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| 1 | 原子层刻蚀系统 | 能够高质量完成结晶IGZO薄膜、HfO2、ZrO2等高 k 介质原子层刻蚀,单循环刻蚀量≤0.1nm,精准控深;IGZO/HfO2异质层刻蚀选择比≥50:1,侧壁倾角≥85°,各向异性优异,适配高深宽比微纳加工;等离子损伤低,≥0.2μm 新增颗粒≤0.3 个 /cm3,器件场效应迁移率可达 90cm2●V-1s-1 以上。 | ****000.00 | 2026-08 |