艺开发与测试2000片
无

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

（1）Micro LED 屏体模组后道工艺开发与测试：研发人员先进行后道工艺开发与测试的方案设计、技术设计等理论研发，确定研发、测试参数范围、主要步骤以及预期研发测试成果，具体研发测试工艺如下：减薄：将硅晶圆放置在全自动减薄机上，根据设计方案设定研磨盘的压力、转速等参数，利用研磨盘砂轮对晶圆表面进行研磨减薄，去除冗余衬底，保留核心功能层，为后续切割做准备（晶圆过厚易导致后续切割产生崩边、裂纹的现象）。减薄过程不同的转速、研磨压力和给进速度造成的晶圆厚度、表面质量、应力损伤的不确定性为本次研发内容。减薄过程为湿式加工，使用自制纯水进行冷却、减摩擦和抑尘，产生减薄废水。减薄废水（含硅碎屑、砂轮碎屑）为溢流排放，经废水处理设备（絮凝、沉淀）预处理后，上清液溢流排放，硅碎屑和砂轮碎屑沉淀定期清理。该过程产生减薄废水W1-1、废砂轮S1-1、废水处理沉淀物S1-2。切割：使用双轴自动划片机对减薄后的硅晶圆进行精密切割，根据设计方案设定刀具的压力、转速、切割角度、切割路线等参数，将晶圆切分至设计的尺寸大小，得到晶片。切割过程中不同的转速、切割深度和切割位置造成的晶片尺寸精度的不确定性为本次研发内容。切割过程为湿式加工，使用自制纯水进行冷却、减摩擦和抑尘，产生切割废水。切割废水（含硅碎屑）为溢流排放，经废水处理设备（絮凝、沉淀）预处理后，上清液溢流排放，硅碎屑沉淀定期清理。该过程产生切割废水W1-2、边角料S1-3、废水处理沉淀物S1-4。固晶：人工按照设计方案使用银胶将切割后的晶片精准粘接到PFPC线路板预设位置上，为常温进行，利用银胶的导电粘接性将晶片和线路板进行电路连接，实现导电性能，得到初步模组。余胶使用无尘布蘸取少量丙酮或酒精进行擦拭。该过程产生少量沾染胶水的废无尘布S1-5、有机废气G1-1。烘烤：使用烤箱对初步模组进行烘烤固化处理，温度约120~160℃、1~2.5h，确保晶片与线路板的长期可靠连接。烘烤温度的不确定性为本次研发内容。该过程银胶受热产生少量有机废气G1-2。焊线：使用焊线机和金线将晶片的PAD和线路板的焊盘进行连接导通。焊线原理：通过热软化、压力塑形、超声除杂，使金线与焊盘金属原子扩散融合，形成可靠的金属间化合物，最终实现晶片与线路板的电气互连和机械固定。使用氮气作为氛围保护。该过程金线总用量约50g/a，产生的颗粒物量极少，忽略不计，不再量化分析。围坝：使用围坝机将围坝胶水点在产品四周，形成物理“坝体”，界定后续点胶处理保护的范围，防止后续保护胶水溢出至产品非目标区域（如其他线路、接口）；同时阻挡外部环境中的粉尘、湿气等污染物侵入金线和晶片核心区域。余胶使用无尘布蘸取少量丙酮或酒精进行擦拭，该过程产生少量沾染胶水的废无尘布S1-6、有机废气G1-3。烘烤：使用烤箱对围坝后的初步模组进行烘烤固化处理，温度120~160℃、1~2.5h；烘烤温度的不确定性为本次研发内容。围坝胶水为无溶剂型环氧树脂，加热过程不考虑废气产生。点胶：人工将金线保护胶水精准点至模组金线上，避免金线的物理损伤，提升绝缘性能，避免与外部金属部件意外接触，引发短路、漏电等故障。余胶使用无尘布蘸取少量丙酮/酒精进行擦拭。该过程产生少量沾染胶水的废无尘布S1-7、有机废气G1-4。烘烤：使用烤箱对点胶后的初步模组进行烘烤固化处理，温度120~160℃、1~2.5h，得到Micro LED屏体模组样品；烘烤温度的不确定性为本次研发内容。金线保护胶水为无溶剂型环氧树脂，加热过程不考虑废气产生。测试：对Micro LED屏体模组样品（约98%用于自测，2%留样）进行外观测试、可靠性测试等一系列标准化物理与性能检测。测试过程中湿度、温度等条件的不确定性为本次研发内容。 ①外观测试：利用探针机的自动光学检测（AOI）对样品进行外观测试，判断样品晶粒是否存在崩角、表面脏污等外观缺陷和封装关键工序是否存在晶粒贴装偏移、封胶鼓包等工艺缺陷，记录相关数据。AOI光学检测工作原理：利用影像技术来比对待测物与标准影像是否有过大的差异来判断待测物有否符合标准，一般通过传感器（摄像机）获得检测物的照明图像并数字化，然后进行比较、分析、检验和判断。 ②可靠性测试：利用恒温恒湿试验箱和冷热冲击试验箱对样品进行可靠性测试，通过设定不同参数（如温度、湿度、循环次数、冲击时间等），来判断样品的关键性能指标（如封装结构的力学性能、电学连接稳定性、寿命等），记录相关数据。其中恒温恒湿试验过程使用纯水作为冷凝水进行湿度、温度等参数的调节，为间接冷凝，设备配套水箱（有效装水量20L），一周更换一次，定期补水。达到研发设计要求的样品入库暂存，未达研发设计要求的样品作为废样品。该过程产生间接冷凝废水W1-3、少量废Micro LED屏体模组样品S1-8。装样：使用包装材料（如塑料、纸箱等）将达到研发设计要求的样品进行包装，并对上述研发测试过程中的各项数据（如减薄参数、切割参数、烘烤温度、测试结果等）进行汇总与整理，得到系统的Micro LED屏体模组后道工艺开发与测试报告。研发样品和相关报告均用于为现有项目后道生产（委外）以及下游企业进一步研发提供技术支撑，不外售。该过程产生少量废包装耗材S1-9。（2）其他辅助环节 ①纯水制备过程中产生的纯水制备浓水W2、纯水制备过滤耗材S2； ②员工生活污水W3； ③研发过程产生沾染试剂的废手套、口罩等废实验耗材S3；试剂使用后产生废试剂包装S4。 ④本项目研发区为万级洁净室，采用组合式空调机组，内部初、中效过滤，末端高效送新风，高效过滤，净化室内空气，可保证室内洁净等级达到设定要求，定期更换产生废进风过滤介质S5； ⑤拆包过程产生未沾染试剂的纸箱、塑料等一般废包材S6；员工生活垃圾S7。	（1）Micro LED 屏体模组后道工艺开发与测试：研发人员先进行后道工艺开发与测试的方案设计、技术设计等理论研发，确定研发、测试参数范围、主要步骤以及预期研发测试成果，具体研发测试工艺如下：减薄：将硅晶圆放置在全自动减薄机上，根据设计方案设定研磨盘的压力、转速等参数，利用研磨盘砂轮对晶圆表面进行研磨减薄，去除冗余衬底，保留核心功能层，为后续切割做准备（晶圆过厚易导致后续切割产生崩边、裂纹的现象）。减薄过程不同的转速、研磨压力和给进速度造成的晶圆厚度、表面质量、应力损伤的不确定性为本次研发内容。减薄过程为湿式加工，使用自制纯水进行冷却、减摩擦和抑尘，产生减薄废水。减薄废水（含硅碎屑、砂轮碎屑）为溢流排放，经废水处理设备（絮凝、沉淀）预处理后，上清液溢流排放，硅碎屑和砂轮碎屑沉淀定期清理。该过程产生减薄废水、废砂轮、废水处理沉淀物。切割：使用双轴自动划片机对减薄后的硅晶圆进行精密切割，根据设计方案设定刀具的压力、转速、切割角度、切割路线等参数，将晶圆切分至设计的尺寸大小，得到晶片。切割过程中不同的转速、切割深度和切割位置造成的晶片尺寸精度的不确定性为本次研发内容。切割过程为湿式加工，使用自制纯水进行冷却、减摩擦和抑尘，产生切割废水。切割废水（含硅碎屑）为溢流排放，经废水处理设备（絮凝、沉淀）预处理后，上清液溢流排放，硅碎屑沉淀定期清理。该过程产生切割废水、边角料、废水处理沉淀物。固晶：人工按照设计方案使用银胶将切割后的晶片精准粘接到PFPC线路板预设位置上，为常温进行，利用银胶的导电粘接性将晶片和线路板进行电路连接，实现导电性能，得到初步模组。余胶使用无尘布蘸取少量丙酮或酒精进行擦拭。该过程产生少量沾染胶水的废无尘布、有机废气。烘烤：使用烤箱对初步模组进行烘烤固化处理，温度约120~160℃、1~2.5h，确保晶片与线路板的长期可靠连接。烘烤温度的不确定性为本次研发内容。