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肖特基二极
招标详情
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***********公司企业信息
需求量:1.0件 规格描述:型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 正向压降：≤550mV@8A 直流反向耐压：≥40V 整流电流：≥8A 非重复峰值浪涌电流：≥150A;附加技术条件:封装：SMC-DO-214AB
询价基本信息
询价单名称：
电子元器件
采购企业：
********公司
询价人姓名：
王媛
对供应商的要求：
营业执照，生产许可证书，质量管理体系认证证书
报价要求
比价结果有效期：
2026-08-21
合同/报价截止时间： 加急标书代写
2026-07-22
报价要求：
含税报价
允许变更商品规格报价
允许变更品牌/制造商报价
允许部分报价
允许多个报价方案
报价价格类型：
到厂价
币种：
人民币
付款方式：
验收合格后挂账满六个月后付款
交货地址：
**省**市**区**大道
补充说明：
无
询价附件：
询价商品或服务详情
| 1 | 浪涌抑制模块 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～100℃ 工作电压：9V～36V 输入浪涌电压：80V/50ms 尖峰电压抑制：600V/10us 反接保护：具备 待机电流：≤5mA 输出电流：≥10A 短时（≤5s）最大电流：2;附加技术条件:封装：21.5mm*26mm*12.5m | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/08/31 | |||||
| 2 | 直流滤波器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～85℃ 额定电流：≥6A 频率覆盖范围：100KHz～30MHz 插入损耗：500KHz不低于60dB，1MHz不低于50dB 额定电压：28V，最高100V 直流电阻：≤25mΩ ;附加技术条件:封装：15mm*18mm*11mm | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/08/31 | |||||
| 3 | 降压模块 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～100℃ 工作电压：7V～85V 高边MOS内阻：≤500mΩ 低边MOS内阻：≤240mΩ 输出电流：≥1.4A平均电流 工作频率：400～600kHz 软启动时间：≥2ms;附加技术条件:封装：QFN6x6-24 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 4 | 肖特基二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 正向压降：≤****@0.5A 直流反向耐压：≥40V 整流电流：≥1A 非重复峰值浪涌电流：≥7A;附加技术条件:封装：DFN1006-2L | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 5 | 降压芯片 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 输入电压：4V～20V 输出电流：≥5A 工作频率：400～600kHz 最小导通时间：80ns 高边MOS内阻：≤25mΩ 低边MOS内阻：≤15mΩ;附加技术条件:封装：QFN5x5-20 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 6 | 无刷电机驱动器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～105℃ 功率电路电压：18V～92V 控制电路电压：12V～20V 数字电路电压：3.3V～7.5V 输出电压：26V～30V 输出电流：7A-9A 输出过流保护点：10～12A;附加技术条件:封装：34.6mm*32.6mm*11mm | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 7 | 肖特基二极 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 正向压降：≤550mV@8A 直流反向耐压：≥40V 整流电流：≥8A 非重复峰值浪涌电流：≥150A;附加技术条件:封装：SMC-DO-214AB | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 8 | 运算放大器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 工作电压：-18V～18V 放大器数：2 增益带宽积：1MHz 输入失调电压：7mV 输入失调电压温漂：7uV/℃ 共模抑制比（CMRR）：≥90dB 输出电流：≥40mA;附加技术条件:封装：SOP8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 9 | NPN开关晶体管 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～150℃ 集电极电流（Ic）：≥600mA 集射极击穿电压（Vceo）：≥40V 耗散功率（Pd）：≤225mW 射基极击穿电压（Vebo）：≥6V 正向电流传输比（hFE）：100;附加技术条件:封装：SOT-23 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 10 | RS-422通讯芯片 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 工作电压：3V～3.6V 数据速率：≥250Kpbs 通讯模式：全双工、RS-422 静态电流（空载）：≤2.2mA;附加技术条件:封装：SOP8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 11 | 存储芯片 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 工作电压：2.7V～3.6V 容量： 128Mb（32MB） SPI时钟：133MHz 擦除：≥10000次 页面编程时间：≤0.5ms 扇区擦除时间：≤45ms 块擦除时;附加技术条件:封装：SOP8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 12 | 运算放大器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～105℃ 工作电压：2.7V～5V 放大器数：2 轨到轨：轨到轨输入，轨到轨输出 增益带宽积：1.5MHz 输入失调电压：1uV 输入失调电压温漂：10nV/℃ 压摆率：0.4V/u;附加技术条件:封装：SOP8 | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 13 | 微系统监控复位电路（看门狗） | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～+105℃ 工作电压：-0.3V～6V 复位阈值电压：3.1V 超时时间：≥1.6s;附加技术条件:封装：SOP8 | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 14 | 单片机 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～105℃ 工作电压：2V～3.6V 处理器类型：arm，F103系列 CPU位数：32位 闪存容量：128KB CPU内核：ARM Cortex-M3 CPU最大主频：72MHz C;附加技术条件:封装：LQFP-48 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 15 | 高速光电耦合器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 工作电压：3.3V～5.5V 通道：1； 传输速度：≥10Mbit/s 输入电流：5～20mA 上升/下降时间：≤120ns 高/低电平延迟时间：≤150ns;附加技术条件:封装：YA8-01A | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 16 | 高速光电耦合器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 工作电压：3.3V～5.5V 通道：4； 传输速度：≥10Mbit/s 输入电流：5～20mA 上升/下降时间：≤120ns 高/低电平延迟时间：≤150ns;附加技术条件:封装：YA16-01A | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 17 | 外部晶振 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～125℃ 频率：8MHz 常温频差：±30ppm;附加技术条件:封装：SMD5032 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 18 | 发光二极管 | 电子元器件/半导体分立器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度-55～85℃ 正向电流25mA 正向压降≤2.1V 功率65mW 波长565nm～575nm 发光强度10～30mcd 发光颜色：黄绿色;附加技术条件:封装：0603 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 19 | 霍尔传感器 | 电子元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度：-55～150℃ 电源电压：3.8V～40V 电源电流：≤10mA 工作频率：0～100kHz 工作点：10～20mT 释放点：7～17mT 回差：3.0mT 引脚定义：1：电源；2：电源地 | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 |
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2026-07-16
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