外部晶振

发布时间: 2026年07月16日
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***********公司企业信息
需求量:1.0件 规格描述:型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 频率:8MHz 常温频差:±30ppm;附加技术条件:封装:SMD5032
询价基本信息
询价单名称:
电子元器件
采购企业:
********公司
询价人姓名:
王媛
对供应商的要求:
营业执照,生产许可证书,质量管理体系认证证书
报价要求
比价结果有效期:
2026-08-21
合同/报价截止时间: 加急标书代写
2026-07-22
报价要求:
含税报价
允许变更商品规格报价
允许变更品牌/制造商报价
允许部分报价
允许多个报价方案
报价价格类型:
到厂价
币种:
人民币
付款方式:
验收合格后挂账满六个月后付款
交货地址:
**省**市**区**大道
补充说明:
询价附件:
询价商品或服务详情
序号 企业商品编码 商品名称 商品分类 规格描述 品牌 制造商 数量 单位 交货方式 交货日期/计划 原产地 特殊要求
1 浪涌抑制模块 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~100℃ 工作电压:9V~36V 输入浪涌电压:80V/50ms 尖峰电压抑制:600V/10us 反接保护:具备 待机电流:≤5mA 输出电流:≥10A 短时(≤5s)最大电流:2;附加技术条件:封装:21.5mm*26mm*12.5m 1.0 一次性交货 2026/08/31
2 直流滤波器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~85℃ 额定电流:≥6A 频率覆盖范围:100KHz~30MHz 插入损耗:500KHz不低于60dB,1MHz不低于50dB 额定电压:28V,最高100V 直流电阻:≤25mΩ ;附加技术条件:封装:15mm*18mm*11mm 1.0 一次性交货 2026/08/31
3 降压模块 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~100℃ 工作电压:7V~85V 高边MOS内阻:≤500mΩ 低边MOS内阻:≤240mΩ 输出电流:≥1.4A平均电流 工作频率:400~600kHz 软启动时间:≥2ms;附加技术条件:封装:QFN6x6-24 1.0 一次性交货 2026/09/30
4 肖特基二极管 电子元器件/半导体分立器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 正向压降:≤****@0.5A 直流反向耐压:≥40V 整流电流:≥1A 非重复峰值浪涌电流:≥7A;附加技术条件:封装:DFN1006-2L 2.0 一次性交货 2026/09/30
5 降压芯片 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 输入电压:4V~20V 输出电流:≥5A 工作频率:400~600kHz 最小导通时间:80ns 高边MOS内阻:≤25mΩ 低边MOS内阻:≤15mΩ;附加技术条件:封装:QFN5x5-20 1.0 一次性交货 2026/09/30
6 无刷电机驱动器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~105℃ 功率电路电压:18V~92V 控制电路电压:12V~20V 数字电路电压:3.3V~7.5V 输出电压:26V~30V 输出电流:7A-9A 输出过流保护点:10~12A;附加技术条件:封装:34.6mm*32.6mm*11mm 1.0 一次性交货 2026/09/30
7 肖特基二极 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 正向压降:≤550mV@8A 直流反向耐压:≥40V 整流电流:≥8A 非重复峰值浪涌电流:≥150A;附加技术条件:封装:SMC-DO-214AB 1.0 一次性交货 2026/09/30
8 运算放大器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 工作电压:-18V~18V 放大器数:2 增益带宽积:1MHz 输入失调电压:7mV 输入失调电压温漂:7uV/℃ 共模抑制比(CMRR):≥90dB 输出电流:≥40mA;附加技术条件:封装:SOP8 1.0 一次性交货 2026/09/30
9 NPN开关晶体管 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~150℃ 集电极电流(Ic):≥600mA 集射极击穿电压(Vceo):≥40V 耗散功率(Pd):≤225mW 射基极击穿电压(Vebo):≥6V 正向电流传输比(hFE):100;附加技术条件:封装:SOT-23 1.0 一次性交货 2026/09/30
10 RS-422通讯芯片 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 工作电压:3V~3.6V 数据速率:≥250Kpbs 通讯模式:全双工、RS-422 静态电流(空载):≤2.2mA;附加技术条件:封装:SOP8 1.0 一次性交货 2026/09/30
11 存储芯片 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 工作电压:2.7V~3.6V 容量: 128Mb(32MB) SPI时钟:133MHz 擦除:≥10000次 页面编程时间:≤0.5ms 扇区擦除时间:≤45ms 块擦除时;附加技术条件:封装:SOP8 1.0 一次性交货 2026/09/30
12 运算放大器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~105℃ 工作电压:2.7V~5V 放大器数:2 轨到轨:轨到轨输入,轨到轨输出 增益带宽积:1.5MHz 输入失调电压:1uV 输入失调电压温漂:10nV/℃ 压摆率:0.4V/u;附加技术条件:封装:SOP8 2.0 一次性交货 2026/09/30
13 微系统监控复位电路(看门狗) 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~+105℃ 工作电压:-0.3V~6V 复位阈值电压:3.1V 超时时间:≥1.6s;附加技术条件:封装:SOP8 2.0 一次性交货 2026/09/30
14 单片机 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~105℃ 工作电压:2V~3.6V 处理器类型:arm,F103系列 CPU位数:32位 闪存容量:128KB CPU内核:ARM Cortex-M3 CPU最大主频:72MHz C;附加技术条件:封装:LQFP-48 1.0 一次性交货 2026/09/30
15 高速光电耦合器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 工作电压:3.3V~5.5V 通道:1; 传输速度:≥10Mbit/s 输入电流:5~20mA 上升/下降时间:≤120ns 高/低电平延迟时间:≤150ns;附加技术条件:封装:YA8-01A 1.0 一次性交货 2026/09/30
16 高速光电耦合器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 工作电压:3.3V~5.5V 通道:4; 传输速度:≥10Mbit/s 输入电流:5~20mA 上升/下降时间:≤120ns 高/低电平延迟时间:≤150ns;附加技术条件:封装:YA16-01A 1.0 一次性交货 2026/09/30
17 外部晶振 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~125℃ 频率:8MHz 常温频差:±30ppm;附加技术条件:封装:SMD5032 1.0 一次性交货 2026/09/30
18 发光二极管 电子元器件/半导体分立器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度-55~85℃ 正向电流25mA 正向压降≤2.1V 功率65mW 波长565nm~575nm 发光强度10~30mcd 发光颜色:黄绿色;附加技术条件:封装:0603 1.0 一次性交货 2026/09/30
19 霍尔传感器 电子元器件/其它元器件 型号/件号:根据最终结果确定采购型号根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:工作温度:-55~150℃ 电源电压:3.8V~40V 电源电流:≤10mA 工作频率:0~100kHz 工作点:10~20mT 释放点:7~17mT 回差:3.0mT 引脚定义:1:电源;2:电源地 2.0 一次性交货 2026/09/30
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