该过程银胶受热产生少量有机废气。焊线：使用焊线机和金线将晶片的PAD和线路板的焊盘进行连接导通。焊线原理：通过热软化、压力塑形、超声除杂，使金线与焊盘金属原子扩散融合，形成可靠的金属间化合物，最终实现晶片与线路板的电气互连和机械固定。使用氮气作为氛围保护。该过程金线总用量约50g/a，产生的颗粒物量极少，忽略不计，不再量化分析。围坝：使用围坝机将围坝胶水点在产品四周，形成物理“坝体”，界定后续点胶处理保护的范围，防止后续保护胶水溢出至产品非目标区域（如其他线路、接口）；同时阻挡外部环境中的粉尘、湿气等污染物侵入金线和晶片核心区域。余胶使用无尘布蘸取少量丙酮或酒精进行擦拭，该过程产生少量沾染胶水的废无尘布、有机废气。烘烤：使用烤箱对围坝后的初步模组进行烘烤固化处理，温度120~160℃、1~2.5h；烘烤温度的不确定性为本次研发内容。围坝胶水为无溶剂型环氧树脂，加热过程不考虑废气产生。点胶：人工将金线保护胶水精准点至模组金线上，避免金线的物理损伤，提升绝缘性能，避免与外部金属部件意外接触，引发短路、漏电等故障。余胶使用无尘布蘸取少量丙酮/酒精进行擦拭。该过程产生少量沾染胶水的废无尘布、有机废气。烘烤：使用烤箱对点胶后的初步模组进行烘烤固化处理，温度120~160℃、1~2.5h，得到Micro LED屏体模组样品；烘烤温度的不确定性为本次研发内容。金线保护胶水为无溶剂型环氧树脂，加热过程不考虑废气产生。测试：对Micro LED屏体模组样品（约98%用于自测，2%留样）进行外观测试、可靠性测试等一系列标准化物理与性能检测。测试过程中湿度、温度等条件的不确定性为本次研发内容。 ①外观测试：利用探针机和晶圆自动光学检测设备的自动光学检测（AOI）对样品进行外观测试，判断样品晶粒是否存在崩角、表面脏污等外观缺陷和封装关键工序是否存在晶粒贴装偏移、封胶鼓包等工艺缺陷，记录相关数据。AOI光学检测工作原理：利用影像技术来比对待测物与标准影像是否有过大的差异来判断待测物有否符合标准，一般通过传感器（摄像机）获得检测物的照明图像并数字化，然后进行比较、分析、检验和判断。 ②可靠性测试：利用恒温恒湿试验箱和冷热冲击试验箱对样品进行可靠性测试，通过设定不同参数（如温度、湿度、循环次数、冲击时间等），来判断样品的关键性能指标（如封装结构的力学性能、电学连接稳定性、寿命等），记录相关数据。其中恒温恒湿试验过程使用纯水作为冷凝水进行湿度、温度等参数的调节，为间接冷凝，设备配套水箱（有效装水量20L），一周更换一次，定期补水。 ③光电性能测试：模组系统级别测试设备对接模组后加载驱动信号，点亮屏体完成电学、光学及显示画面检测，定位 Mura 不良并验证修复效果；依靠电参数采集、光学成像与智能比对算法，实现模组系统性能自动化检测与判定。达到研发设计要求的样品入库暂存，未达研发设计要求的样品作为废样品。该过程产生间接冷凝废水、少量废Micro LED屏体模组样品。装样：使用包装材料（如塑料、纸箱等）将达到研发设计要求的样品进行包装，并对上述研发测试过程中的各项数据（如减薄参数、切割参数、烘烤温度、测试结果等）进行汇总与整理，得到系统的Micro LED屏体模组后道工艺开发与测试报告。研发样品和相关报告均用于为现有项目后道生产（委外）以及下游企业进一步研发提供技术支撑，不外售。该过程产生少量废包装耗材。（2）其他辅助环节 ①纯水制备过程中产生的纯水制备浓水、纯水制备过滤耗材； ②员工生活污水； ③研发过程产生沾染试剂的废手套、口罩等废实验耗材；试剂使用后产生废试剂包装。 ④本项目研发区为万级洁净室，采用组合式空调机组，内部初、中效过滤，末端高效送新风，高效过滤，净化室内空气，可保证室内洁净等级达到设定要求，定期更换产生废进风过滤介质； ⑤拆包过程产生未沾染试剂的纸箱、塑料等一般废包材；员工生活垃圾。
无

