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【分散采购备案单】三维异构集成与垂直互连技术开发
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【分散采购备案单】三维异构集成与垂直互连技术开发
发布日期：2026-07-02
项目概况
| 项目名称 | 三维异构集成与垂直互连技术开发 | 项目编号 | **** |
| 开始时间 | 2026-07-02 17:37 | 结束时间 | 2026-07-07 17:37 |
| 供应商资格要求 | 参照《****政府采购法》第二十二条规定的资格条件。 | 预算金额（元） | 430000.00 |
| 采购方式 | 竞价 | ||
采购服务信息列表
| 1 | 三维异构集成与垂直互连技术开发 | 5 | 片 | 430000 | ||
| 技术参数 | 技术点 指标要求 测试/验证条件 晶圆衬底 6英寸低阻硅衬底；厚度675±10μm；电阻率 0.01-0.02Ω●cm；(100)晶向、切边晶向 <110>，57.5μm大平边、单抛；表面 Ra≤0.5μm；TTV≤1μm 来料检验报告 SiO薄膜制备 厚度500nm，均匀性≤2% 膜厚仪检测数据 深硅刻蚀 刻蚀深度250μm，均匀性≤5%；刻蚀角度91°±1°，侧壁粗糙度<100nm ；刻蚀选择比si:pr>40:1、Si:SiO>60:1 工艺过程检测数据 SiO填充沉积 总厚度 4μm，均匀性≤5% 工艺过程检测数据 D-Poly填充沉积 总厚度 5μm，均匀性≤5%；方块电阻< 10ω/□ 工艺过程检测数据 cmp 抛光后表面 ra≤0.5nm， 抛光终止于 sin 层 工艺过程检测数据 | |||||
| 相关材料 | 参数指标--吴国强.docx | |||||
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2026-07-12
2026-07-02
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