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

研发测试过程产生的有机废气量较少，经实验室排风系统无组织排放。减薄废水和切割废水（主要污染物为SS，不**实验室废水处理设施“絮凝、沉淀”预处理后，汇同间接冷凝废水、纯水制备浓水和生活污水经**园区污水处理厂处理。危废委外处置，实验室一般固废外售或委托一般固废处置单位处置；生活垃圾环卫清运。危废仓库约3平方米；一般固废暂存区1平方米。	研发测试过程产生的有机废气量较少，经实验室排风系统无组织排放。减薄废水和切割废水（主要污染物为SS，不**实验室废水处理设施“絮凝、沉淀”预处理后，汇同间接冷凝废水、纯水制备浓水和生活污水经**园区污水处理厂处理。危废委外处置，实验室一般固废外和生活垃圾环卫清运。危废仓库依托42幢危废仓库；一般固废暂存区1平方米
本次建设后考虑36幢危废种类简单（仅为沾染试剂的废耗材、包材）且产生量较少（约0.05t/a），为方便管理，36幢实验室产生的危废依托42幢生产项目危废仓库（30平方米）暂存；未导致危废产生量、种类、去向发生变化，不属于重大变动。

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

****实验室边界为起算点设置100m的卫生防护距离。设备和原辅料见环评报告。	****实验室边界为起算点设置100m的卫生防护距离。设备和原辅料见验收报告。
本项目增加1台晶圆自动光学检测设备和1台模组系统级别测试设备，对 Micro LED 屏体模组样品进行外观与光电性能测试，测试过程为物理测试，无试剂，无污染物产生；综上，增加2台测试设备未新增污染因子，无新增污染物排放量；以上设备变动不影响产能及整体研发测试工艺，没有导致不利环境影响增加；其余设备数量无变化，与环评一致。

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年） SS(吨/年) 废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

0	0	0.2131	0	0	0	0
0	0	0.4239	0	0	0	0
0	0	0.009	0	0	0	0
0	0	0.0018	0	0	0	0
0	0	0.0162	0	0	0	0
0	0	0.2541	0	0	0	0
0	0	0	0	0	0	0	/
0	0	0	0	0	0	0	/
0	0	0	0	0	0	0	/
0	0	0	0	0	0	0	/
0	0	0.0095	0	0	0	0	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

减薄、切割废水处理设施

《电子工业水污染物排放标准》（GB 39731-2020）

减薄废水和切割废水（主要污染物为SS，不****实验室废水处理设施“絮凝、沉淀”预处理后，汇同间接冷凝废水、纯水制备浓水和生活污水经****园区污水处理厂处理。废水排放****处理厂接管标准要求：《电子工业水污染物排放标准》（GB 39731-2020）表1间接排放标准接管要求。

本项目废水处理设****处理厂接管标准要求：《电子工业水污染物排放标准》（GB 39731-2020）表1间接排放标准接管要求

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

全自动减薄机、双轴自动划片机、焊线机、烤箱、空压机等运转时产生的噪声

《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准

本项目无室外噪声源，室内噪声源主要源于全自动减薄机、双轴自动划片机、焊线机、烤箱、空压机等运转时产生的噪声，采用低噪设备、隔声、减振、降低噪声源强及控制噪声声波传播途径等噪声防治措施。

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

生活垃圾和一般固废环卫清运，危废委托有资质单位进行处置。

生活垃圾和一般固废（包括一般废耗材及包材、废水处理沉淀物、废样品）由******公司统一清运；危险废物包括沾染试剂的废耗材、包材委托****处置。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程